全球半导体竞争焦点——第三代半导体

2023年以碳化硅、氮化镓宽禁带化合物为代表的第三代半导体，依然是全球半导体市场争夺的焦点。随着碳化硅功率器件材料成本的逐年下降和产品良率的快速提升，除在新能源汽车、风电、光伏、大功率工业电源产品中得到了广泛的应用外。家电变频、LED商显、手机笔电的快充头也开始大规模的采用。2023年，将是碳化硅功率器件高速发展，也是各大品牌抢占核心市场的一年。围绕国家碳中和、碳达峰目标，国家对供应链安全的考量、政策支持和资本市场的活跃，2023年第三代半导体将迎来重要的发展机遇。

碳化硅功率器件——国产替代空间广阔

综览全球第三代半导体产业的发展，碳化硅市场目前已形成了供不应求与国产替代的产业竞争格局，目前国际大厂 600-1700V 碳化硅SBD、MOSFET均已实现量产，而国内碳化硅 MOSFET 器件制造平台仍在搭建中，部分公司的产线仍处于计划阶段。碳化硅产品的竞争空间及国产替代空间广阔。

第三代半导体核心研发企业之一

瑞森半导体专注于功率半导体器件及功率IC的研发、设计、销售，为全球客户提供功率半导体整体解决方案。公司专注于高质、高性能、高稳定的产品研发，核心研发第三代半导体技术，并成立瑞森半导体科技（湖南）有限公司，与湖南大学创建“湖南大学半导体学院产教融合基地”，深度进行第三代半导体技术的创新研发。是国内少数第三代半导体SiC SBD及MOSFET成功量产的企业之一，品质、性能对标国际一线品牌，实现国产替代。

瑞森半导体于2018年开始研究、设计碳化硅功率器件，2019年推出650V 碳化硅二极管系列，2020年又推出了1200V碳化硅二极管和MOS管，是国内较早一批致力于碳化硅产品研发的企业之一，经过多年的产品开发和技术升级，不断推陈出新，2022年成功推出薄片工艺碳化硅二极管，全系列产品具备更低的低VF和更高的浪涌电流能力。目前瑞森半导体SiC MOSFET系列已成功量产650V、1200V 、 1700V(国内领先)； SiC SBD系列成功量产650V~1700V (国内领先)，3300V 研发中。

瞄准第三代半导体市场

瑞森半导体在2023年将扩大第三代半导体的布局，继续加大研发投入，优化产品设计的同时也优化生产制程，开发更低VF值的二极管产品、完善650V和1700V MOS产品系列，还将就更高耐压、更大电流，模块化等方向以及SiC MOSFET、GaN HEMTs系列持续投入研发。瞄准第三代半导体市场，共促国产碳化硅(SiC)半导体发展。 

瑞森半导体入驻立创商城，欢迎咨询及选购

瑞森半导体专注深耕功率半导体行业16年，产品性能对标国外知名品牌，产品远销海内外，广泛应用于新能源汽车、充电桩、光伏逆变、储能、工业控制和消费类电子等领域。瑞森半导体除核心产品碳化硅产品系列外，将陆续在立创商城上架硅基平面MOS、超结MOS、低压MOS、LED驱动IC、电机驱动IC等产品系列，更好地服务于中小制造企业、电子工程师等，让客户可以快速的了解瑞森半导体的各项产品参数，诚邀广大客户在平台咨询。

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