BSS84
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，P沟道，50 V，130 mA，1.2 ohm，SOT-23，表面安装
- 英文描述Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
- 数据手册BSS84数据手册Datasheet PDF
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BSS84概述
Fairchild公司的BSS84为P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，SOT-23封装.这一产品设计以最小化通导电阻，同时提供坚固耐用，可靠并高速的开关性能，因此BSS84适合低电压，低电流和开关应用.
电压控制P通道小信号开关
高密电池设计，用于极低RDS(ON)
高饱和电流
漏极至源极电压(Vds):-50V
栅源电压:±20V
Vgs 10V，低通导电阻:3.5ohm
持续漏电流:-130mA
最大功率耗散:360mW
工作结温范围:-55°C至150°C
应用
电源管理，工业，便携式器材，消费电子产品
电压控制P通道小信号开关
高密电池设计，用于极低RDS(ON)
高饱和电流
漏极至源极电压(Vds):-50V
栅源电压:±20V
Vgs 10V，低通导电阻:3.5ohm
持续漏电流:-130mA
最大功率耗散:360mW
工作结温范围:-55°C至150°C
应用
电源管理，工业，便携式器材，消费电子产品
BSS84中文参数
| 通道类型 | P | 最大功率耗散 | 250 mW |
| 最大连续漏极电流 | 130 mA | 晶体管配置 | 单 |
| 最大漏源电压 | 50 V | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 封装类型 | SOT-23 (TO-236AB) | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 | 最低工作温度 | -65 °C |
| 引脚数目 | 3 | 宽度 | 1.4mm |
| 最大漏源电阻值 | 10 Ω | 高度 | 1mm |
| 通道模式 | 增强 | 晶体管材料 | Si |
| 最大栅阈值电压 | 2V | 最高工作温度 | +150 °C |
| 最小栅阈值电压 | 0.8V | 长度 | 3mm |
BSS84引脚图
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