导读:12月18日,南大光电公告称,由旗下控股子公司宁波南大光电材料自主研发的 ArF 光刻胶产品成功通过客户使用认证,线制程工艺可以满足 45nm-90nm光刻需求。
图:南大光电公告
公告称,“ArF 光刻胶产品开发和产业化”是宁波南大光电承接国家“02 专项”的一个重点攻关项目。本次产品的认证通过,标志着“ArF 光刻胶产品开发和产业化”项目取得了关键性的突破,成为国内通过产品验证的第一只国产 ArF 光刻胶。
芯片大师认为,此举意味着国产193nm ArF 光刻胶产品正式由研发走向量产阶段。
认证评估报告显示,“本次认证选择客户 50nm 闪存产品中的控制栅进行验证,宁波南大光电的 ArF 光刻胶产品测试各项性能满足工艺规格要求,良率结果达标。”
本次验证使用的 50nm 闪存技术平台,在特征尺寸上,线制程工艺可以满足 45nm-90nm 光刻需求,孔制程工艺可满足65nm-90nm 光刻需求,该工艺平台的光刻胶在业界有代表性。
公告称与该客户的产品销售与服务协议尚在协商之中,但公告并未透露使用该光刻胶的闪存客户是哪一家。
图:半导体光刻胶的分类(来源:兴业证券)
据悉,ArF 光刻胶材料是集成电路制造领域的重要关键材料,可以用于90nm-14nm 甚至 7nm 技术节点的集成电路制造工艺,广泛应用于高端芯片制造(如逻辑芯片、 AI 芯片、5G 芯片、大容量存储器和云计算芯片等)。
在此之前,国产光刻胶此前只能用于低端工艺生产线中,能做到G 线(436nm)、I 线 (365nm)水平,作为先进工艺的入场券,攻克可用于28nm -7nm DUV工艺的193nm ArF光刻胶至关重要。而目前国内主要在用的 ArF 光刻胶主要靠进口,EUV光刻胶主要供应来自日本。
南大光电于2017年开始研发“193nm 光刻胶项目”,已获得国家“02 专项”的相关项目立项,公司计划通过3年的建设、投产及实现销售,达到年产25吨 193nm(ArF干式和浸没式)光刻胶产品的生产规模,产品将满足集成电路行业需求标准。
UT116A/测试夹 | 149 | |
UT890C/万用表 | 99 | |
DL241025/螺丝批套装 | 18.22 | |
DP-366D/吸锡器/吸锡线 | 17.21 | |
BK881/热风拆焊台 | 368.85 | |
STM8L051F3P6TR/单片机(MCU/MPU/SOC) | 2.2 | |
207112/防静电刷子 | 5.58 | |
DP-366P/吸锡器/吸锡线 | 27.61 | |
PM-905F/斜嘴钳 | 37.35 | |
CA-IS3720LS/数字隔离器 | 0.7648 |
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