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特性:核心:32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。 存储器:64至128 KB的闪存;16 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理:数字和I/O电源:VDD = 2.0 V至3.6 V;模拟电源:VDDA = VDD至3.6 V;选定的I/Os:VDDIO2 = 1.65 V至3.6 V;上电/掉电复位 (POR/PDR);可编程电压检测器 (PVD);低功耗模式:睡眠、停止、待机;V BAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理:4至32 MHz晶体振荡器;用于RTC的32 kHz振荡器,带校准功能;内部8 MHz RC,可选x6 PLL;内部40 kHz RC振荡器;基于外部同步自动微调的内部48 MHz振荡器。 多达87个快速I/O:均可映射到外部中断向量;多达68个I/O具有5V容限能力,19个具有独立电源VDDIO2
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  • 1+

    ¥20.57
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    ¥19.73
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源。40至125℃温度范围。0.27 μA待机模式(2个唤醒引脚)。0.4 μA停止模式(16个唤醒线)。0.8 μA停止模式 + RTC + 8-Kbyte RAM保留
    数据手册
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      ¥21.33
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  • 基于 ARM 的 32 位 MCU,高达 256 KB 闪存,具备 CAN、12 个定时器、ADC、DAC 和通信接口,工作电压 2.0-3.6V。
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  • 带DSP和FPU的170MHz主流ARM Cortex-M4 MCU,具有256 KB Flash存储器、数学加速器和高模拟电平集成
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      ¥24.01
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      ¥23.44
    • 30+

      ¥23.05
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源,-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。 0.43μA 停止模式(16 个唤醒线)。 0.86μA 停止模式 + RTC + 20KB RAM 保留。 运行模式低至 93μA/MHz
    数据手册
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      ¥24.02
    • 30+

      ¥23.63
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。 存储器:64至128 KB的闪存;16 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理:数字和I/O电源:VDD = 2.0 V至3.6 V;模拟电源:VDDA = VDD至3.6 V;选定的I/Os:VDDIO2 = 1.65 V至3.6 V;上电/掉电复位 (POR/PDR);可编程电压检测器 (PVD);低功耗模式:睡眠、停止、待机;V BAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理:4至32 MHz晶体振荡器;用于RTC的32 kHz振荡器,带校准功能;内部8 MHz RC,可选x6 PLL;内部40 kHz RC振荡器;基于外部同步自动微调的内部48 MHz振荡器。 多达87个快速I/O:均可映射到外部中断向量;多达68个I/O具有5V容限能力,19个具有独立电源VDDIO2
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    • 10+

      ¥23.99
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      ¥23.57
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台: 1.65V 至 3.6V 电源。-40°C 至 85°C/105°C 温度范围。0.3μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。0.9μA 待机模式 + RTC。0.57μA 停止模式(16 个唤醒线)。1.2μA 停止模式 + RTC。9μA 低功耗运行模式。214μA/MHz 运行模式
    数据手册
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  • 特性:包含先进的专利技术。超低功耗的低于1GHz无线片上系统可编程MCU。内核:32位Arm Cortex-M0+,最高运行频率64 MHz。程序存储器:64KB/128KB/256KB闪存。数据存储器:16KB/32KB SRAM(全保留)。额外存储:1KB OTP(用户数据)。应用:资产跟踪。无线传感器
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      ¥24.89
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      ¥24.25
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      ¥23.83
  • 有货
  • 特性:核心:带有FPU的ARM 32位Cortex-M4 CPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存中零等待状态执行,频率高达84 MHz,内存保护单元,105 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),以及DSP指令。 存储器:高达512 KB的闪存;高达96 KB的SRAM。 时钟、复位和电源管理:1.7 V至3.6 V应用电源和I/O;POR、PDR、PVD和BOR;4至26 MHz晶体振荡器;内部16 MHz工厂校准RC;用于RTC的32 kHz振荡器,带校准;内部32 kHz RC,带校准。
    数据手册
    • 1+

      ¥25.45
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      ¥24.44
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。 1.65 V至3.6 V电源。 -40至125°C温度范围。 0.27 μA待机模式(2个唤醒引脚)。 0.4 μA停止模式(16个唤醒线)。 0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留。 运行模式下88 μA/MHz。 3.5 μs唤醒时间(从RAM)
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      ¥26.33
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      ¥25.25
  • 有货
  • 特性:包含先进的专利技术。射频:2.4 GHz,支持蓝牙5.2规范,接收灵敏度为 -95.5 dBm(蓝牙低功耗1 Mbps),可编程输出功率高达 +5.5 dBm,步长为1 dB,集成巴伦以减少物料清单,支持2 Mbps,专用的32位Cortex M0+ CPU用于实时射频层,精确的RSSI以实现功率控制,适用于需要符合射频法规ETSI EN 300 328、EN 300 440、FCC CFR47 Part 15和ARIB STD-T66的系统,支持外部PA,有可用的集成无源器件(IPD)配套芯片用于优化匹配解决方案(MLPF-WB-01E3)。
    数据手册
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      ¥26.73
    • 10+

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    • 30+

      ¥25.64
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32 位 Cortex-M3 CPU。 最高频率 36 MHz。 0 等待状态内存访问时,性能为 1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。 单周期乘法和硬件除法。 2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O。 POR、PDR 和可编程电压检测器 (PVD)
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  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M3 CPU。 最高24 MHz频率,1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)性能。 单周期乘法和硬件除法。 16至128 KB的闪存。 4至8 KB的SRAM。 2.0至3.6 V应用电源和I/O
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  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M3 CPU。 最高24 MHz频率,1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)性能。 单周期乘法和硬件除法。 16至128 KB的闪存。 4至8 KB的SRAM。 2.0至3.6 V应用电源和I/O
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    • 30+

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  • 特性:超低功耗平台,1.65V至3.6V电源,-40至125℃温度范围。 0.23μA待机模式(2个唤醒引脚)。 0.35μA停止模式(16个唤醒线)。 0.6μA停止模式 + RTC + 8KB RAM保留。 运行模式下低至76μA/MHz。 5μs唤醒时间(从闪存)
    数据手册
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      ¥29.9
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      ¥25.66
    • 30+

      ¥23.14
  • 有货
  • STM32F042x4/x6 微控制器集成了高性能 ARM Cortex-M0 32 位 RISC 核心,工作频率高达 48 MHz,具有高速嵌入式存储器(高达 32 KB 的 Flash 存储器和 6 KB 的 SRAM),以及广泛的增强型外设和 I/O。所有设备均提供标准通信接口(一个 I2C、两个 SPI/一个 I2S、一个 HDMI CEC 和两个 USART),一个 USB 全速设备(无晶体),一个 CAN,一个 12 位 ADC,四个 16 位定时器,一个 32 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。
    数据手册
    • 1+

      ¥30.21
    • 10+

      ¥29.52
    • 30+

      ¥29.06
  • 有货
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    • 10+

      ¥25.87
    • 30+

      ¥23.23
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源,-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。 0.43μA 停止模式(16 个唤醒线)。 0.86μA 停止模式 + RTC + 20KB RAM 保留。 运行模式低至 93μA/MHz
    数据手册
    • 1+

      ¥30.83
    • 10+

      ¥30.09
    • 30+

      ¥29.6
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台: 1.65V 至 3.6V 电源。-40°C 至 85°C/105°C 温度范围。0.3μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。0.9μA 待机模式 + RTC。0.57μA 停止模式(16 个唤醒线)。1.2μA 停止模式 + RTC。9μA 低功耗运行模式。214μA/MHz 运行模式
    数据手册
    • 1+

      ¥31.2
    • 10+

      ¥30.45
    • 30+

      ¥29.96
  • 有货
  • 特性:动态效率线,具备批量采集模式(BAM),电源电压为1.7V至3.6V,温度范围为 -40℃至85/105/125℃。 内核:采用带有FPU的32位Arm Cortex-M4 CPU,具备自适应实时加速器(ART Accelerator™),可实现从闪存零等待状态执行,频率高达84 MHz,配备内存保护单元,性能达105 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:高达256 Kbytes的闪存,512字节的一次性可编程(OTP)存储器,高达64 Kbytes的静态随机存取存储器(SRAM)。
    数据手册
    • 1+

      ¥32.78
    • 10+

      ¥32.02
    • 30+

      ¥31.51
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达180 MHz,具备MPU,225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:512 KB闪存、128 KB SRAM、具有高达16位数据总线的灵活外部存储器控制器,支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存、双模式QuadSPI接口。 LCD并行接口,支持8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理:1.7 V至3.6 V应用电源和I/O、POR、PDR、PVD和BOR、4至26 MHz晶体振荡器、内部16 MHz工厂校准RC(精度1%)、用于RTC的32 kHz振荡器及校准、内部32 kHz RC及校准。 低功耗:支持睡眠、停止和待机模式。 VBAT为RTC供电,20×32位备份寄存器加上可选的4 KB备份SRAM。 3个12位、2.4 MSPS ADC:多达24个通道,三重交错模式下可达7.2 MSPS。 2个12位D/A转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥32.98
    • 10+

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    • 30+

      ¥31.62
  • 有货
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    • 10+

      ¥32.62
    • 30+

      ¥32.13
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。 1.65 V至3.6 V电源。 -40至125°C温度范围。 0.27 μA待机模式(2个唤醒引脚)。 0.4 μA停止模式(16个唤醒线)。 0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留。 运行模式下88 μA/MHz。 3.5 μs唤醒时间(从RAM)
    数据手册
    • 1+

      ¥33.39
    • 10+

      ¥32.59
    • 30+

      ¥32.05
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M3 CPU。最高频率36 MHz,在0等待状态内存访问时,性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。16至32 KB的闪存。4至6 KB的SRAM。2.0至3.6 V应用电源和I/O
    数据手册
    • 1+

      ¥33.43
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