据韩媒报道，三星电子计划于2月中旬开始量产其第六代高带宽存储器HBM4，并有望于农历新年后交付。
其初始市场份额预计在20%，三星有望成为首位HBM4的供应商。
据韩联社报道，三星的HBM4数据传输速度高达11.7Gbps，远超JEDEC标准的8Gbps，比基准快 37%，比之前的 HBM3E（9.6Gbps）快 22%。
不过真正的关键在于后续的产能。
报道称，英伟达 Rubin 平台的客户交付将于 2026 年 8 月开始。
图源：《电子时报》
为此，三星已提高HBM4 测试样品的供应量，并且在韩国平泽四厂（P4）大规模增设10nm 第六代（1c） DRAM产线，规划到2027年第1季在P4中建构1c DRAM新产线，规划月产能12万片。
作为对比，三星电子在 2026 年的月均 DRAM 产能为 66 万片晶圆，也就是说，新产线将占据了总产能的约20%。如果加上现有的6.5万片晶圆 1c DRAM 月产能，到时候HBM4将占据约三星 DRAM 产能的25%。
在配套的HBM4 Base Die方面，平泽S5的 4nm 生产线已全面投产，为量产提供支撑。
此外，三星还计划将华城 Fab17 的部分DRAM产线升级至1c制程，以满足移动设备、家电等对先进通用内存的需求。
图源：News1
与此同时，SK海力士也正在加速量产 10nm 第五代（1b）DRAM，并将其应用于第六代 HBM4 产品，最快有望在本月启动大规模量产，目标规模高达 10 亿颗DRAM。
为满足英伟达对 HBM4 的需求，SK 海力士正于M15X工厂新增相当于每月4 万片晶圆的产能，并计划在M16工厂进行工艺转换，预计在今年年底前完成。
其实早在去年9 月，SK海力士已宣布建立业内首个 HBM4 量产体系。
但业内分析指出，英伟达提高了数据传输速度等性能要求，SK 海力士不得不多次进行设计调整，因此其节奏比预期要慢。
相比之下，三星方面强调，其 HBM4 “从研发初期到现在无需重新设计即可满足性能要求”，试图在技术成熟度上占据主动。
图源：SK海力士
据悉2025年度的HBM4供货合同已基本敲定，SK海力士获得了最大份额，约为50%左右，三星获得20%左右。
谁能先交付完全符合英伟达性能标准、且具备规模化量产能力的HBM4产品，就意味着谁在时长竞争中占据更有利的地位。
不过三星和SK海力士的优势不一样。三星在单通道DRAM架构和系统性能方面更具优势。而SK海力士则在良率上更好。
由于HBM4单颗产品集成多达12颗先进DRAM芯片，任何一颗DRAM的良率波动，都会被成倍放大。
如果单颗DRAM良率低于90%，HBM4的整体良率显著下降，将直接影响成本、定价能力以及 HBM 业务的最终收入表现。
