RFP50N06
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，60 V，50 A，0.022 ohm，TO-220AB，通孔
- 英文描述Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB
- 数据手册RFP50N06数据手册Datasheet PDF
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RFP50N06概述
RFP50N06是采用MegaFET工艺的60V N沟道功率MOSFET。该工艺使用的特征尺寸接近LSI集成电路的特征尺寸，从而可以最佳地利用硅，从而实现出色的性能。MOSFET专为开关稳压器，开关转换器，电机驱动器和继电器驱动器等应用而设计。该晶体管可以直接从集成电路进行操作。该产品是一般用途，适用于许多不同的应用程序。
温度补偿PSPICE®模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定曲线
175°C的额定结温
应用
电源管理，电机驱动与控制
温度补偿PSPICE®模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定曲线
175°C的额定结温
应用
电源管理，电机驱动与控制
RFP50N06中文参数
| 通道类型 | N | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大连续漏极电流 | 50 A | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电压 | 60 V | 晶体管材料 | Si |
| 封装类型 | TO-220AB | 典型栅极电荷@Vgs | 125 nC @ 20 V |
| 安装类型 | 通孔 | 宽度 | 4.83mm |
| 引脚数目 | 3 | 长度 | 10.67mm |
| 最大漏源电阻值 | 22 mΩ | 高度 | 9.4mm |
| 通道模式 | 增强 | 最高工作温度 | +175 °C |
| 最小栅阈值电压 | 2V | 系列 | MegaFET |
| 最大功率耗散 | 131 W | 最低工作温度 | -55 °C |
| 晶体管配置 | 单 |
RFP50N06引脚图
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