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工程师朋友们,今天我们要隆重介绍一下这款芯片,它是国产超低噪声、超高电源抑制比LDO的经典之作,非常适合用于对噪声极度敏感的应用场景,如:红外成像、医疗电子、超低噪声仪表、射频电源等。
它就是英彼森半导体的IBSP303x系列芯片:
如果你使用过LDO芯片就知道,我们评估一款高性能LDO芯片有3个标准:首先是电源对噪声的抑制比;其次是LDO自身的输出噪声以及对于负载变化的瞬态相应能力,最后是在高精密传感器应用中,温度漂移是否足够小。
我们以对噪声极度敏感的红外成像应用为例,对比国外顶尖竞品ADI公司的LT3042以及英彼森的3030芯片,可以发现,在使用3030芯片时,红外成像效果呈现无噪点、无水波纹的优秀画质,这意味着该款芯片在综合性能上丝毫不逊于国际顶尖竞品,甚至在一些低压差的场景下,其表现更优。
从性能指标来看,英彼森半导体的IBSP3030芯片可以提供2.4V到20V的宽输入电压范围,输出可调,带载能力在200mA,它可以提供低至1.5uV的积分噪声、高至近120dB的低频电源抑制能力,而且在高带宽1MHz上仍然保持近80dB的电源抑制能力,在负载从零到200mA跳变的时候,3030芯片只需要4uS的恢复时间。综合性能表现在所有低噪声LDO芯片中绝对是顶配,堪称LDO中的战斗机。
我们接着谈LDO中的战斗机,实际案例经验分享。我们的3030芯片在测试验证的过程中,收集了超过30家客户的典型应用条件,并且在实验室完全覆盖场景验证。该款芯片在大批量量产前,严格按照汽车电子的设计要求,经历了长达5000次的批量热插拔实验、-50度到150度的极限高低温测试、1000个小时的加速老化测试,顺利通过了严苛的可靠性验证环节。
英彼森电性能测试实验室
英彼森可靠性测试实验室
我们的某安防大客户,过去都是使用国外的LDO芯片,正好有个项目要寻求国产化替代,一直找不到合适的器件,时间迫在眉睫,很是苦恼。我们杭州团队长期的跟进这次终于等到了机会,当我们推荐这款英彼森半导体的IBSP3030用于测试时,完美的匹配帮助客户提前完成了项目,整个过程我们技术支持工程师细致的配合和及时的服务也得到一致好评。3030芯片就是凭着以上说的优秀性能,才能留得住广大客户的“味觉“。
如此难得的产品,在价格和供货速度上也有非常大的优势,英彼森非常乐意在实现国产化的道路上能够帮到客户!
CR2450/锂离子电池 | 18.24 | |
STM32F407VET6/单片机(MCU/MPU/SOC) | 12.65 | |
TPS5430DDAR/DC-DC电源芯片 | 1.25 | |
MPU-6050/姿态传感器/陀螺仪 | 40.37 | |
MAX485ESA+T/RS-485/RS-422芯片 | 3.4 | |
W25Q128JVSIQ/NOR FLASH | 2.39 | |
TAJA106K016RNJ/钽电容 | 0.355 | |
GRM21BR61H106KE43L/贴片电容(MLCC) | 0.239868 | |
SP3485EN-L/TR/RS-485/RS-422芯片 | 0.8061 | |
IR2104STRPBF/栅极驱动芯片 | 1.84 |
56万现货SKU
品类不断扩充中
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