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封装形式：1”X 1” 工作温度范围: -40℃ - +105℃ 隔离耐压：1500VDC 效率：92%具备输出过电流、输出过电压、输出短路保护机制 4:1超宽输入电压范围 应用领域：工业、电力、仪器仪表、通信、轨道交通等

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￥94.695 ￥126.26
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￥89.88 ￥119.84

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型号：URB2405S-10WR3 编号：C970774

封装：SIP,22x9.5mm

品牌：MORNSUN(金升阳)

特性：超宽4:1输入电压范围。高达88%的高效率。输入输出隔离测试电压1.5kV DC。高功率密度。输入欠压保护，输出短路、过流保护。工作环境温度范围：-40°C至+85°C至+105°C。应用：医疗保健。工业控制

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￥67.29
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￥55.2
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型号：T1100L-F 编号：C19724423

封装：SIP-6

两端隔离（信号输入、信号输出相互隔离）精度等级(0.3% F .S.)高线性度(0.1% F .S.)高隔离(输入、输出两端间3kVDC/60s)信号压降低（3Vtyp：输入 20mA 时）极低温漂(35PPM/℃)工业级(工作温度范围：-25℃ to +71℃)

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￥67.966 ￥79.96
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￥55.216 ￥64.96

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型号：URA2412LD-30WR3 编号：C5369830

封装：DIP,50.8x25.4mm

URA2412LD-30WR3品输出功率为30W, 4:1宽电压输入范围,效率高达91%, 1500VDC的常规隔离电压,允许工作温度40°C to +85°C,具有输入欠压保护,输出过压、过流短路保护功能，裸机满足CISPR32/EN55032 CLASSA，广泛应用于医疗工控、电力仪器仪。超低待机功耗：0.036W (典型值)超快速启动：1mS (典型值)工作温度范围：-40℃~+85℃输入欠压，输出短路，过流，过压保护金属外壳。

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￥76.1685 ￥89.61
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￥60.2225 ￥70.85

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型号：TPSM63610RDFR 编号：C7125816

封装：B3QFN-22(6.5x7.5)

品牌：TI(德州仪器)

源于同步降压模块系列，是高度集成的36-V、8-A DC/DC解决方案，在增强型HotRod™ QFN封装中集成了功率MOSFET、屏蔽电感和无源元件。模块的VIN和VOUT引脚位于封装角落，便于优化输入和输出电容的放置。模块下方的四个较大散热焊盘，使布局简单，便于制造操作。输出电压范围为1V至20V，旨在以小PCB尺寸快速轻松地实现低EMI设计

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￥76.28
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￥65.21
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￥58.46

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型号：URB2412YMD-20WR3 编号：C970759

封装：DIP,25.4x25.4mm

品牌：MORNSUN(金升阳)

20W隔离式DC-DC转换器，采用DIP封装，具有超宽输入和稳压单输出。该产品具有超宽4:1输入电压范围，效率高达91%，输入输出隔离测试电压为1.5kV DC，具备输入欠压保护、输出短路、过流、过压保护，工作环境温度范围为 -40°C至 +105°C，适用于工业控制、电力、仪器、通信和铁路应用。

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￥84.1
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￥81.1
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￥71.66

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型号：URB2412LD-50WR3 编号：C5369838

封装：DIP,50.8x25.4mm

支持100%全国产，URB24_LD-50WR3系列产品输出功率为 50W，4:1 超宽电压输入范围，效率高达 91%,1500VDC 常规隔离电压，允许工作温度-40℃ to +105℃，具有输入欠压保护，输出过压、过流、短路保护功能，广泛应用于工控、电力、仪器仪表、通信等领域。

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￥87.89 ￥103.4
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￥83.555 ￥98.3
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￥69.4875 ￥81.75

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型号：URB2424LD-60WR3 编号：C19724253

封装：DIP-6

封装形式：2”X 1"工作温度范围: -40℃ - +105℃ 隔离耐压：1600VDC 最高效率：93% 具备输入欠压保护，输出过短路、过流、过压保护机制 4:1超宽输入电压范围应用领域：工业、电力、仪器仪表、通信、轨道交通等

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￥97.75 ￥115
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￥92.65 ￥109

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型号：NEO-M9N-00B 编号：C5119087

封装：SMD-24P

品牌：U-BLOX

NEO-M9N-00B GNSS接收器采用了u-bloX M9标准精度GNSS平台。它为所有L1 GNSS系统提供了出色的灵敏度和捕获时间。u-bloX M9接收器有多种版本，适用于汽车和工业跟踪应用，如导航、远程信息处理和无人机。u-bloX M9接收器支持同时接收四种GNSS信号。大量的可见卫星使接收器能够选择最佳信号，从而在具有挑战性的条件下（如深城市峡谷）最大化定位精度。u-bloX M9接收器可以检测干扰和欺骗事件，并将这些事件报告给主机，允许系统对这些事件作出反应。先进的滤波算法减轻了RF干扰和干扰的影响，使产品能够按预期运行。NEO-M9N-00B支持主动GNSS带内滤波，可以在固定模式或自适应模式下工作，以跟踪和移除快速移动或扫频干扰源。与之前的u-bloX GNSS代相比，该接收器还提供了更高的导航速率和改进的安全特性。NEO-M9N-00B模块采用NEO封装形式，尺寸为12.2 X 16.0毫米的LCC封装。

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￥99.49
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￥96.98

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型号：URB4812YMD-40WR3 编号：C22750049

封装：插件,25.4x25.4mm

封装形式：1”X 1” 工作温度范围: -40℃ - +105℃ 隔离耐压：1500VDC 效率：92%具备输出过电流、输出过电压、输出短路保护机制 4:1超宽输入电压范围 应用领域：工业、电力、仪器仪表、通信、轨道交通等

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￥107.321 ￥126.26
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￥101.864 ￥119.84

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型号：URB4824YMD-40WR3 编号：C22750051

封装：插件,25.4x25.4mm

封装形式：1”X 1” 工作温度范围: -40℃ - +105℃ 隔离耐压：1500VDC 效率：92%具备输出过电流、输出过电压、输出短路保护机制 4:1超宽输入电压范围 应用领域：工业、电力、仪器仪表、通信、轨道交通等

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型号：LTM8068EY#PBF 编号：C581210

封装：BGA-38

具 LDO 后置稳压器的 3VIN 至 40VIN 隔离式 μModule DC/DC 转换器

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￥127.92
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￥121.47

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型号：SIM7600E 编号：C2995536

封装：SMD-87P

品牌：SIMCOM(芯讯通无线科技)

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￥153.41
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型号：LTM8027EV#PBF 编号：C108026

封装：LGA-113(15x15)

60V、4A DC/DC μModule 稳压器

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￥185.09
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￥175.61

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型号：LTM8049IY#PBF 编号：C581196

封装：BGA-77

双路 SEPIC 或负输出 μModule DC/DC 转换器

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￥211.16
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型号：LTM4620AIV#PBF 编号：C471410

封装：LGA-144(15x15)

双通道 13A 或单通道 26A DC/DC μModule 稳压器

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￥359.09
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￥329.39
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￥313.2

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型号：IXGF30N400 编号：C3093671

封装：ISOPLUS-I4-5.0mm

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：硅芯片采用直接铜键合（DCB）基板。隔离安装表面。4000V电气隔离。高脉冲电流能力。低饱和电压。模塑环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。应用：电容器放电。脉冲电路

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￥526.11
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￥500.45

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型号：MCR100-8 编号：C5184437

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款专业级单向可控硅采用小型SOT-23封装，专为高效空间利用设计。器件耐压高达600V，在A1档位工作时电流范围为15-30A，表现出色。具有低触发门极电流Igt仅为200uA，确保在各种应用中实现精确控制与快速响应。适用于调光、电机控制和电源开关等场合，是您电路保护和功率调节的理想选择。

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20+
￥0.1833 ￥0.195
200+
￥0.148332 ￥0.1578
600+
￥0.128874 ￥0.1371
3000+
￥0.102742 ￥0.1093
9000+
￥0.09259 ￥0.0985
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￥0.087232 ￥0.0928

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型号：ESLM3401 编号：C42420758

封装：SOT-23

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA P沟道,-30V,-4.5A,40mΩ@-10V

20+
￥0.2128
200+
￥0.1669
600+
￥0.1414
3000+
￥0.1261
9000+
￥0.1128

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型号：2N6027G-T92-B 编号：C171557

封装：TO-92

品牌：UTC(友顺)

UTC 2N6027 是一款可编程单结晶体管，它采用 UTC 的先进技术，为客户提供低正向电压、低栅极至阳极漏电流、低失调电压和高峰值输出电压等特性。UTC 2N6027 适用于定时、晶闸管触发、振荡器和脉冲电路等。

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￥0.6528
50+
￥0.5215
150+
￥0.4558
500+
￥0.4066
2000+
￥0.3535
4000+
￥0.3338

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型号：ESGNH10R90 编号：C42412302

封装：PDFN-8L(3x3)

ESGNH10R90 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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￥0.9944
50+
￥0.8684
150+
￥0.8144
500+
￥0.747
2500+
￥0.717

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型号：BT151S-650R 编号：C916491

封装：TO-252(DPAK)

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

可控硅晶闸管大量应用家用电器，电源等领域

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￥1.0132
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￥0.7864
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￥0.6892
500+
￥0.568
2500+
￥0.5275

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型号：Z0103MN5AA4 编号：C163595

封装：SOT-223

品牌：ST(意法半导体)

1A 双向可控硅贴片

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￥1.2408
50+
￥0.9618
150+
￥0.8423
1000+
￥0.6931
2000+
￥0.6267

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型号：AON6407(ES) 编号：C42412354

封装：PDFN-8L(5x6)

AON6407(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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￥1.4668
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￥1.2778
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￥1.1968
500+
￥1.0957
2500+
￥1.0507
5000+
￥1.0237

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型号：AON6484(ES) 编号：C42412245

封装：PDFN-8L(5x6)