充电模块_厂家_价格_品牌_库存

特性：VCE = 1200 V。 IC = 50 A。最大结温 Tvjmax = 175°C。同类最佳的高速 IGBT，与全额定电流、低 Qrr 和软换向高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25°C 时）。针对高速硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）的高效率进行了优化。应用：工业 UPS。电动汽车充电

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￥39.58
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型号：IKY40N120CH3 编号：C536222

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H3技术提供:由于采用开尔文发射极引脚封装结合高速H3技术，具有超低开关损耗。在硬开关和谐振拓扑中具有高效率。在Tᵥⱼ = 175℃时具有10μs的短路耐受时间。由于VCE(sat)具有正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷QG。应用：工业不间断电源。充电器

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型号：F2800157EPHPRQ1 编号：C32369965

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

是经过成本优化的C2000实时微控制器系列的可扩展、超低延迟器件，旨在提高电力电子产品的效率。应用包括HVAC压缩机模块、前灯、直流/直流转换器、逆变器和电机控制、车载充电器(OBC)和无线充电器、泵、工业电机驱动、电机控制、数字电源、感应和信号调理。采用32位锁步双C28x CPU，使得该器件无需过多的软件开销即可成为ASILB级功能安全器件。实时控制子系统基于TI的32位C28x DSP内核，可针对从片上闪存或SRAM运行的浮点或定点代码提供120MHz的信号处理性能。三角函数加速器(TMU)和VCRC（循环冗余校验）扩展指令集进一步增强了C28x CPU的性能，从而加快了实时控制系统关键常用算法的速度。支持高达256KB(128KW)的闪存

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型号：RAA215300A2GNP#HA0 编号：C27485672

封装：QFN-56

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高性能、低成本的9通道PMIC，适用于32位和64位MCU和MPU应用。支持DDR3、DDR3L、DDR4和LPDDR4内存的电源要求。内部补偿稳压器、内置实时时钟（RTC）、32kHz晶体振荡器和纽扣电池充电器，提供高度集成、小尺寸的电源解决方案，适用于系统级模块（SOM）应用。扩频功能为对噪声敏感的音频或RF应用提供了易用的解决方案

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型号：IKY100N120CH7XKSA1 编号：C20191525

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 100 A。最高结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳高速IGBT，与全额定电流、低Qrr和软换相高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃时）。针对高速硬开关拓扑（2-L逆变器、3-L NPC T型等）的高效率进行了优化。应用：工业UPS。电动汽车充电

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￥79.49
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型号：NRVBM140T1G 编号：C730369

封装：DO-216AA

品牌：onsemi(安森美)

肖特基功率模块采用了肖特基势垒原理，结合势垒金属和外延结构，实现了正向压降和反向电流的最佳平衡。先进的封装技术使其成为高效、微型、节省空间的表面贴装整流器。其独特的散热片设计，使功率模块在占用面积比SMA小50%的情况下，具有相同的热性能，且高度低于1.1mm。由于尺寸小，它非常适合用于便携式和电池供电产品，如手机、无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、个人数字助理和PCMCIA卡等。典型应用包括AC-DC和DC-DC转换器、电池反向保护、多电源电压“或”操作以及任何对性能和尺寸要求严格的应用。

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￥1.97

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型号：NRVBM120LT1G 编号：C893715

封装：DO-216AA

品牌：onsemi(安森美)

肖特基功率模块采用带有势垒金属和外延结构的肖特基势垒原理，可实现最佳的正向压降-反向电流折衷。先进的封装技术提供了高效的微型、节省空间的表面贴装整流器。凭借其独特的散热片设计，功率模块的热性能与 SMA 相同，同时占地面积小 50%，并且具有行业内较低的高度，<1.1mm。由于其体积小，非常适合用于便携式和电池供电的产品，如手机、无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA 卡。典型应用包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器、反接电池保护以及多个电源电压的“或”功能，以及任何对性能和尺寸要求严格的应用。

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