本文来自安森美半导体和 Macnica Cytech(骏龙科技),扫描下图二维码可以查看4.20 PD电源方案直播回放!
BOM主要器件和下载资料已更新!
免费样品活动已结束!
前言
目前市面上很多厂商旗舰机已经配置了PD快速充电器。市场上的大部分PD充电产品内部采用了行业前沿的GaN氮化镓技术,高度集成的驱动电路和单晶片的设计使得氮化镓芯片的开关频率大幅度提高,最终实现产品的小型化和高效率。为了让更多客户了解快充,我们特意要求骏龙科技安森美半导体电源方向的工程师通过直播对PD方案进行现场解析。
一个完整的支持快充的充电器包含如下几个部分:整流器、高频变压器、同步整流芯片、PWM控制器、快充协议芯片以及Type-C接口。
1、工作流程——以65W快充为例
当需要充电的设备连接充电器时,市电经过整流和变压器变压,得到相对较低的电压,一般电压设置在30V左右,当前主流协议芯片工作电压范围也高达30V,为的就是节省外部降压芯片,同时维持较高的电压,在输出时只需要降压,避免升降压的情况,以降低成本。通过Type C连接的充电器与充电设备,在协议芯片作用下,双方达成最佳充电方案,即充电设备给予充电设备所需最合适的电压与电流;协议芯片通过控制PWM芯片MOS的开关,进而控制同步整流芯片,同时通过光耦反馈,保证整流输出为设备所需电压稳定。
2、安森美半导体PD主流方案的发展趋势
3、PD方案的新材料器件
此外,直播还将介绍几个主流功率(25W-300W)的安森美半导体PD方案,完全符合安规认证标准。
4、PD方案一(25W~65W) : NCP1342,工作频率可高达200KHZ
安森美半导体的高频QR NCP1342驱动GaN, 同步整流芯片采用NCP4306,NC4306可工作在DCM,CCM模式,检测脚耐压值高达200V,驱动电流拉灌能力为7A/2A,同步整流MOS采用了ON Semiconductor的FDMS86202 120V/7 m ohm, DFN5*6封装,低内阻小封装有效的提升了整机的效率并节约了PCB占用面积 ,完全符合最新的六级能效标准。
25W~65W 框架图:
25W~65W BOM主要器件:
商品编号 | 厂商型号 | 品牌 | 描述/规格封装 |
C462899 | NCP1342AMDCDAD1R2G |
ON Semiconductor |
PWM芯片,SOIC-9 |
NA |
NV6115 NV6117 NV6252 |
Navitas |
GaN,DFN8*8 |
FCMT125N65S3 FCMT180N65S3 |
ON Semiconductor |
不用GaN用HVMOS,650V/127mohm, DFN8*8 不用GaN用HVMOS,650V/180mohm, DFN8*8 |
|
C504885 | NCP4306DADZZDASNT1G |
ON Semiconductor |
同步整流芯片,TSOP-6 |
C504883 |
FDMS86202 |
ON Semiconductor |
同步整流管MOS,120V/7mohm, DFN5*6 |
5、PD方案二(90W~120W) : NCP1622+ NCP1342,两者工作频率可高达200KHZ
安森美半导体的高频高频PFC NCP1622搭配高频QR PWM芯片 NCP1342,PFC升压二极管采用碳化硅 FFSB0465,基于碳化硅的特性无反向恢复损耗,可以节省掉PFC升压二极管的散热器,大大的降低了整机的尺寸空间,次级同步整流芯片采用NCP4306,NC4306可工作在DCM,CCM模式,检测脚耐压值高达200V,驱动电流拉灌能力为7A/2A,同步整流MOS采用了ON Semiconductor的FDMS86202 120V/7 m ohm, DFN5*6封装,低内阻小封装有效的提升了整机的效率并节约了PCB占用面积,完全符合最新的六级能效标准。
90W~120W 框架图:
90W~120W BOM主要器件:
商品编号 | 厂商型号 | 品牌 | 描述/规格封装 |
C504887 |
NCP1622DCCSNT1G |
ON Semiconductor |
PFC芯片,TSOP-6 |
点击查看 | FFSB0465 |
ON Semiconductor |
PFC升压二极管SiC,DPAK/TO-252 |
C462899 | NCP1342AMDCDAD1R2G |
ON Semiconductor |
PWM芯片,SOIC-9 |
NA |
NV6115 NV6117 NV6252 |
Navitas |
GaN,DFN8*8 |
FCMT125N65S3 FCMT180N65S3 |
ON Semiconductor |
不用GaN用HVMOS,650V/127mohm, DFN8*8 不用GaN用HVMOS,650V/180mohm, DFN8*8 |
|
C504885 | NCP4306DADZZDASNT1G |
ON Semiconductor |
同步整流芯片,TSOP-6 |
C504883 |
FDMS86202 |
ON Semiconductor |
同步整流管MOS,120V/7mohm, DFN5*6 |
6、PD方案三(150W~240W) : PFC NCP1616+NCP13992AB,两者工作频率可高达300KHZ
安森美半导体的高频可待机PFC NCP1616搭配LLC PWM芯片 NCP13992AB,为电流型的LLC,死区自适应模式大大的提高了平均效率;PFC升压二极管采用碳化硅 FFSB0465,基于碳化硅的特性无反向恢复损耗,可以节省掉PFC升压二极管的散热器,大大的降低了整机的尺寸空间,次级同步整流芯片采用NCP4306,NC4306可工作在DCM,CCM模式,检测脚耐压值高达200V,驱动电流拉灌能力为7A/2A,同步整流MOS采用了ON Semiconductor的FDMS86202 120V/7 m ohm, DFN5*6封装,低内阻小封装有效的提升了整机的效率并节约了PCB占用面积,完全符合最新的六级能效标准。
150W~240W 框架图:
150W~240W 主要器件:
商品编号 | 厂商型号 | 品牌 | 描述/规格封装 |
C504884 |
NCP1616A1DR2G |
ON Semiconductor |
PFC芯片,SOP-8 |
点击查看 | FFSB0465 |
ON Semiconductor |
PFC升压二极管SiC,DPAK/TO-252 |
点击查看 | NCP13992AB |
ON Semiconductor |
LLC PWM芯片,SOIC-16 |
NA |
NV6115 NV6117 NV6252 |
Navitas |
GaN,DFN8*8 |
FCMT125N65S3 FCMT180N65S3 |
ON Semiconductor |
不用GaN用HVMOS,650V/127mohm, DFN8*8 不用GaN用HVMOS,650V/180mohm, DFN8*8 |
|
点击查看 | NCP4306DAH |
ON Semiconductor |
同步整流芯片,SOT 23-6 |
C504883 |
FDMS86202 |
ON Semiconductor |
同步整流管MOS,120V/7mohm, DFN5*6 |
7、PD方案四(300W) : PFC NCP1632+ NCP13992AB 工作频率可高达300KHZ
安森美半导体的交错式PFC NCP1632 可有效的降低PFC电感和体积,效率较常规PFC也有较大的提升,有效的减小了整机尺寸。LLC PWM芯片 NCP13992AB为电流型的LLC,死区自适应模式大大的提高了平均效率,PFC升压二极管采用碳化硅 FFSB0465,基于碳化硅的特性无反向恢复损耗,可以节省掉PFC升压二极管的散热器,大大的降低了整机的尺寸空间,次级同步整流芯片采用NCP4306,NC4306可工作在DCM,CCM模式,检测脚耐压值高达200V,驱动电流拉灌能力为7A/2A,同步整流MOS采用了ON Semiconductor的FDMS86202 120V/7 m ohm, DFN5*6封装,低内阻小封装有效的提升了整机的效率并节约了PCB占用面积,完全符合最新的六级能效标准。
300W 框架图:
300W BOM主要器件:
商品编号 | 厂商型号 | 品牌 | 描述/规格封装 |
点击查看 |
NCP1632 |
ON Semiconductor |
PFC芯片,SOP-14 |
点击查看 | FFSB0465 |
ON Semiconductor |
PFC升压二极管SiC,DPAK/TO-252 |
点击查看 | NCP13992AB |
ON Semiconductor |
LLC PWM芯片,SOIC-16 |
NA |
NV6115 NV6117 NV6252 |
Navitas |
GaN,DFN8*8 |
FCMT125N65S3 FCMT180N65S3 |
ON Semiconductor |
不用GaN用HVMOS,650V/127mohm, DFN8*8 不用GaN用HVMOS,650V/180mohm, DFN8*8 |
|
点击查看 | NCP4306DAH |
ON Semiconductor |
同步整流芯片,SOT 23-6 |
C504883 |
FDMS86202 |
ON Semiconductor |
同步整流管MOS,120V/7mohm, DFN5*6 |
安森美半导体-PD方案免费样品活动
(活动已结束,您可以点击对应商品购买)
活动商品编号 | 厂家型号 | 描述/封装规格 |
C504883 |
FDMS86202 |
同步整流管MOS Power-56-8 |
C462899 |
NCP1342AMDCDAD1R2G |
PWM芯片 SOIC-9 |
C504884 |
NCP1616A1DR2G |
PFC芯片 SOIC-9 |
C504886 |
NCP13992AADR2G |
LLC PWM芯片 SOIC-16 |
C504887 |
NCP1622DCCSNT1G |
PFC芯片 TSOP-6 |
C504889 |
FCMT180N65S3 |
HVMOS Power-88-4 |
直播PD方案相关资料: (仅供观众学习参考,相关内容未经授权禁止公开发表)
该资料包含:直播现场演示PPT,45W/60W/90W方案(原理图、BOM、测试说明文档等)
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MAX31865ATP+T/模数转换芯片ADC | 12.95 | |
LTM4644IY#PBF/电源模块 | 130.7 | |
ADUM1201BRZ-RL7/数字隔离器 | 4.69 | |
MAX31855KASA+T/ADC/DAC-专用型 | 8 | |
DS3231MZ+TRL/实时时钟(RTC) | 11.31 | |
AD7190BRUZ-REEL/模拟前端(AFE) | 37.95 | |
AD623ARZ-R7/仪表放大器 | 11.23 | |
MAX3232EEAE+T/RS232芯片 | 6.41 | |
ADUM3160BRWZ-RL/隔离式USB芯片 | 21.98 | |
AD620ARZ-REEL7/仪表放大器 | 20.91 |
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