FQP30N06L
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述<span>功率场效应管，MOSFET，N沟道，60 V，32 A，0.027 ohm，TO-220AB，通孔</span>
- 英文描述Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab)TO-220 Tube
- 数据手册FQP30N06L数据手册Datasheet PDF
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FQP30N06L概述
FQP30N06L是QFET®N沟道增强型功率MOSFET，采用平面条带和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术专门用于降低导通电阻并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。
低栅极电荷
100%雪崩测试
低crss（典型值50pF）
±20V栅源电压
应用
电源管理，电机驱动与控制
低栅极电荷
100%雪崩测试
低crss（典型值50pF）
±20V栅源电压
应用
电源管理，电机驱动与控制
FQP30N06L中文参数
| 通道类型 | N | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大连续漏极电流 | 32 A | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电压 | 60 V | 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装类型 | TO-220 | 典型栅极电荷@Vgs | 15 nC @ 5 V |
| 安装类型 | 通孔 | 长度 | 10.67mm |
| 引脚数目 | 3 | 系列 | QFET |
| 最大漏源电阻值 | 45 mΩ | 最高工作温度 | +175 °C |
| 通道模式 | 增强 | 晶体管材料 | Si |
| 最小栅阈值电压 | 1V | 宽度 | 4.7mm |
| 最大功率耗散 | 79 W | 高度 | 16.3mm |
| 晶体管配置 | 单 |
FQP30N06L引脚图
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