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MDD辰达半导体推出高能效MOSFET,赋能高效电源负载开关应用

2026-10-13 11:12:41阅读量:2070

近日,MDD推出三款采用DFN2020-6L紧凑封装的MOSFET新品——MDD06N03J(30V N沟道)、MDD16P02J(20V P沟道)及MDDG03R10J(30V N沟道)。三款产品均基于先进的工艺技术,在极小的封装尺寸内实现了超低导通电阻与卓越的开关性能,专为DC-DC转换、电源负载开关、电池管理等应用场景打造。

 

三款产品覆盖了N沟道与P沟道两种器件类型,耐压等级涵盖20V至30V,连续漏极电流范围从6A到16A,可满足不同电流等级和电路拓扑的设计需求,为电源管理、负载开关等场景提供了高性价比的紧凑型解决方案。 

 

一、先进工艺,性能密度再突破

三款产品均采用MDD半导体先进的工艺,并集成屏蔽栅技术。通过在栅极结构中引入屏蔽电极,有效降低了栅漏电容(Crss),从而在最小化导通电阻的同时,保持了优异的开关性能和软恢复体二极管特性。

核心优势

超低导通电阻:三款产品在各自电压等级下均实现了同类领先的RDS(on)表现,有效降低导通损耗,提升系统能效。

极低反向恢复电荷(Qrr):MDD06N03J的Qrr仅1.5nC,MDDG03R10J仅3.5nC,显著降低开关损耗,提升转换效率。

100% UIS测试:全系列经过100%非钳位感性开关(UIS)测试,确保器件在恶劣工况下的雪崩耐量与可靠性。

RoHS合规:全系列满足RoHS环保指令要求。

DFN2020-6L封装优势:仅2.0mm x 2.0mm的封装尺寸,相比传统SOT-23等封装,可节省超过50%的PCB占用面积,同时凭借底部裸露焊盘设计,实现更优的散热性能,是空间受限应用的理想选择。


二、核心参数对比

参数 MDD06N03J MDD16P02J MDDG03R10J
沟道类型 N沟道 P沟道 N沟道
VDS(漏源电压) 30V -20V 30V
ID(连续漏极电流) 6A -16A 15A
RDS(on) Typ @10V 14mΩ — 9.5mΩ
RDS(on) Max @10V 21mΩ — 12mΩ
RDS(on) Max @4.5V/-4.5V 32mΩ 20mΩ 18mΩ
Qg(栅极总电荷) 10nC 15nC 15nC
Ciss(输入电容) 460pF 1830pF 830pF
td(on) / tr(开通) 5ns / 25ns 25ns / 35ns 5ns / 15ns
RθJA(稳态热阻) 50°C/W 50°C/W 45°C/W
PD(功耗) 2.5W 2.6W 2.6W

 

三、典型应用场景

三款DFN2020-6L封装MOSFET凭借其紧凑的尺寸、超低的导通电阻和优异的开关性能,广泛适用于以下应用场景:

DC-DC转换、电源负载开关、电池管理、开关电路、智能手机、平板电脑、可穿戴设备、便携式电源、智能音箱、IoT模块

选型建议:

• 高频低损耗场景(如便携设备DC-DC):首选 MDD06N03J,Qg仅10nC、Ciss仅460pF,开关损耗极低

• 高端负载开关(如电池管理High-Side开关):首选 MDD16P02J,P沟道简化驱动、连续电流16A

• 大电流低导通损耗场景(如电源主开关):首选 MDDG03R10J,RDS(on)典型仅9.5mΩ、连续电流15A

 

四、选型推荐

MDD06N03J、MDD16P02J及MDDG03R10J三款DFN2020-6L封装MOSFET均已实现量产交付,可提供样品及完整技术文档支持。

Part Number  Type BVDSS(V) ID (A)             VGS (V) ESD RDS(ON) (mΩ) VGS=10V RDS(ON) (mΩ) VGS=4.5V RDS(ON) (mΩ) VGS=2.5V VGS(th) (V) Package
Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. Min. Max.
MDD06N03J N 30 6 ±20 N 16 21 24 32 一 一 1 2 DFN2020-6L
MDD16P02J P -20 -16 ±12 N 一 一 15 20 20 24 -0.45 -1 DFN2020-6L
MDDG03R10J N 30 15 ±20 N 9.5 12 13.5 18 一 一 1 2.2 DFN2020-6L

 

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MDD(辰达半导体) | MOSFET
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