IRFP250MPBF
- 厂商名称Infineon
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，200 V，30 A，0.075 ohm，TO-247AC，通孔
- 英文描述MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
- 数据手册IRFP250MPBF数据手册Datasheet PDF
- 在线购买
IRFP250MPBF概述
Infineon的分立HEXFET®功率MOSFET系列包括表面安装和引线封装的N通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
单N沟道HEXFET®功率MOSFET
先进的工艺技术
快速切换
完全雪崩等级
动态dv/dt等级
易于并行
简单的驱动要求
用于宽SOA的平面单元结构
符合JEDEC标准的产品认证
针对高功率密度
单N沟道HEXFET®功率MOSFET
先进的工艺技术
快速切换
完全雪崩等级
动态dv/dt等级
易于并行
简单的驱动要求
用于宽SOA的平面单元结构
符合JEDEC标准的产品认证
针对高功率密度
IRFP250MPBF中文参数
晶体管极性:N沟道
漏源电压，Vds:200V
电流，Id连续:30A
在电阻RDS（上）:0.075欧姆
晶体管封装类型:TO-247AC
晶体管安装:通孔
电压 Rds测量:10V
阈值电压Vgs:4V
功耗Pd:214W
针脚数:3引脚
工作温度最高值:175°C
产品范围:HEXFET系列
漏源电压，Vds:200V
电流，Id连续:30A
在电阻RDS（上）:0.075欧姆
晶体管封装类型:TO-247AC
晶体管安装:通孔
电压 Rds测量:10V
阈值电压Vgs:4V
功耗Pd:214W
针脚数:3引脚
工作温度最高值:175°C
产品范围:HEXFET系列
IRFP250MPBF引脚图
爆款物料推荐
型号
价格