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  • Longsys DDR5内存性能实测

  • 2021-03-16 14:15 1520

2021年是DDR内存技术升级换代的快速发展阶段,自2020年以来,5GAI、汽车、电竞市场需求的居高不下,加速推动了DDR产品迭代以及技术升级。20207月中旬JEDEC固态存储协会正式发布DDR5 SDRAM内存标准规范后,DDR5新技术应用受到业内的关注以及专业领域的探索。


江波龙电子(以下简称“Longsys”)紧跟存储技术发展前沿,为了满足行业的专业人士以及广大用户对未来产品技术发展的期望,进而为存储行业应用的未来提供更多可能性,在今天正式发布Longsys DDR5内存模组产品(ES1)。此外,Longsys旗下技术型存储品牌FORESEE以及高端消费类存储品牌Lexar雷克沙也将为各自主要应用领域提供强有力的支持。


  



1、DDR5内存速率高达6400Mbps,是DDR4的两倍


此次DDR5的产品发布,涉及两款全新架构产品原型,分别是1Rank x82Rank x8标准型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC相较于DDR4DDR5在功能和性能上都得到了显著提升。


    



2、全方位数据测试,性能稳定突出


Longsys DRAM研发经过多年的潜心积累,在DDR5新一代产品上率先开展测试技术投入,此次测试特别选取了部分测试数据首次面向公众开放。


其中,展示的测试实例采用了Intel AlderLake-S ADP-S CRB开发板,搭配Longsys DDR5 32GB 4800内存模组,并配置Windows 10 Pro x64操作系统,分别通过鲁大师和AIDA64两个熟知的软件展示DDR5的真实数据。


  

  


鲁大师测试数据


首先呈现的是硬件配置,内存识别为Longsys ID


    


通过鲁大师测试,Longsys DDR5 32GB 6400的跑分高达19万分有余。


    


AIDA64测试数据


通过测试,能够获取到Longsys DDR5 32GB 6400//拷贝/延迟的性能跑分。


    


为了更加直观地体现性能的提升力度,还加入了DDR4的测试对比。根据数据显示,Longsys DDR5在性能上实现了跨越式提升。



    



3、核心指标揭秘:Longsys DDR5新技术强大之处


 



纠错能力增加


在优化DDR5 DRAM内核运算能力上,Longsys DDR5增加内置纠错码(ECC,全面实现数据纠错能力,进一步提高数据完整性,同时也缓解了系统错误校正负担并充分利用DRAM读写的高效机制。


  


增加16n的预取模式

 

BL16使得Longsys DDR5内存的并发性在DDR4的基础上提升了一倍,信号能够更完整高效地传递。本次DDR5 DIMM新架构采用了两个完全独立的32位通道,提高了并发性,并使系统中可用的内存通道增加了一倍。


  


端到端的接收模式的强化

 

DDR5新技术应用中除了DQ/DQS/DM继续采用ODT功能,增加CACS类信号也使用了ODT。因此,Longsys DDR5内存进一步减少了信号脉冲的反射干扰效应,让信号传输更加纯净。

 

DDR5 Bank Group 翻倍

 

DDR5内存使Bank Group的数量增加了一倍,并且每个GroupBank数量保持不变。Longsys DDR5 BG提供更少的访问延迟,加倍提高了系统的整体效率,允许更多页面同时被打开。

 

SAME-BANK Refresh刷新模式

 

Longsys DDR5根据标准还实现了一个新特性,称为SAME-BANK Refresh(同步刷新)。此命令允许刷新每个BG中的一个Bank,使所有其他Banks保持打开状态以继续正常操作。



  


FORESEE DDR5 内存模组产品(ES1

 

未来的应用场景不断革新和进步,对存储技术提出了更严苛的要求,亦大大加速了DDR5发展进程,各大主流平台对于DDR5的支持也推进迅速。据悉,Intel方面预计今年第三季度就有支持DDR5的平台上市。而驱动DRAM内存市场向DDR5升级的动力来自对带宽有强烈需求的专业应用领域,比如服务器、云计算、数据中心、高性能计算机等应用领域均有望得到重点部署,此次迭代也为行业客户提供了更出色的内存解决方案。



Lexar雷克沙 DDR5 内存模组产品(ES1

 

随着全球大量资本进入电竞市场,促进了电竞行业日渐普及与成熟,这也让电竞玩家对内存等电脑配件的性能有了更高的追求。而Lexar雷克沙 DDR5的面世,不仅能够助力电竞玩家拥有更流畅的电竞体验,亦能带动电竞行业的可持续性发展。非但如此,对于白领用户,特别是设计师、剪辑师等对设备性能有刚需的职业,Lexar雷克沙DDR5可有效提高办公效率,将更多时间留给创造性工作。



4、结语



尽管Longsys内存产品线起步较晚,但能够在技术创新的征途上愈战愈勇,源于Longsys专注存储行业20余年的技术底蕴,以及打造高品质存储产品的决心。截止2021312日,Longsys申请专利总数达到838个,其中境外专利申请178项;已授权且维持有效专利411项、其中境外授权且维持有效专利83项;软件著作权65项。在紧握自主创新能力的同时,注重对知识产权的保护。

 

今年,Longsys内存产品线仍将精益求精,持续提供更多的DDR5产品规格和技术服务,助力行业客户、终端用户投入DDR5到未来的应用场景中,为存储生态领域增添色彩。




5、相关器件


商品编号 型号 品牌 规格/描述
C918301 FD4AS2933C8GSC
FORESEE(江波龙)
DDR4 SODIMM 8GB 2933
C918295 FD4AU2666C8GSC FORESEE(江波龙)
DDR4 UDIMM 8GB 2666
FD4AU2933C8GSC
FORESEE(江波龙)
DDR4 UDIMM 8GB 2933
C918294
FD4AS2666CWGZE
FORESEE(江波龙)
DDR4 SODIMM 32GB 2666
FD4AU2666CQGSM
FORESEE(江波龙)

DDR4 UDIMM 8GB 2666



本文作者:江波龙电子

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型号
价格
IRS2003STRPBF/MOS驱动 1.51
TC4056A/电池电源管理芯片 0.288957
CC0603KRX7R9BB104/贴片电容(MLCC) 0.015862
CL10B104KB8NNNC/贴片电容(MLCC) 0.01544
CL21A106KAYNNNE/贴片电容(MLCC) 0.07435
CL10A106KP8NNNC/贴片电容(MLCC) 0.045251
CC0603KRX7R9BB103/贴片电容(MLCC) 0.011038
CL31A106KBHNNNE/贴片电容(MLCC) 0.197305
19-217/GHC-YR1S2/3T/发光二极管 0.100397
0603F104M500NT/贴片电容(MLCC) 0.012431
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