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首页 > 热门关键词 > 华新电容
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±0.1pF 0.2pF 25V
型号：0201N0R2B250CT 编号：C880830
封装：0201
品牌：Walsin(华新科)
MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    10pF ±5% 250V
    型号：0805N100J251CT 编号：C3873485
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S和X5R介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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    820pF ±1% 50V
    型号：0603N821F500CT 编号：C3888649
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S和X5R介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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    1nF ±20% 50V
    型号：0402B102M500CT 编号：C295916
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    10uF ±10% 10V
    型号：0603X106K100 编号：C90806
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    3.3nF ±10% 500V
    型号：0805B332K501CT 编号：C384761
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S和X5R介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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    1uF ±5% 16V
    型号：0603B105J160CT 编号：C3908272
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S和X5R介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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    ±0.05pF 0.8pF 50V
    型号：RF15N0R8A500 编号：C172853
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。RF系列MLCC用于高频,通常具有较小的电容温度系数,典型值在NP0(COG)分类要求的±30ppm/°C以内,并且具有优异的内部电极导电性。因此,RF系列MLCC具有低ESR和高Q值的特性。
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    ±0.1pF 0.3pF 50V
    型号：RF03N0R3B500CT 编号：C172865
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。RF系列MLCC用于高频,通常具有较小的电容温度系数,典型值在NP0(COG)分类要求的±30ppm/°C以内,并且具有优异的内部电极导电性。因此,RF系列MLCC具有低ESR和高Q值的特性。
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    4.7nF ±5% 50V
    型号：0603N472J500CT 编号：C2894191
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    10pF ±5% 1kV
    型号：1206N100J102CT 编号：C77525
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
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    620pF ±10% 50V
    型号：0402B621K500CT 编号：C295935
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    150pF ±5% 100V
    型号：0805N151J101CT 编号：C152846
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    220nF ±10% 50V
    型号：1206B224K500CT 编号：C396786
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    47nF -20%~+80% 50V
    型号：0603F473Z500CT 编号：C302047
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    ±0.05pF 1pF 50V
    型号：RF15N1R0A500CT 编号：C172848
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。RF系列MLCC用于高频,通常具有较小的电容温度系数,典型值在NP0(COG)分类要求的±30ppm/°C以内,并且具有优异的内部电极导电性。因此,RF系列MLCC具有低ESR和高Q值的特性。
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    1.2pF 50V
    型号：RF15N1R2A500CT 编号：C172868
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    老批次：批次号20+
    数据手册

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    1nF ±20% 250V 400V
    型号：YU0AH102M070L2EA0H 编号：C2991351
    封装：插件,P=10mm
    品牌：Walsin(华新科)
    特性：工作温度范围:-40至+125°C。封装:环氧树脂,阻燃性UL94 V-0。涂层(加强绝缘)最小厚度为0.4mm。应用：电子设备中的陶瓷绝缘圆盘式电容器。天线耦合、线路旁路和跨线应用
    数据手册

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    22nF ±10% 630V
    型号：1206B223K631CT 编号：C303956
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    数据手册

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    ±0.5pF 6.8pF 250V
    型号：0805N6R8D251CT 编号：C3887194
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S和X5R介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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    100nF ±10% 25V
    型号：1206B104K250CT 编号：C396778
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    120nF ±10% 25V
    型号：0603B124K250CT 编号：C237177
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    • 我要订货
    47pF ±5% 1kV
    型号：1206N470J102 编号：C303968
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊的内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。芯片尺寸为1206及更大的产品仅适用于回流焊接工艺。X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1107

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    • 6000+

      ￥0.0605

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    100pF ±5% 2kV
    型号：1206N101J202 编号：C152953
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
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    3.3nF ±5% 50V
    型号：0805N332J500CT 编号：C575467
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    68nF ±10% 100V
    型号：1206B683K101CT 编号：C458940
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    120pF ±1% 50V
    型号：0603N121F500CT 编号：C3894420
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S和X5R介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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    22pF 1kV
    型号：0805N220J102CT 编号：C7466152
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    陶瓷电容

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    22pF ±5% 1kV
    型号：1206N220J102CT 编号：C77527
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
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    1.8nF ±10% 500V
    型号：0805B182K501CT 编号：C458923
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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