FDD8896
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，30 V，94 A，0.0047 ohm，TO-252AA，表面安装
- 英文描述Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab)DPAK T/R
- 数据手册FDD8896数据手册Datasheet PDF
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FDD8896概述
FDD8896是使用PowerTrench®工艺生产的N沟道MOSFET。它是专门为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC-DC转换器的整体效率而设计的。它针对低栅极电荷，低RDS（ON）和快速开关速度进行了优化。
高性能Trench技术可实现极低的RDS（ON）
低栅极电荷
高功率和电流处理能力
高性能Trench技术可实现极低的RDS（ON）
低栅极电荷
高功率和电流处理能力
FDD8896中文参数
| 通道类型 | N | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大连续漏极电流 | 94 A | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电压 | 30 V | 最高工作温度 | +175 °C |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | 长度 | 6.73mm |
| 安装类型 | 表面贴装 | 宽度 | 6.22mm |
| 引脚数目 | 3 | 晶体管材料 | Si |
| 最大漏源电阻值 | 9 mΩ | 系列 | PowerTrench |
| 通道模式 | 增强 | 最低工作温度 | -55 °C |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V | 典型栅极电荷@Vgs | 46 nC @ 10 V |
| 最大功率耗散 | 80 W | 高度 | 2.39mm |
| 晶体管配置 | 单 |
FDD8896引脚图
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