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封装：LQFP-48(7x7)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU。最高24 MHz频率，1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）性能。单周期乘法和硬件除法。 16至128 KB的闪存。 4至8 KB的SRAM。 2.0至3.6 V应用电源和I/O

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型号：STM32L071RBT7 编号：C1340187

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源，-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。 0.43μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.86μA 停止模式 + RTC + 20KB RAM 保留。运行模式低至 93μA/MHz

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型号：STM32L053C8U6 编号：C529424

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65 V至3.6 V电源。 -40至125°C温度范围。 0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。 0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留。运行模式下88 μA/MHz。 3.5 μs唤醒时间（从RAM）

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型号：STM32L051T8Y6TR 编号：C2053962

封装：WLCSP-36

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32WL33KBV7 编号：C49197358

封装：QFN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32F401CBU7 编号：C1339057

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，具备批量采集模式（BAM），电源电压为1.7V至3.6V，温度范围为 -40℃至85/105/125℃。内核：采用带有FPU的32位Arm Cortex-M4 CPU，具备自适应实时加速器（ART Accelerator™），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达84 MHz，配备内存保护单元，性能达105 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：高达256 Kbytes的闪存，512字节的一次性可编程（OTP）存储器，高达64 Kbytes的静态随机存取存储器（SRAM）。

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型号：STM32F042C6U7 编号：C1341226

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32L431KBU3 编号：C1338710

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA，为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC时为1.28μA

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型号：STM32U385CGY6QTR 编号：C45338541

封装：WLCSP-52(3.1x3.2)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32F103T4U6A 编号：C1339184

封装：VFQFPN-36(6x6)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核，最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时，性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），具备单周期乘法和硬件除法功能。 16 或 32 KB 的闪存，6 或 10 KB 的 SRAM。 2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），4 至 16 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC，用于 CPU 时钟的 PLL，带校准功能的 32 kHz RTC 振荡器。具备睡眠、停止和待机模式，VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2 个 12 位、1 μs A/D 转换器（最多 16 个通道），转换范围 0 至 3.6 V，具备双采样和保持能力，有温度传感器。 7 通道 DMA 控制器，支持定时器、ADC、SPIs、I²Cs 和 USARTs 等外设

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型号：STM32L053R8T3 编号：C1339236

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65 V至3.6 V电源。 -40至125°C温度范围。 0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。 0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留。运行模式下88 μA/MHz。 3.5 μs唤醒时间（从RAM）

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型号：STM32F303R6T6 编号：C1339397

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带FPU的32位CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，90 DMIPS（来自CCM），DSP指令。高达64 KB的闪存。 12 KB带硬件奇偶校验的SRAM。常规增强器：指令和数据总线上4 KB带硬件奇偶校验的SRAM（CCM）。 CRC计算单元。复位和电源管理

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型号：STM32F091VCH6 编号：C1340256

封装：UFBGA-100

品牌：ST(意法半导体)

基于 ARM 的 32 位 MCU，高达 256 KB 闪存，具备 CAN、12 个定时器、ADC、DAC 和通信接口，工作电压 2.0-3.6V。

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型号：STM32L072RZT6 编号：C1337358

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65 V 至 3.6 V 电源，-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29 μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。 0.43 μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.86 μA 停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM 保留。运行模式下低至 93 μA/MHz。 5 μs 唤醒时间（从闪存）。 12 位 ADC 转换在 10 ksps 时为 41 μA

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型号：STM32L051K6U6TR 编号：C2053266

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源。40至125℃温度范围。0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留

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型号：STM32L100R8T6A 编号：C1338320

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台:1.8V 至 3.6V 电源。-40℃ 至 85℃ 温度范围。0.28μA 待机模式（2 个唤醒引脚）。1.11μA 待机模式 + RTC。0.44μA 停止模式（16 个唤醒线）。1.38μA 停止模式 + RTC

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型号：STM32F334K8T6TR 编号：C3220759

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32L451CCU3 编号：C1345377

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl: -电源电压1.71V至3.6V。 -温度范围 -40℃至85/125℃。 -VBAT模式下145 nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式22 nA（5个唤醒引脚）。 -待机模式106 nA（5个唤醒引脚）。 -带RTC的待机模式375 nA。 -停止2模式2.05 µA，带RTC时2.40 µA。 -运行模式84 µA/MHz

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型号：STM32U083MCI6 编号：C22458505

封装：UFBGA-81(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32F100VBT6BTR 编号：C1339561

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU。最高24 MHz频率，1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）性能。单周期乘法和硬件除法。 16至128 KB的闪存。 4至8 KB的SRAM。 2.0至3.6 V应用电源和I/O

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型号：STM32L431VCI6 编号：C1346009

封装：UFBGA-100

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA，为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC时为1.28μA

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型号：STM32F051C6T6TR 编号：C2054415

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32WL33K8V6 编号：C49236296

封装：VFQFPN-32-EP(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含先进的专利技术。超低功耗的低于1GHz无线片上系统可编程MCU。内核：32位Arm Cortex-M0+，最高运行频率64 MHz。程序存储器：64KB/128KB/256KB闪存。数据存储器：16KB/32KB SRAM（全保留）。额外存储：1KB OTP（用户数据）。应用：资产跟踪。无线传感器

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￥34.99
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￥34.44

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型号：STM32L431RCI6 编号：C1338732

封装：UFBGA-64

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32F103RGT6 编号：C8317

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU，带MPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。内存：768 KB至1 MB的闪存，96 KB的SRAM，带有4个片选的灵活静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存，LCD并行接口，8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz带校准的RC，32 kHz带校准的RTC振荡器。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 3个12位、1 μs A/D转换器（最多21个通道），转换范围：0至3.6 V，三重采样和保持能力，温度传感器。 2个12位D/A转换器

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型号：STM32G0B1VBT6 编号：C5270263

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU，高达128KB Flash，144KB RAM，6x USART，定时器，ADC，DAC，通讯。 I/F，1.7-3.6V

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型号：STM32F303RCT6 编号：C65361

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM Cortex-M4 32 位 CPU 带 FPU（最高 72 MHz），单周期乘法和硬件除法，90 DMIPS（来自 CCM），DSP 指令和 MPU（内存保护单元）。工作条件：VDD、VDDA 电压范围：2.0V 至 3.6V。存储器：128 至 256 Kbytes 的闪存；高达 40 Kbytes 的 SRAM，前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验；8 Kbytes 的 SRAM 在指令和数据总线上，带硬件奇偶校验（CCM）。 CRC 计算单元。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止和待机；RTC 和备份寄存器的 VBAT 电源。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器；用于 RTC 的 32 kHz 振荡器，带校准；内部 8 MHz RC，有 x 16 PLL 选项；内部 40 kHz 振荡器。多达 87 个快速 I/O：所有可映射到外部中断向量；多个 5V 耐压。互连矩阵

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型号：STM32G071CBT3 编号：C3227228

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：32位Cortex-M0+ CPU核心，频率高达64 MHz。工作温度范围为 -40℃至85℃/105℃/125℃。高达128 Kbytes的闪存，具有保护和可安全区域。 36 Kbytes的SRAM（32 Kbytes带硬件奇偶校验）。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）

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￥36.62
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型号：STM32L072CZY6TR 编号：C5221718

封装：WLCSP-49

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65 V 至 3.6 V 电源，-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29 μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。 0.43 μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.86 μA 停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM 保留。运行模式下低至 93 μA/MHz。 5 μs 唤醒时间（从闪存）。 12 位 ADC 转换在 10 ksps 时为 41 μA

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型号：STM32G071KBT3 编号：C724238

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

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