导读：2月25日，合肥长鑫存储官网正式公布“首颗国产DDR4内存芯片”，同时搭载该芯片的DDR4模组也正式曝光。

图：DDR4 内存芯片（来源：长鑫存储）

该芯片单颗容量为8Gb（即1GB）速率2666Mbps，工作电压1.2V，与市面上主流桌面PC和笔记本内存颗粒参数接近，芯片大师猜测应为此前长鑫宣布试产的10nm级工艺——初代为19nm。DDR4模组即常说的内存条，这次一同曝光的单条内存容量为8GB，长鑫强调其为自主开发设计和原厂内存颗粒，可以视为RAM芯片设计、晶圆制造和PCB模组均为长鑫独立完成。

芯片大师2019年9月份曾报道合肥长鑫：DRAM工艺已提升至10nm级别，长鑫存储已经开始使用19nm制造技术生产DDR4内存。目前，该公司已经制定了至少两个10纳米级制造工艺的路线图，包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5内存。

图：DDR4 8GB 内存模组（来源：长鑫存储）

长鑫的DRAM内存技术来源主要是已破产的奇梦达公司，长鑫董事长朱一明介绍，通过整体收购和专利授权等方式，长鑫从奇梦达获得了一千多万份DRAM技术文件及2.8TB的数据，在此基础上改进、研发自主产权的内存芯片，耗资超过25亿美元。同时，朱一明是国内最大NOR Flash厂商兆易创新（GD）的创始人。

图：2019年12月长鑫购入奇梦达专利（来源：长鑫存储）

长鑫主攻的DRAM是全球存储器市场最大的一块蛋糕，占存储器产值的52%，全球年产值约为746亿美元，最大的厂商为三星和美光，美韩企业全球市场份额合计为94.8%；NAND占存储器产值的45%，全球年产值为645亿美元，最大厂商为SK 海力士、三星、美光和西数（WD），美韩企业全球市占率为81.4%。

全球存储器格局请见3张图搞懂：为什么中国一定要做存储器？

国内存储器领域主要厂商有，DRAM：紫光国芯、芯成半导体（ISSI）、合肥长鑫；NAND：长江存储，NOR：兆易创新（GD）。其中，紫光国芯、长江存储和合肥长鑫被称为“存储器国家队”，紫光品牌的内存颗粒、内存条、SSD产品2019年均已面世。存储器控制芯片（主控）：华为海思、国科微、珠海建荣、联芸科技、北京忆芯等。

以下为国内存储器企业的不完全统计数据。

来源：芯片大师研究院【中国芯片地图（2019）】

注：完整【中国芯片地图】请进入芯片大师公众号索取。