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该稳压二极管的反向击穿电压（VR）为7.5V，在0.005A的正向电流（IF）下，正向压降（VF）为0.9V，导通特性稳定。反向漏电流（IR）为0.5μA，表明其在非导通状态下的电流泄漏极小，具备良好的电压抑制能力。该器件适用于需要精确电压钳位和稳压功能的电路，常用于电源稳压模块、信号电平转换、过压保护电路及模拟电路中的参考电压源，为各类电子设备中的敏感单元提供可靠的电压基准与保护。

50+
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型号：MMZ1608S221ATA00 编号：C531442

封装：0603

特性：用于一般信号线的降噪解决方案。具有8种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端等移动设备及各种模块的降噪。个人电脑、录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的降噪

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50+
￥0.07893 ￥0.0877
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型号：MMZ0603S241HT000 编号：C275403

封装：0201

特性：通用信号线降噪解决方案。比标准“- C”系列电阻低。可降低电路的功率损耗。工作温度范围：-55 至 +125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备及各种模块的噪声去除。个人电脑和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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￥0.08189 ￥0.0862
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￥0.04028 ￥0.0424

有货

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型号：MMZ1608S800ATA00 编号：C107328

封装：0603

特性：用于一般信号线的降噪解决方案。具有8种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端等移动设备及各种模块的降噪。个人电脑、录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的降噪

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￥0.085215 ￥0.0897
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型号：MMZ1608Y121BTA00 编号：C275452

封装：0603

特性：用于一般信号线的降噪解决方案。具有8种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端等移动设备及各种模块的降噪。个人电脑、录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的降噪

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型号：MMZ1608R121ATA00 编号：C136490

封装：0603

特性：用于一般信号线的降噪解决方案。具有8种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端等移动设备及各种模块的降噪。个人电脑、录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的降噪

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型号：MMZ1608R150ATA00 编号：C275445

封装：0603

特性：用于一般信号线的降噪解决方案。具有8种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端等移动设备及各种模块的降噪。个人电脑、录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的降噪

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型号：MMZ1005A182ET000 编号：C250446

封装：0402

特性：一般信号线的降噪解决方案。与MMZ系列相比，将自谐振频率（SRF）提高到GHz频段，单个元件可在较宽频率范围内应对噪声。与MMZ系列相比，可在GHz频段实现高阻抗。采用四种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55℃至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备以及各种模块的噪声去除。个人电脑和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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型号：MMZ1005S121HT000 编号：C1533884

封装：0402

特性：用于一般信号线的降噪解决方案。与标准“- C”系列相比，该产品电阻更低。可以降低电路的功率损耗。工作温度范围：-55 至 +125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备以及各种模块的噪声去除。个人电脑和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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型号：MMZ1608S181ATA00 编号：C94265

封装：0603

特性：用于一般信号线的降噪解决方案。具有8种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端等移动设备及各种模块的降噪。个人电脑、录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的降噪

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型号：BSS123-7-F 编号：C41365200

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，100V，0.29A，2.7Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、LED驱动器、电机控制模块、电源模块等。

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型号：MLF1608A2R2JT000 编号：C114778

封装：0603

特性：产品线包括宽电感范围。高度可靠的多层集成单片结构。工作温度范围:-55 至 +125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、调谐器、液晶电视、等离子电视、音频设备、计算机、模块信号处理等。应用指南:智能手机/平板电脑

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型号：MLF1608A1R0JT000 编号：C275338

封装：0603

特性：产品线包括宽电感范围。高度可靠的多层集成单片结构。工作温度范围:-55 至 +125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、调谐器、液晶电视、等离子电视、音频设备、计算机、模块信号处理等。应用指南:智能手机/平板电脑

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型号：MLF1608A1R8KTA00 编号：C275344

封装：0603

特性：产品线包括宽电感范围。高度可靠的多层集成单片结构。工作温度范围:-55 至 +125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、调谐器、液晶电视、等离子电视、音频设备、计算机、模块信号处理等。应用指南:智能手机/平板电脑

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￥0.22617 ￥0.2513
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型号：MLF1608A1R8JT000 编号：C275343

封装：0603

特性：产品线包括宽电感范围。高度可靠的多层集成单片结构。工作温度范围:-55 至 +125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、调谐器、液晶电视、等离子电视、音频设备、计算机、模块信号处理等。应用指南:智能手机/平板电脑

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型号：MLF1608DR39KTA00 编号：C76731

封装：0603

特性：产品线包括宽电感范围。高度可靠的多层集成单片结构。工作温度范围:-55 至 +125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、调谐器、液晶电视、等离子电视、音频设备、计算机、模块信号处理等。应用指南:智能手机/平板电脑

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型号：MLF1608A1R0KTA00 编号：C275339

封装：0603

特性：产品线包括宽电感范围。高度可靠的多层集成单片结构。工作温度范围:-55 至 +125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、调谐器、液晶电视、等离子电视、音频设备、计算机、模块信号处理等。应用指南:智能手机/平板电脑

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型号：MJE13003-HYX 编号：C50269819

封装：TO-126

该NPN型三极管具备1.5A的集电极电流（IC）与500V的集电极-发射极击穿电压（VCEO），适合在较高电压环境下稳定工作。其直流电流放大系数（HFE）为20至25，增益一致性较好，适用于中等功率放大与开关应用。器件常用于电源转换电路、电机驱动模块及各类功率控制装置中，能够可靠地实现信号切换与电流驱动功能，在持续负载和脉冲工作模式下均表现出良好的电气性能与热稳定性。

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型号：TL431ACLPR-HXY 编号：C50177040

封装：TO-92

该电压基准芯片可提供最高36V的输入电压耐受能力，基准输出电流达100mA，支持外部电阻对输出电压进行精确调节，适用于需要稳定参考电压的模拟与混合信号系统。其具备良好的温度稳定性和低动态输出阻抗，能够在宽输入范围内保持高精度输出。常用于电源管理、数据采集模块及ADC/DAC参考源电路中，适用于通信设备、便携式仪器及高精度电子装置中的可调稳压与基准参考应用。

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型号：SLO322512T1R5MTT 编号：C20624252

封装：1210

品牌：Sunltech(顺磁)

特性：金属材料,适用于大电流和低损耗。采用金属粉芯实现高性能 (Isat)。低 Rdc 实现低损耗。闭磁路设计,减少漏磁。乙烯基热喷涂,表面致密性更好。100% 无铅,符合 RoHS 标准。应用：DC/DC 转换器。平板电脑、智能手机。便携式游戏设备、智能穿戴设备、Wi-Fi 模块。笔记本电脑、VR、AR。LCD 显示器、硬盘驱动器、数码摄像机、数字信号处理器等。基础电源和电源供应、放大器、电源管理模块电源、相机电源管理

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型号：PTVSHC2EN4V5B-HXY 编号：C49317999

封装：DFN1610-2L

该静电和浪涌保护器件采用双向设计，支持160A峰值脉冲电流（IPP）的瞬态电压吸收能力，适用于需要较强抗干扰能力的电路环境。其反向工作电压为4.5V（VRWM），可在较宽电压范围内稳定运行。单通道设计结合300pF的结电容（CJ），适合用于低频信号线路或电源路径的保护。该器件广泛应用于消费类电子产品中的USB接口、电池管理模块以及各类通用电子设备的敏感电路中，提供高效、可靠的过压和静电放电防护功能。

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￥0.425885 ￥0.4483
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￥0.339245 ￥0.3571
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￥0.237405 ￥0.2499
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￥0.22439 ￥0.2362

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型号：FDC642P-VB 编号：C7463485

封装：TSOP-6

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.697765 ￥0.8209
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型号：FDC654P-VB 编号：C7463550

封装：TSOP-6

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.697765 ￥0.8209
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型号：KSMD3216-90N 编号：C50201843

封装：1206

品牌：KUU

GDT（气体放电管）放置在敏感电信设备（如电源线、通信线、信号线和数据传输线）的前面并与之并联，以帮助保护它们免受可能由雷击和设备开关操作引起的瞬态浪涌电压的损坏。这些设备在正常运行时不会影响信号。然而，在发生过电压浪涌（如雷击）时，GDT会切换到低阻抗状态，并将能量从敏感设备转移。GDT提供高水平的浪涌保护、宽电压范围、低电容，以及多种外形尺寸，包括新的表面贴装器件，这使其适用于主配线架（MDF）模块、高数据速率电信应用（如ADSL、VDSL）和电源线上的浪涌保护。其低电容还可减少信号失真。当与自恢复保险丝器件配合使用时，它们可以帮助设备制造商满足严格的安全法规标准。

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型号：SI3457CDV-T1-GE3-VB 编号：C7463623

封装：TSOP-6

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.910945 ￥1.0717
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￥0.80563 ￥0.9478
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￥0.760495 ￥0.8947
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￥0.70414 ￥0.8284
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￥0.628915 ￥0.7399
6000+
￥0.61387 ￥0.7222

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型号：AO4405-VB 编号：C709887

封装：SO-8