IRFP250NPBF
- 厂商名称Infineon
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，200 V，30 A，0.075 ohm，TO-247AC，通孔
- 英文描述N-channel MOSFET，IRFP250N 30A 200V 190W
- 数据手册IRFP250NPBF数据手册Datasheet PDF
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IRFP250NPBF概述
IRFP250NPBF是采用TO-247AC封装的200V单N沟道HEXFET功率MOSFET。该MOSFET具有每硅面积极低的导通电阻、动态dv/dt额定值、易于并联、坚固、快速开关、简单的驱动要求和完全雪崩额定值，众所周知，功率MOSFET可提供极高的效率和可靠性，可以可用于各种应用。
200V的漏源电压(Vds)
栅源电压±20V
导通电阻Rds(on)为75mohm at Vgs 10V
25°C时的功耗Pd为214W
在Vgs 10V和25°C下连续漏极电流Id为30A
工作结温范围为-55°C至175°C
200V的漏源电压(Vds)
栅源电压±20V
导通电阻Rds(on)为75mohm at Vgs 10V
25°C时的功耗Pd为214W
在Vgs 10V和25°C下连续漏极电流Id为30A
工作结温范围为-55°C至175°C
IRFP250NPBF中文参数
晶体管极性:N沟道
漏源电压，Vds:200V
电流，Id连续:30A
在电阻RDS（上）:0.075欧姆
晶体管封装类型:TO-247AC
晶体管安装:通孔
电压 Rds测量:10V
阈值电压Vgs:4V
功耗Pd:214W
针脚数:3引脚
工作温度最高值:175°C
漏源电压，Vds:200V
电流，Id连续:30A
在电阻RDS（上）:0.075欧姆
晶体管封装类型:TO-247AC
晶体管安装:通孔
电压 Rds测量:10V
阈值电压Vgs:4V
功耗Pd:214W
针脚数:3引脚
工作温度最高值:175°C
IRFP250NPBF引脚图
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