BSS123
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，100 V，170 mA，1.2 ohm，SOT-23，表面安装
- 英文描述Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R<br />
- 数据手册BSS123数据手册Datasheet PDF
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BSS123概述
BSS123为N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，SOT-23封装.这一产品设计以最小化通导电阻，同时提供坚固耐用，可靠并高速的开关性能，因此BSS123适合低电压，低电流应用，如小型伺服电机控制，功率MOSFET栅极驱动器和其它开关应用.
漏极至源极电压:100V
栅-源电压：±20V
低通导电阻:1.2ohm，Vgs 10V
连续漏电流:170mA
最大功率耗散:360mW
工作结温范围:-55°C至150°C
应用
电源管理，工业，便携式器材，消费电子产品
漏极至源极电压:100V
栅-源电压：±20V
低通导电阻:1.2ohm，Vgs 10V
连续漏电流:170mA
最大功率耗散:360mW
工作结温范围:-55°C至150°C
应用
电源管理，工业，便携式器材，消费电子产品
BSS123中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 170 mA | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 100 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | SOT-23 | 晶体管材料 | Si |
| 安装类型 | 表面贴装 | 最低工作温度 | -55 °C |
| 引脚数目 | 3 | 高度 | 0.94mm |
| 最大漏源电阻值 | 6 Ω | 宽度 | 1.3mm |
| 通道模式 | 增强 | 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大栅阈值电压 | 2.8V | 长度 | 2.9mm |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
BSS123引脚图
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