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BSS84

厂商名称：ON安森美

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，P沟道，50 V，130 mA，1.2 ohm，SOT-23，表面安装

英文描述：

Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R

数据手册：

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BSS84概述

Fairchild公司的BSS84为P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，SOT-23封装.这一产品设计以最小化通导电阻，同时提供坚固耐用，可靠并高速的开关性能，因此BSS84适合低电压，低电流和开关应用.

电压控制P通道小信号开关

高密电池设计，用于极低RDS(ON)

高饱和电流

漏极至源极电压(Vds):-50V

栅源电压:±20V

Vgs 10V，低通导电阻:3.5ohm

持续漏电流:-130mA

最大功率耗散:360mW

工作结温范围:-55°C至150°C

应用

电源管理，工业，便携式器材，消费电子产品

BSS84中文参数

通道类型	P	最大功率耗散	250 mW
最大连续漏极电流	130 mA	晶体管配置	单
最大漏源电压	50 V	最大栅源电压	-20 V、+20 V
封装类型	SOT-23 (TO-236AB)	每片芯片元件数目	1
安装类型	表面贴装	最低工作温度	-65 °C
引脚数目	3	宽度	1.4mm
最大漏源电阻值	10 Ω	高度	1mm
通道模式	增强	晶体管材料	Si
最大栅阈值电压	2V	最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	0.8V	长度	3mm