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W25Q32JVSSIQ

W25Q32JVSSIQ

  • 厂商名称WINBOND(华邦)
  • 元件分类FLASH存储器
  • 中文描述Winbond闪存,32Mbit(4M x 8),SPI接口,8引脚SOIC封装
  • 英文描述NOR Flash Serial(SPI,Dual SPI,Quad SPI)3V/3.3V 32M-bit 4M x 8 6ns 8-Pin SOIC T/R
  • 数据手册W25Q32JVSSIQ数据手册Datasheet PDF
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W25Q32JVSSIQ概述

32 MB串行闪存,具有统一的4 KB扇区和双路/四路SPI

单路/双路/四路SPI操作

统一的4 KB可擦除扇区和32 KB/64 KB可擦除块

16,384页(256字节),页编程时间为0.7 mS(典型值)

连续读取,8/16/32/64字节包绕

时钟工作频率高达133 MHz(双路/四路SPI时分别为266/532 MHz)

2.7至3.6 V电源

4mA有源读取电流、<1μA断电电流

-40°C至+85°C工作范围

编程/擦除暂停/恢复、暂停状态位

工厂编程的唯一ID

具有双路/四路SPI的电子ID,为顶部或底部块提供硬件和软件写入保护

易失和非易失状态寄存器位

锁定和OTP保护

串行闪存可发现参数(SFDP)

3 x 256字节安全寄存器,带OTP锁

补充阵列保护位

单个块/扇区写入保护

软件重置和可配置硬件/复位引脚

可编程输出驱动器强度

W25Q32JVSSIQ中文参数

存储器大小 32Mbit 长度 5.38mm
接口类型 SPI 高度 1.91mm
封装类型 SOIC 宽度 5.38mm
引脚数目 8 尺寸 5.38 x 5.38 x 1.91mm
组织 4M x 8 最高工作温度 +85 °C
安装类型 表面贴装 最低工作温度 -40 °C
最小工作电源电压 2.7 V 字组数目 4M
最大工作电源电压 3.6 V 每字组的位元数目 8Bit

W25Q32JVSSIQ引脚图

W25Q32JVSSIQ引脚图和PCB焊盘图

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