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晶体管放大电路有共射、共集、共基三种接法，场效应管有共源、共漏接法（与晶体管放大电路共射、共集接法相对应）。以下通过3个主要性能（放大倍数A、输入电阻Ri、输出电阻Ro）指标对晶体管三种基本接法进行比较。
一、共射级放大电路
基本的共射放大电路如上图所示，在模电书里应该经常遇见，不过那时更多的是分析静态工作点，交、直流放大倍数，然而在真正的电路设计中，R1和R2的取值范围应该是多少呢？或者说它们应该如何取值呢？
已知NPN型管2N2219是硅型管，处于放大正常工作时饱和电压Ube=0.7V。首先是对R1的选择，2N2219的Ib最大值是800mA，仅仅选取R1使其电流值小于800mA显然是不行的，一般Ib的电流值为几mA到uA，因为Ic最大值是800mA，按照普通的100倍的放大倍数算Ib最大也只能到8mA。
按此标准就可以取值了，比如R1=10k(先分析分析看是否合适)，这时Ib=0.43mA,假设放大倍数是100倍(粗略估算，所以取这个值)则Ic=43mA，为了使三极管工作在放大区，必须要求Uce>Ube,则Uce起码应该大于0.7V，恩，假设是1v(应该比这大，因为在动态条件下还会有一个交流信号，要防止出现饱和失真)，那么R2应该取值为R2=(12-1)V/43mA=256Ω，即R2不能比256大了(估算，放大倍数等等很多因素在，但是就是在这个附近)。所以可以取R2=200Ω及其以下(R2越小则Uce越大)。
仿真如下所示：
图2 R2=50Ω
图3 R2=200Ω
图4 R2=350Ω，进入饱和区
如果R1=1k可以再计算一下，Ib=4.3mA,Ic=430mA,R2只能取26Ω以下，这样一来就对电阻的要求太高了。
同时应该注意到一个现象，当R2=50Ω或200Ω的时候在Ib没变时Ic发生了变化，从77.5mA变到了45.5mA，跟按照三极管输出特性曲线好像不重合啊(好像跟饱和区的性质差不多：Ic随Uce的增大而增大)。
下面说一下三极管的各种状态：
图5 三极管输出特性曲线
其实图上的只是在理想状态下的曲线，在实际中平行的那部分应该也是向上的，只不过角度没有在饱和区那么大罢了。而在判断一个三极管是否在饱和区也不能看是否是Ic随Uce的增大而增大，而应该看Ube增大时，Ib随之增大，但Ic增大不多。
图6 注意跟图4比较，此时Ib明显增大但Ic基本没变
图7 跟图2比较，Ib增大时Ic也增大，处于放大区
二、共集电极放大电路
图8 共集电极放大电路
图8中的R1，R2如何选择呢?由于R2是在发射极上，所以Uce电压肯定大于5v，也就是说集电结反偏，这时只要保证发射结正偏而Ib电流值合适就可以了。所以R1，R2的选择只用跟着十几要求就可以了，比较广泛，都可以从几百欧到几K。
R1的选取对电路电流的影响不大，关键是R2,R2越大基极和射极电流就越小。
三、共基极放大电路：
R1，R2应该选择多少呢?
Ie一般都是在几十mA，假定Ie=43mA、此时R1约为100Ω，Ic约等于Ie=43mA，为了保证Uce反向偏置，还要保证Uce>1v则R2最大取256Ω，根据Uo的输出情况可以取R2为几十到200之间。
三种接法比较：
1、共射电路既能放大电流又能放大电压，输入输出电阻居三种电路之中，输出电阻较大，频带较窄。常用作为低频电压放大电路的单元电路；
2、共集电路只能放大电流不能放大电压，是三种接法中输入电阻最大、输出电阻最小的电路，具有电压跟随的特点，常用于电压放大电路的输入和输出级；
3、共基电路只能放大电压不能放大电流，输出电阻小，电压放大倍数、输出电阻与共射电路相当，是三种接法中高频特性最好的电路。常作为宽频带放大电路。
