FDV301N
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，25 V，220 mA，3.1 ohm，SOT-23，表面安装
- 英文描述Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
- 数据手册FDV301N数据手册Datasheet PDF
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FDV301N概述
FDV301N是一款表面安装N沟道逻辑电平增强模式数字FET，SOT-23封装.此设备具有高密度，DMOS技术，专门设计用于减少导通电阻并保持低栅极电荷，已提供出色的开关性能，这一N通道FET可替代几个不同的数字晶体管，带有不同的偏置电阻值.FDV301N适用于低电压与电源管理应用.
漏-源电压(Vds):25V
栅-源电压:8V
持续漏极电流(ld):220mA
功耗:350mW
Vgs 4.5V时，低导通电阻值3.1ohm
运行温度范围-55°C至150°C
应用
电源管理，消费电子产品，便携式器材，工业
漏-源电压(Vds):25V
栅-源电压:8V
持续漏极电流(ld):220mA
功耗:350mW
Vgs 4.5V时，低导通电阻值3.1ohm
运行温度范围-55°C至150°C
应用
电源管理，消费电子产品，便携式器材，工业
FDV301N中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 500 mA | 最大栅源电压 | +8 V |
| 最大漏源电压 | 25 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | SOT-23 | 高度 | 0.93mm |
| 安装类型 | 表面贴装 | 宽度 | 1.3mm |
| 引脚数目 | 3 | 正向二极管电压 | 1.2V |
| 最大漏源电阻值 | 9 Ω | 典型栅极电荷@Vgs | 0.49 nC @ 4.5 V |
| 通道模式 | 增强 | 长度 | 2.92mm |
| 最大栅阈值电压 | 1.06V | 最高工作温度 | +150 °C |
| 最小栅阈值电压 | 0.7V | 晶体管材料 | Si |
| 最大功率耗散 | 350 mW | 最低工作温度 | -55 °C |
FDV301N引脚图
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