IRF3710PBF
- 厂商名称英飞凌
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管,MOSFET,N沟道,100 V,46 A,0.023 ohm,TO-220AB,通孔
- 英文描述Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube
- 数据手册IRF3710PBF数据手册Datasheet PDF
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IRF3710PBF概述
IRF3710PBF是一款100V单N通道高级HEXFET®功率MOSFET，它利用先进的处理技术来实现每硅面积的极低导通电阻。这种好处与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种非常有效和可靠的器件，可用于多种应用。
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态dV/dt额定值
完全雪崩等级
175°C工作温度
应用
电源管理
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态dV/dt额定值
完全雪崩等级
175°C工作温度
应用
电源管理
IRF3710PBF中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 57 A | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 100 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | TO-220AB | 最低工作温度 | -55 °C |
| 安装类型 | 通孔 | 系列 | HEXFET |
| 引脚数目 | 3 | 高度 | 8.77mm |
| 最大漏源电阻值 | 23 mΩ | 晶体管材料 | Si |
| 通道模式 | 增强 | 长度 | 10.54mm |
| 最大栅阈值电压 | 4V | 典型栅极电荷@Vgs | 130 nC @ 10 V |
| 最小栅阈值电压 | 2V | 宽度 | 4.69mm |
| 最大功率耗散 | 200 W | 最高工作温度 | +175 °C |
IRF3710PBF引脚图
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