UCD7242RSJT

UCD7242是一个完整的电源系统，可驱动两个独立的降压电源。高压侧MOSFET、低压侧MOSFET、驱动器、电流检测电路和必要的保护功能都集成在一个单片解决方案中，以实现最小尺寸和最高效率。驱动器电路为同步降压电路中的高压侧NMOS开关和低压侧NMOS同步整流器提供高充电和放电电流。MOSFET栅极由内部稳压VGG电源驱动至+6.25 V。内部VGG稳压器可以禁用，允许用户提供独立的栅极驱动电压。这种灵活性允许2.2V至18V的宽电源转换输入电压范围。内部欠压锁定（UVLO）逻辑可确保VGG处于良好状态，然后才允许芯片运行。

同步整流器使能（SRE）引脚控制PWM信号为低电平时低端MOSFET是否开启。当SRE为高电平时，芯片在所有负载下均以连续导通模式工作。在该模式下，驱动逻辑块使用PWM信号控制高压侧和低压侧栅极驱动信号。死区时间也进行了优化，以防止交叉导通。当SRE为低电平时，该器件在轻负载时工作在不连续导通模式。在这种模式下，低端MOSFET始终保持关断。

板载比较器监控通过高压侧开关的电流，以保护功率级免受突然大电流负载的影响。高压侧比较器设置了消隐延迟，以避免开关边沿噪声造成误报。在发生过流故障时，高压侧FET将关闭，故障标志(FLT)将发出警报，提醒控制器注意。

MOSFET电流由精密集成电流检测元件测量和监控。这种方法可在大部分负载范围内提供±5%的精度。经过放大的信号可在IMON引脚上供控制器使用。

片上温度感应器将芯片温度转换为TMON引脚上的电压，供控制器使用。如果芯片温度超过170°C，温度传感器会启动热关断，停止输出开关并设置FLT标志。当芯片温度低于热滞后带时，将恢复正常运行。