信号模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：MLF1608E100JT000 编号：C275361

封装：0603

品牌：TDK

特性：产品线包括宽电感范围。高度可靠的多层集成单片结构。工作温度范围:-55 至 +125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、调谐器、液晶电视、等离子电视、音频设备、计算机、模块信号处理等。应用指南:智能手机/平板电脑

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20+
￥0.2172
200+
￥0.1717
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￥0.1465

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型号：MLF1608E120JT000 编号：C76733

封装：0603

品牌：TDK

特性：产品线包括宽电感范围。高度可靠的多层集成单片结构。工作温度范围:-55 至 +125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、调谐器、液晶电视、等离子电视、音频设备、计算机、模块信号处理等。应用指南:智能手机/平板电脑

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￥0.2353
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型号：NUD3160LT1G-VB 编号：C7429094

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.31399 ￥0.3694
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￥0.25279 ￥0.2974
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￥0.22219 ￥0.2614
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￥0.185215 ￥0.2179
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￥0.166855 ￥0.1963
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￥0.157675 ￥0.1855

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型号：SLO322512TR68MTT 编号：C20624251

封装：1210

品牌：Sunltech(顺磁)

特性：金属材料,适用于大电流和低损耗。采用金属粉芯实现高性能 (Isat)。低 Rdc 实现低损耗。闭磁路设计,减少漏磁。乙烯基热喷涂,表面致密性更好。100% 无铅,符合 RoHS 标准。应用：DC/DC 转换器。平板电脑、智能手机。便携式游戏设备、智能穿戴设备、Wi-Fi 模块。笔记本电脑、VR、AR。LCD 显示器、硬盘驱动器、数码摄像机、数字信号处理器等。基础电源和电源供应、放大器、电源管理模块电源、相机电源管理

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￥0.42584 ￥0.5323
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￥0.41704 ￥0.5213
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￥0.4112 ￥0.514
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￥0.40536 ￥0.5067

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型号：SLO322512T1R0MTT 编号：C20623971

封装：1210

品牌：Sunltech(顺磁)

特性：金属材料,适用于大电流和低损耗。采用金属粉芯实现高性能 (Isat)。低 Rdc 实现低损耗。闭磁路设计,减少漏磁。乙烯基热喷涂,表面致密性更好。100% 无铅,符合 RoHS 标准。应用：DC/DC 转换器。平板电脑、智能手机。便携式游戏设备、智能穿戴设备、Wi-Fi 模块。笔记本电脑、VR、AR。LCD 显示器、硬盘驱动器、数码摄像机、数字信号处理器等。基础电源和电源供应、放大器、电源管理模块电源、相机电源管理

5+
￥0.42584 ￥0.5323
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型号：BSS123NH6433XTMA1 编号：C41365203

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，100V，0.29A，2.7Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、LED驱动器、电机控制模块、电源模块等。

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￥0.4583
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￥0.2783
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￥0.2495
9000+
￥0.235

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型号：IRF5805TRPBF-VB 编号：C558145

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.866575 ￥1.0195
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￥0.761175 ￥0.8955
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￥0.71604 ￥0.8424
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￥0.65977 ￥0.7762
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￥0.553775 ￥0.6515
6000+
￥0.53873 ￥0.6338

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型号：2R400TA-5 编号：C39831956

封装：插件,D5.5xL6mm

品牌：RUILON(瑞隆源)

GDT 安装在电力线、通信线、信号线和数据传输线等敏感电信设备的前端，并与之并联，以帮助保护这些设备免受雷击和设备开关操作可能产生的瞬态浪涌电压的损坏。这些器件在正常运行时不会影响信号。然而，在发生雷击等过电压浪涌时，GDT 会切换到低阻抗状态，将能量从敏感设备引开。我们的 GDT 提供高水平的浪涌保护、宽电压范围、低电容，并且有多种外形尺寸，包括新型表面贴装器件，这使其适用于主配线架 (MDF) 模块、高数据速率电信应用（如 ADSL、VDSL）以及电力线浪涌保护等应用。其低电容还能减少信号失真。当与自恢复保险丝 (PolySwitch) 器件配合使用于协调式电路保护解决方案中时，它们可以帮助设备制造商满足严格的安全法规标准。

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￥1.05355 ￥1.109
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￥1.028945 ￥1.0831
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￥1.01251 ￥1.0658
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￥0.996075 ￥1.0485

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型号：2R400TB-8 编号：C191453

封装：SIP-3-4.4mm

品牌：RUILON(瑞隆源)

GDT放置在敏感电信设备（如电源线、通信线、信号线和数据传输线）的前面并与之并联，以帮助保护它们免受雷击和设备开关操作可能导致的瞬态浪涌电压的损坏。这些设备在正常运行时不会影响信号。然而，在发生过电压浪涌（如雷击）时，GDT会切换到低阻抗状态，并将能量从敏感设备转移开。GDT提供高水平的浪涌保护、宽电压范围、低电容，并且有多种外形尺寸，包括新的表面贴装器件，这使其适用于主配线架（MDF）模块、高数据速率电信应用（如ADSL、VDSL）以及电源线上的浪涌保护。其低电容还可减少信号失真。当与自恢复保险丝设备配合使用时，它们可以帮助设备制造商满足严格的安全法规标准。

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50+
￥0.918
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型号：TM7780 编号：C5174545

封装：SOP-8

品牌：TM(天微)

TM7780是单相计量芯片，其输出端CF用于计算电能，CFA用于指示电流有效值或电压有效值。TM7780内部使用新型算法，当输入信号的功率值大于内部的噪声值时，计量模块就开始正确计量。本产品性能优良，质量可靠。

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￥1.6362
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型号：CC6420SPB-FG 编号：C22391867

封装：SOP-8

品牌：CrossChip(成都芯进)

CC6420是一款用于单线圈无刷直流电机/风扇的单芯片解决方案，具备PWM速度控制功能。该芯片采用创新的先进高压BiCMOS工艺设计和制造，此工艺针对霍尔传感器和电机驱动器进行了优化。它集成了驱动功率管、电压调节模块、高精度霍尔传感器、斩波失调消除模块、霍尔信号线性放大与调制模块以及数字逻辑控制模块

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￥2.32
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型号：AC7006F4 编号：C19946120

封装：QFN-32(4x4)

品牌：JL(杰理)

特性：CPU：32 位双发射 DSP，高达 160MHz 可编程处理器，带有 IEEE754 单精度 FPU，带有 cordic 加速引擎，具有 8 个硬件断点/观察点的高级调试功能，高级系统异常捕获单元。中断：支持多达 64 个中断，具有 8 个优先级，支持 NMI，支持 SWI，优先级可配置，可通过轮询 12 个 IO 中断实现低功耗唤醒。DSP 音频处理：支持 SBC、AAC 蓝牙音频解码，支持 mSBC 蓝牙语音编解码，支持 MP2、MP3、WMA、APE、FLAC、AAC、MP4、M4A、WAV、AIF、AIFC 音频解码，支持语音处理的丢包隐藏（PLC），支持单/双麦克风环境噪声消除（ENC），支持多频段 DRC 限幅器，支持 20 频段 EQ 语音效果配置。音频编解码器：两个 24 位 DAC 通道，SNR >= 102dB，两个 24 位 DAC 通道，SNR >= 95dB，支持 8kHz/11.025kHz/16kHz/22.05kHz/24kHz/32kHz/44.1kHz/48kHz/64kHz/88.2kHz/96kHz 的 DAC 采样率，支持 8kHz/11.025kHz/16kHz/22.05kHz/24kHz/32kHz/44.1kHz/48kHz 的 ADC 采样率，两个模拟麦克风放大器，内置麦克风偏置发生器，支持四个 PDM 数字麦克风输入，两个模拟 AUX 通道，支持立体声，支持 DAC 路径的无电容、单端和双差分模式，支持 16 欧姆和 32 欧姆扬声器负载。ANC：ANC 处理引擎采样率高达 750kHz，7.5μs 模拟到模拟延迟，支持 4 个数字麦克风输入、2 个差分或单端模拟输入用于 ANC，支持 2 通道前馈、反馈、混合 ANC，ANC 模块为每个 FF/FB/音乐补偿控制包含 20 个双精度双二阶滤波器。蓝牙：符合蓝牙 V5.3+BR+EDR+BLE 规范，满足 2 类和 3 类发射功率要求，支持 GFSK 和 DQPSK 所有数据包类型，提供最大 +10dBm 发射功率，EDR 接收器最小灵敏度为 -94dBm，快速 AGC 增强动态范围，支持 a2dp\avctp\avdp\avrcp\hfp\ssp\samp\att\gap\gatt\rfcomm\sdp\l2cap 配置文件，a2dp 1.3.2\avctp 1.4\avdtp 1.3\ avrcp 1.6.2\hfp 1.8\spp 1.2\rfcomm 1.1\pnp 1.3\hid 1.1.1\sdp core5.3\l2cap core 5.3。应用：蓝牙立体声耳机。蓝牙立体声 ANC 耳机

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￥3.06
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￥2.38
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￥2.27

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型号：CI523 编号：C2833202

封装：TQFN-16-EP(3x3)

品牌：南京中科微

Ci523是一个高度集成的，工作在13.56MHz的非接触式读写器芯片，支持ISO/IEC14443A/B。内部发送器可驱动读写器天线与ISO/IEC14443A/B卡和应答机通信，接收器模块提供一个强大而高效的电路，用以解调译码ISO/IEC14443A/B兼容卡及应答机信号。数字模块处理完整的ISO/IEC14443A/B帧和错误检测功能(奇偶和CRC)。

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￥3.67
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￥2.82
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￥2.46
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￥2.01
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￥1.81
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型号：NJW4832KH1-B-TE3 编号：C3655699

封装：DFN-6(2x2)

品牌：Nisshinbo

是单高端开关，可提供0.2A电流。Pch MOS FET内置有源钳位电路、过流和热关断功能。可直接输入逻辑信号（3V/5V）。特别适用于各种PNP型传感器输出模块。FLT逻辑有两种版本：高电平有效（A版本）和低电平有效（B版本）。

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￥4.27
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￥3.45
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￥3.04
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￥2.64
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￥2.39
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￥2.27

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型号：ATMEGA328P-MUR 编号：C2651951

封装：VQFN-32(5x5)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P 是一种基于增强型RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P 达到了接近每MHz 1 MIPS的吞吐量，使得系统设计者可以在功耗和处理速度之间进行优化。AVR核心结合了丰富的指令集与32个通用工作寄存器。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元（ALU），允许在一个时钟周期内执行的一条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构在代码效率上更高，同时实现了比传统的CISC微控制器快达十倍的吞吐量。ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P 提供以下功能：具有读写同时能力的4K/8K字节片内可编程Flash、256/512/512/1K字节EEPROM、512/1K/1K/2K字节SRAM、23条通用I/O线、32个通用工作寄存器、三个带有比较模式的灵活定时器/计数器、内部和外部中断、一个串行可编程USART、面向字节的两线串行接口、一个SPI串行端口、一个6通道10位ADC（TQFP和VQFN封装中为8通道）、一个带内部振荡器的可编程看门狗定时器以及五种软件可选的节能模式。空闲模式停止CPU运行但允许SRAM、定时器/计数器、USART、两线串行接口、SPI端口和中断系统继续运作。掉电模式保存寄存器内容但冻结振荡器，禁用所有其他芯片功能直到下一次中断或硬件复位。在省电模式下，异步定时器继续运行，允许用户在设备其余部分休眠时保持定时基准。ADC降噪模式停止CPU和除异步定时器及ADC外的所有I/O模块，以最小化ADC转换期间的开关噪声。在待机模式下，晶体/谐振器振荡器运行而设备其余部分休眠。这允许快速启动的同时实现低功耗。Microchip提供了QTouch库，用于将电容式触摸按钮、滑块和滚轮功能嵌入AVR微控制器中。专利的电荷转移信号采集技术提供鲁棒的感应，并包括完全去抖动的触摸按键报告以及相邻键抑制（AKS）技术，用于明确检测按键事件。易于使用的QTouch套件工具链让您能够探索、开发并调试自己的触摸应用。该器件采用Microchip的高密度非易失性存储器技术制造。片上ISP Flash允许通过SPI串行接口、传统非易失性存储器编程器或运行在AVR核心上的片上引导程序对程序存储器进行在系统重新编程。引导程序可以使用任何接口下载应用程序到应用程序Flash存储器中。当应用程序Flash部分更新时，引导Flash部分中的软件将继续运行，从而提供真正的读写同时操作。通过将8位RISC CPU与片上自编程Flash集成在一个单片芯片上，ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P 成为了一个强大的微控制器，为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P AVR 得到了一整套程序和系统开发工具的支持，包括：C编译器、宏汇编器、程序调试器/模拟器、在线仿真器以及评估套件。

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1+
￥12.94
10+
￥10.9
30+
￥9.62

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型号：MC9S08PA32VLD 编号：C5194107

封装：SOT-389-2

品牌：NXP(恩智浦)

特性：8位S08中央处理器单元 (CPU)，在2.7V至5.5V的工作电压范围内，总线频率最高可达20MHz。支持多达40个中断/复位源。支持多达四级嵌套中断。片上存储器：在全工作电压和温度范围内，闪存最高可达4KB，可进行读取/编程/擦除操作；EEPROM最高可达128字节，擦除扇区为2字节，可在执行闪存操作时进行编程和擦除；随机存取存储器 (RAM) 最高可达512字节。闪存和RAM访问保护。节能模式：一种低功耗停止模式；降低功耗等待模式；外设时钟使能寄存器可禁用未使用模块的时钟，降低电流；允许在stop3模式下保持特定外设的时钟开启

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1+
￥18.33
10+
￥17.86
30+
￥17.56
100+
￥17.0775 ￥17.25

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型号：ADV7611BSWZ-RL 编号：C706706

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ADI(亚德诺)

ADV7611提供汽车级、专业级(无HDCP)和工业级三种版本，工作温度范围为 -40 °C 至 +85 °C。是一款高质量、单输入HDMI接收器，内置HDMI兼容型接收器，支持HDMI 1.4a规定的所有强制性3D电视格式，和最高UXGA 60 Hz、8位的分辨率。它集成一个CEC控制器，支持CDC特性。具有一个音频输出端口，用于输出从HDMI流提取的音频数据。HDMI接收器具有高级静音控制器，可消除音频输出中的外来声频噪声。支持来自I2S串行器的音频流(两个音频通道)、来自S/PDIF串行器的音频流(两个未压缩通道或N个压缩通道，例如AC3)、DST音频流。HDMI端口具有专用的5 V检测和热插拔置位引脚。该HDMI接收器还集成一个均衡器，用于确保与长电缆的接口具有鲁棒的工作性能。内置一个主分量处理器(CP)，用于处理来自HDMI接收器的视频信号。它提供的功能包括：对比度、亮度和饱和度调整；STDI检测模块；自由运行；以及同步对准控制等。采用先进的CMOS工艺制造，提供64引脚、10 mm×10 mm LQFP_EP表贴封装，符合RoHS标准；额定温度范围为 -40 °C 至 +85 °C。

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1+
￥26.15
10+
￥25.58
30+
￥25.2

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型号：SI8921BD-IS4-HXY 编号：C52145205

封装：SOW-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该运算放大器工作电压范围为3V至5.5V，适合低功耗信号处理应用。其最大数据速率可达150Mbps，具备150kV/μs的共模瞬态抗扰度（CMTI），确保在高噪声环境下信号传输的稳定性。器件集成3个正向通道和1个反向通道，支持多方向信号隔离与放大，适用于需要高速数字隔离与模拟信号调理的复杂电路系统，可用于通信模块、电源管理及高性能数据采集等场景。

1+
￥26.809 ￥28.22
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￥22.99 ￥24.2
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￥20.729 ￥21.82
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￥18.43 ￥19.4
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￥17.366 ￥18.28
1000+
￥16.891 ￥17.78

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型号：LPC5516JBD64E 编号：C1012835

封装：HTQFP-64(10x10)

品牌：NXP(恩智浦)

该产品是基于Arm Cortex-M33的微控制器，适用于嵌入式应用。包含CASPER Crypto引擎、多达256 KB片上闪存、多达96 KB片上SRAM、用于实时闪存加密/解密的PRINCE模块、代码看门狗、高速/全速USB主机和设备接口（全速运行时无需晶体）、CAN FD、五个通用定时器、一个SCTimer/PWM、一个RTC/报警定时器、一个24位多速率定时器（MRT）、一个窗口看门狗定时器（WWDT）、九个灵活的串行通信外设（可配置为USART、SPI、高速SPI、I²C或I²S接口）、可编程逻辑单元（PLU）、一个16位2.0 Msamples/sec ADC（能够进行同步转换）、比较器和温度传感器。Arm Cortex-M33提供安全基础，通过TrustZone技术提供隔离以保护宝贵的IP和数据。它通过集成的数字信号处理（DSP）指令简化了数字信号控制系统的设计和软件开发

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1+
￥34.1
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￥29.02
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￥26.1
100+
￥22.9284 ￥23.16
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￥21.582 ￥21.8
1000+
￥20.9781 ￥21.19

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型号：MS2108 编号：C42374500

封装：QFN-48-EP(7x7)

品牌：Macrosilicon(宏晶微)

MS2108是一款数字视频和音频采集芯片，内部集成USB 2.0 Device控制器、数据收发模块、数字视频输入处理模块、I2S输入处理模块、音视频处理模块。MS2108可以将数字音视频信号通过USB接口传送到PC、智能手机、平板电脑上预览或采集。MS2108输出支持YUV和JPEG两种模式，兼容Windows、Android和MacOS系统。

1+
￥35.25
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￥30.29
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￥27.26
100+
￥24.73

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型号：BC847CW 编号：C50177020

封装：SOT-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该NPN型三极管具有100mA集电极电流（IC）和50V集电极-发射极耐压（VCEO），适用于中等电压与电流的信号放大及开关电路。其特征频率（fT）高达100MHz，具备良好的高频响应能力，适合处理快速变化的信号。器件采用标准封装，便于在各类通用模拟与数字电路中实现信号切换、增益级联及阻抗匹配等功能，广泛用于通信设备、消费类电子产品及小型电源管理模块中，满足对稳定性和响应速度有一定要求的应用场景。

50+
￥0.04636 ￥0.0488
500+
￥0.045315 ￥0.0477
3000+
￥0.044555 ￥0.0469
6000+
￥0.04389 ￥0.0462

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型号：MMZ1005Y102CT000 编号：C275428

封装：0402

品牌：TDK

特性：一般信号线的降噪解决方案。具有多种频率特性，采用5种不同特性的材料，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55℃至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备及各种模块的噪声去除。个人电脑和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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10+
￥0.0541
100+
￥0.0418
300+
￥0.0349
1000+
￥0.0308
5000+
￥0.0272

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型号：MM1Z22W 编号：C50177014

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管的稳定电压为22V（VR），在正常工作条件下具备良好的电压调节性能。其最大正向电流（IF）为5mA，正向导通压降为0.9V（VF），反向漏电流极低，仅为0.1μA（IR），表现出优异的反向阻断特性。器件适用于需要精确电压参考或过压保护的电路，常见于消费类电子设备、便携式装置及小型电源模块中。可用于信号电平箝位、电源稳压电路及模拟电路中的基准电压源，适合对电路稳定性与功耗控制有要求的应用场景。

50+
￥0.0551
500+
￥0.0538
3000+
￥0.0529

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型号：BLM03BB100SN1D 编号：C160963

封装：0201

品牌：muRata(村田)

特性：芯片铁氧体磁珠BLM系列设计用于在噪声频率下近乎作为电阻工作，大大降低了谐振的可能性，使信号波形不失真。 BLM系列无需接地，因此在没有稳定接地线的电路中有效。 BLM_B系列由于其尖锐的阻抗特性，可将信号波形的衰减降至最低。提供各种阻抗以匹配信号频率。外部电极的镍阻挡结构具有出色的焊接耐热性。应用：适用于先进的高密度安装。适用于数字设备的小型化或功能部分的模块

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50+
￥0.0558
500+
￥0.044
1500+
￥0.0375

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型号：MMZ1005Y121CT000 编号：C107324

封装：0402

品牌：TDK

特性：一般信号线的降噪解决方案。具有多种频率特性，采用5种不同特性的材料，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55℃至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备及各种模块的噪声去除。个人电脑和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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50+
￥0.065455 ￥0.0689
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￥0.05111 ￥0.0538
1500+
￥0.043225 ￥0.0455
10000+
￥0.03838 ￥0.0404
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50000+
￥0.032015 ￥0.0337

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型号：BC860C-HXY 编号：C47506923

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款PNP型三极管（BJT）具有0.1A的集电极电流(IC)和45V的集电极-发射极击穿电压(VCEO)，适合于需要中等功率处理能力的应用环境。其直流电流增益(HFE)在420至800之间，能够实现高效稳定的信号放大功能。此外，它拥有100MHz的过渡频率(FT)，确保在高频工作条件下依然保持良好的性能表现。该三极管非常适合应用于无线通信模块、家庭音频设备及其他对增益控制有较高要求且需兼顾频率响应的电子电路中。

20+
￥0.06966 ￥0.0774
200+
￥0.06813 ￥0.0757
600+
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3000+
￥0.06606 ￥0.0734

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型号：BAS70WX-HXY 编号：C52754515

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，正向平均电流（IF）为0.07A，反向重复峰值电压（VR）为70V，正向压降（VF）典型值为1V，反向漏电流（IR）低至0.1μA，具备良好的阻断与导通特性。其正向浪涌电流（IFSM）能力为0.1A，适用于对功耗和体积要求较高的电子设备，如便携终端、小型电源模块及高频信号处理电路中的整流与保护功能。

20+
￥0.06973 ￥0.0734
200+
￥0.06821 ￥0.0718
600+
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3000+
￥0.066215 ￥0.0697

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型号：MMSZ5232BT1G 编号：C50177013

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管的反向击穿电压（VR）为5.6V，适用于提供稳定的电压参考。其正向导通电流（IF）为20mA，正向导通压降（VF）为0.9V，具有较低的导通损耗。在反向截止状态下，漏电流（IR）典型值为5μA，表现出良好的阻断性能。该器件常用于电源稳压电路、信号电平转换及过压保护设计中，可有效维持电路工作点的稳定。在精密模拟电路、通信设备及便携式电子产品中，能为敏感模块提供可靠的电压钳位和基准电压支持。