SI2301CDS-T1-GE3
- 厂商名称Vishay
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，P沟道，20 V，3.1 A，0.09 ohm，SOT-23，表面安装
- 英文描述P-CH MOSFET SOT-23 20V 112MOHM 4.5V-LEAD(PB)AND HALOGEN FREE
- 数据手册SI2301CDS-T1-GE3数据手册Datasheet PDF
- 在线购买
SI2301CDS-T1-GE3概述
SI2301CDS-T1-GE3是20VDSTrenchFET®P通道增强模式功率MOSFET，适用于负载开关应用。
无卤素
-55至150°C工作温度范围
应用
工业，电源管理
无卤素
-55至150°C工作温度范围
应用
工业，电源管理
SI2301CDS-T1-GE3中文参数
| 通道类型 | P | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 2.3 A | 最大栅源电压 | -8 V、+8 V |
| 最大漏源电压 | 20 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | SOT-23 | 晶体管材料 | Si |
| 安装类型 | 表面贴装 | 长度 | 3.04mm |
| 引脚数目 | 3 | 宽度 | 1.4mm |
| 最大漏源电阻值 | 112 mΩ | 最低工作温度 | -55 °C |
| 通道模式 | 增强 | 典型栅极电荷@Vgs | 3.3 nC @ 2.5 V，5.5 nC @ 4.5 V |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V | 高度 | 1.02mm |
| 最大功率耗散 | 860 mW | 最高工作温度 | +150 °C |
SI2301CDS-T1-GE3引脚图
爆款物料推荐
型号
价格