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首页 > 热门关键词 > 华新电容
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56pF ±5% 2kV
型号：1206N560J202CT 编号：C3886628
封装：1206
品牌：Walsin(华新科)

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    470pF 1kV
    型号：MT31N471J102CT 编号：C2991466
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NP0、X7R电介质制成,为产品提供高电气精度、稳定性和可靠性。此外,严格控制质量,以确保在汽车应用中的质量性能。
    数据手册

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    100nF ±10% 50V
    型号：1210B104K500CT 编号：C2443225
    封装：1210
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S和X5R介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

    • 10+

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    56nF ±10% 630V
    型号：1206B563K631CT 编号：C3908288
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。具有X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。

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    2.2uF ±10% 50V
    型号：1210B225K500CT 编号：C3852432
    封装：1210
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S和X5R介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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    33nF ±10% 100V
    型号：1210B333K101CT 编号：C3867432
    封装：1210
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S和X5R介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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    820nF ±10% 10V
    型号：0805B824K100CT 编号：C152860
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    1uF ±5% 25V
    型号：0805B105J250CT 编号：C3894418
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)

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    470nF ±10% 100V
    型号：1210B474K101CT 编号：C3855452
    封装：1210
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S和X5R介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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    1nF ±10% 1kV
    型号：1812B102K102CT 编号：C3830348
    封装：1812
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。具有X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。

    • 5+

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    470nF ±10% 250V
    型号：1210B474K251CT 编号：C77534
    封装：1210
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊的内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。芯片尺寸为1206及更大的仅适用于回流焊接工艺。具有X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。
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    1nF ±5% 630V
    型号：MT31N102J631CT 编号：C5139661
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R电介质,为产品提供高电气精度、稳定性和可靠性。此外,严格控制质量,以确保在汽车应用中的质量性能。
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    1nF ±10% 3kV
    型号：1812B102K302CT 编号：C2918565
    封装：1812
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC 由导电材料和电极组成。为制造片式 SMT 并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由 NP0、X7R、X6S、X5R 和 Y5V 介电材料制成,为产品提供高电气精度、稳定性和可靠性。
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    22nF ±5% 25V
    型号：1206N223J250CT 编号：C396804
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    150pF ±5% 2kV
    型号：1210N151J202CT 编号：C880764
    封装：1210
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
    数据手册

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    18nF ±10% 1kV
    型号：1210B183K102CT 编号：C304013
    封装：1210
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊的内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。芯片尺寸为1206及更大的产品仅适用于回流焊接工艺。X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。
    数据手册

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    • 立即购买
    1uF ±10% 100V
    型号：1812B105K101CT 编号：C575465
    封装：1812
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
    数据手册

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    4.7uF ±10% 50V
    型号：1210B475K500CT 编号：C880822
    封装：1210
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
    数据手册

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    • 立即购买
    100pF ±5% 3kV
    型号：1812N101J302CT 编号：C3871135
    封装：1812
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。具有X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。

    • 5+

      ￥0.989

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      ￥0.7773

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    2.2uF ±10% 100V
    型号：1812B225K101CT 编号：C2594320
    封装：1812
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S和X5R介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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    330nF ±10% 250V
    型号：1210B334K251CT 编号：C3836014
    封装：1210
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。具有X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。

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    • 立即购买
    2.7nF ±10% 2kV
    型号：1210B272K202CT 编号：C384712
    封装：1210
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
    数据手册

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    47uF ±10% 16V
    型号：1210X476K160CT 编号：C396815
    封装：1210
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
    数据手册

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      ￥1.5387

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    ±0.25pF 6.8pF 50V
    型号：0201N6R8C500CT 编号：C2992627
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    100pF ±5% 50V
    型号：0201N101J500CT 编号：C237163
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
    数据手册

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    100pF ±10% 25V
    型号：0402B101K250CT 编号：C3900377
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S和X5R介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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    1nF ±10% 25V
    型号：0201B102K250CT 编号：C340650
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    ±0.5pF 5.6pF 25V
    型号：0201N5R6D250LT 编号：C364238
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    ±0.25pF 1.8pF 25V
    型号：0201N1R8C250LT 编号：C364222
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    ±0.25pF 5.6pF 50V
    型号：0201N5R6C500LT 编号：C364237
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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