W9825G6KH-6
- 厂商名称Winbond
- 元件分类DDR存储器
- 中文描述Winbond 256Mbit 166MHz SDRAM，32M x 8 bit，54引脚TSOP封装
- 英文描述DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II
- 数据手册W9825G6KH-6数据手册Datasheet PDF
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W9825G6KH-6概述
W9825G6KH是256M SDRAM，速度为-5/-5I/-6/-6I/-6J/-6L/-6A/-6K/-75/75J/75L。
3.3V±0.3V电源，
最高200 MHz时钟频率
4，194，304字x 4组x 16位组织
自我刷新模式：标准和低功耗
CAS延迟：2和3
突发长度：1、2、4、8和整页
突发
LDQM，UDQM
掉电模式
自动预充电和受控预充电控制的读，单写模式字节数据
8K刷新周期/64 mS， -40°C≦TA/TCASE≦85°C
8K刷新周期/16 mS， 85°C<TA/TCASE≦105°C
接口：LVTTL
不支持TA/TCASE>85°C的自刷新功能
3.3V±0.3V电源，
最高200 MHz时钟频率
4，194，304字x 4组x 16位组织
自我刷新模式：标准和低功耗
CAS延迟：2和3
突发长度：1、2、4、8和整页
突发
LDQM，UDQM
掉电模式
自动预充电和受控预充电控制的读，单写模式字节数据
8K刷新周期/64 mS， -40°C≦TA/TCASE≦85°C
8K刷新周期/16 mS， 85°C<TA/TCASE≦105°C
接口：LVTTL
不支持TA/TCASE>85°C的自刷新功能
W9825G6KH-6中文参数
| 存储器大小 | 256Mbit | 尺寸 | 22.35 x 10.29 x 1.05mm |
| 组织 | 32M x 8 bit | 高度 | 1.05mm |
| 数据速率 | 166MHz | 长度 | 22.35mm |
| 每字组的位元数目 | 8Bit | 最小工作电源电压 | 3 V |
| 字组数目 | 32M | 最高工作温度 | +85 °C |
| 安装类型 | 表面贴装 | 最大工作电源电压 | 3.6 V |
| 封装类型 | TSOP | 宽度 | 10.29mm |
| 引脚数目 | 54 | 最低工作温度 | -40 °C |
W9825G6KH-6引脚图
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