FQP50N06
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，60 V，50 A，0.022 ohm，TO-220，通孔
- 英文描述Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab)TO-220 Tube
- 数据手册FQP50N06数据手册Datasheet PDF
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FQP50N06概述
FQP50N06是一款60V N沟道QFET®增强模式功率MOSFET，采用平面条纹和DMOS技术生产。这项先进技术经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻，提供出色的开关性能并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。该器件非常适合基于半桥拓扑的高效开关电源，有源功率因数校正和电子灯镇流器。该器件非常适合低压应用，例如DC/DC转换器，便携式和电池供电产品的高效开关。该产品是一般用途，适用于许多不同的应用程序。
低栅极电荷
经过100％雪崩测试
改进的dv/dt功能
开关损耗改善
降低传导损耗
最高结温175°C
低栅极电荷
经过100％雪崩测试
改进的dv/dt功能
开关损耗改善
降低传导损耗
最高结温175°C
FQP50N06中文参数
| 通道类型 | N | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大连续漏极电流 | 52 A | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电压 | 60 V | 宽度 | 4.7mm |
| 封装类型 | TO-220AB | 高度 | 9.4mm |
| 安装类型 | 通孔 | 系列 | QFET |
| 引脚数目 | 3 | 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大漏源电阻值 | 21 mΩ | 晶体管材料 | Si |
| 通道模式 | 增强 | 长度 | 10.1mm |
| 最小栅阈值电压 | 1V | 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 121 W | 典型栅极电荷@Vgs | 24.5 nC @ 5 V |
| 晶体管配置 | 单 |
FQP50N06引脚图
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