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封装：UFBGA-64

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl: -电源电压1.71V至3.6V。 -温度范围 -40℃至85/125℃。 -VBAT模式下145 nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式22 nA（5个唤醒引脚）。 -待机模式106 nA（5个唤醒引脚）。 -带RTC的待机模式375 nA。 -停止2模式2.05 µA，带RTC时2.40 µA。 -运行模式84 µA/MHz

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型号：STM32L081CBT6 编号：C1339006

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32F429ZIT6TR 编号：C2053976

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM），允许从闪存零等待状态执行，频率高达 180 MHz，具备 MPU，225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持 DSP 指令。存储器：高达 2 MB 闪存，分为两个存储体，支持读写同时进行；高达 256 + 4 KB SRAM，包括 64 KB CCM（核心耦合内存）数据 RAM；灵活的外部存储器控制器，支持高达 32 位数据总线，可连接 SRAM、PSRAM、SDRAM、Compact Flash、NOR、NAND 存储器。 LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。

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型号：STM32L4R5ZIT6 编号：C1339786

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32F446ZCH6 编号：C1340380

封装：UFBGA-144

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达180 MHz，具备MPU，225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：512 KB闪存、128 KB SRAM、具有高达16位数据总线的灵活外部存储器控制器，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存、双模式QuadSPI接口。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：1.7 V至3.6 V应用电源和I/O、POR、PDR、PVD和BOR、4至26 MHz晶体振荡器、内部16 MHz工厂校准RC（精度1%）、用于RTC的32 kHz振荡器及校准、内部32 kHz RC及校准。低功耗：支持睡眠、停止和待机模式。 VBAT为RTC供电，20×32位备份寄存器加上可选的4 KB备份SRAM。 3个12位、2.4 MSPS ADC：多达24个通道，三重交错模式下可达7.2 MSPS。 2个12位D/A转换器

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型号：STM32F411RCT7TR 编号：C2053464

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，具备批量采集模式（BAM）。电源电压：1.7 V至3.6 V。温度范围：-40℃至85/105/125℃。内核：带有浮点单元（FPU）的32位Cortex®-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator™），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达100 MHz，具备内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。

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型号：STM32L100RCT6 编号：C2969852

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。1.65V至3.6V电源。40°C至105°C温度范围。0.29μA待机模式（3个唤醒引脚）。1.15μA待机模式 + RTC。0.44μA停止模式（16个唤醒线）

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型号：STM32H7R3V8H6 编号：C26441961

封装：TFBGA-100(8x8)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32F302VET6TR 编号：C2053580

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM Cortex-M4 32位CPU，带有72MHz FPU、单周期乘法和硬件除法、DSP指令和MPU（内存保护单元）。工作条件：VDD、VDDA电压范围为2.0V至3.6V。存储器：高达512KB的闪存；64KB的SRAM，前32KB实现硬件奇偶校验；用于静态存储器的灵活内存控制器（FSMC），带有四个片选。 CRC计算单元。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止和待机；为RTC和备份寄存器提供VBAT电源。时钟管理：4至32MHz晶体振荡器；用于RTC的32kHz振荡器，带校准；内部8MHz RC，可选x16 PLL；内部40kHz振荡器。多达115个快速I/O：均可映射到外部中断向量；多个5V耐压。互连矩阵

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型号：STM32G491CCU6 编号：C2970035

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

主流 Arm Cortex-M4 MCU 170 MHz，带 256 KB 闪存、数学加速器、高模拟级集成

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型号：STM32G041C8T6 编号：C529337

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：Arm 32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C/105°C/125°C。存储器：高达64 KB的具有保护和可安全区域的闪存；8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项（±1%）的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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型号：STM32H750XBH6TR 编号：C7021429

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32G4A1REI6 编号：C3228557

封装：UFBGA-64

品牌：ST(意法半导体)

主流 Arm Cortex-M4 MCU 170 MHz，带 512 KB 闪存、数学加速器、高模拟级集成、加密

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型号：STM32H7S3Z8T6 编号：C26125147

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 32位Arm Cortex-M7 CPU，带有MPU和DP-FPU，L1缓存：32 + 32 Kbyte指令和数据缓存，允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，频率高达600 MHz，1284 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。 64 Kbytes用户闪存，可用于用户代码和/或外部存储器配置。SRAM共620 Kbytes（548 Kbytes可选ECC激活），包括64 + 64 Kbytes指令和数据TCM RAM用于关键实时指令，384 Kbytes AXI SRAM（128 Kbytes可选重映射到TCM RAM完全激活），4 Kbytes备份SRAM（在最低功耗模式下可用），灵活的外部存储器控制器，数据总线高达32位，支持SRAM、PSRAM、FRAM、SDR/LPSDR SDRAM、NOR/NAND存储器，多达2x八进制SPI存储器接口或1个八进制SPI + 1个六进制SPI，支持串行PSRAM/NAND/NOR、HyperRAM/HyperFlash帧格式，运行频率高达200 MHz，2x SD/SDIO/MMC接口。 2x DMA控制器，用于减轻CPU负担，2x双端口DMA，支持FIFO和链表。 PSA 2级和SESIP 3级认证（认证中），灵活的生命周期方案，基于证书或密码的调试认证（支持调试重新打开/回归），基于唯一引导入口和安全隐藏保护区域（HDP）的信任根，通过嵌入式根安全服务（RSS）实现安全固件安装/更新（SFI/SFU），使用硬件唯一密钥（HUK）的安全数据存储，2个AES协处理器，其中一个具有DPA抗性，公钥加速器，仅具有ECC验证功能的DPA抗性，串行和并行外部存储器的实时加密/解密，HASH硬件加速器，真随机数发生器，符合NIST SP800-90B，96位唯一ID，1 Kbyte OTP（一次性可编程），主动篡改检测，硬件安全存储（专用安全闪存区域）。 NeoChrom图形处理器（GPU2D），加速任意角度旋转、缩放和透视校正纹理映射，Chrom-ART加速器（DMA2D）用于增强图形内容创建，Chrom-GRC（GFXMMU）允许高达20%的图形资源优化，硬件JPEG编解码器，LCD-TFT控制器支持高达XGA分辨率，灵活的存储器控制器FMC8/16用于并行显示支持，数字相机并行接口，具有像素格式转换和裁剪功能。 1.71 V至3.6 V应用电源和I/O，POR、PVD和BOR，专用USB电源，嵌入3.3 V内部稳压器为内部PHY供电，嵌入式LDO稳压器为VCORE和/或外部电路供电，高功率效率的SMPS降压转换器稳压器直接为VCORE和/或外部电路供电，内部振荡器：64 MHz HSI、48 MHz HSI48、4 MHz CSI、32 kHz LSI，外部振荡器：4-50 MHz HSE、32.768 kHz LSE

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型号：STM32F205VCT6TR 编号：C5269932

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：基于 Arm 的 32 位 Cortex-M3 CPU（最高 120 MHz），带有自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存的零等待状态执行性能，具备 MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：高达 1 Mbyte 的闪存，512 字节的 OTP 存储器，高达 128 + 4 Kbytes 的 SRAM，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器，LCD 并行接口（8080/6800 模式）。

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型号：STM32L452CEU3 编号：C2970061

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，具备FlexPowerControl。供电电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为-40℃至85/125℃。 VBAT模式下为145nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式下为22nA（5个唤醒引脚）。待机模式下为106nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式下为375nA。停止2模式下为2.05μA，带RTC时为2.40μA

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型号：STM32F750V8T6 编号：C529327

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M7 CPU，带有FPU、自适应实时加速器（ART Accelerator）和L1缓存（4KB数据缓存和4KB指令缓存），允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，频率高达216 MHz，具备MPU、462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。双模式Quad-SPI。 LCD并行接口，8080/6800模式，LCD-TFT控制器，高达XGA分辨率，带有专用Chrom-ART Accelerator（DMA2D）用于增强图形内容创建。 1.7V至3.6V应用电源和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR。专用USB电源。 4至26 MHz晶体振荡器。内部16 MHz工厂校准RC（1%精度）

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型号：STM32L053R6T6 编号：C1339433

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65 V至3.6 V电源。 -40至125°C温度范围。 0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。 0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留。运行模式下88 μA/MHz。 3.5 μs唤醒时间（从RAM）

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型号：STM32H730ABI6Q 编号：C3216340

封装：UFBGA-169

品牌：ST(意法半导体)

带 DP-FPU 的高性能 DSP、带 128 KB 闪存的 Arm Cortex-M7 MCU、564 KB RAM、550 MHz CPU、L1 缓存、外部存储器接口、SMPS、包括加密加速器的外设子集

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型号：STM32L452REI3 编号：C1340153

封装：UFBGA-64

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，具备FlexPowerControl。供电电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为-40℃至85/125℃。 VBAT模式下为145nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式下为22nA（5个唤醒引脚）。待机模式下为106nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式下为375nA。停止2模式下为2.05μA，带RTC时为2.40μA

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型号：STM32F215VET6 编号：C1338811

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带有自适应实时加速器（ART AcceleratorTM）的 ARM 32 位 Cortex-M3 CPU（最高 120 MHz），允许从闪存存储器实现零等待状态执行性能，具备 MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：高达 1 M 字节的闪存存储器；512 字节的 OTP 存储器；高达 128 + 4 K 字节的 SRAM；支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器；LCD 并行接口，8080/6800 模式。

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型号：STM32L152CCU6 编号：C5269804

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。1.65 V 至 3.6 V 电源。40℃ 至 105℃ 温度范围。0.29 μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。1.15 μA 待机模式 + RTC。0.44 μA 停止模式（16 个唤醒线路）。1.4 μA 停止模式 + RTC。8.6 μA 低功耗运行模式

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型号：STM32U535VEI6 编号：C27338469

封装：UFBGA-100(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32F103RBT7TR 编号：C2971215

封装：LQFP-64

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32L462RET6 编号：C1340473

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，具备FlexPowerControl。电源电压范围：1.71V至3.6V。温度范围：-40℃至85/125℃。 VBAT模式下为145nA，为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式22nA（5个唤醒引脚）。待机模式106nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式375nA。停止2模式2.05μA，带RTC时2.40μA

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型号：STM32H573MIY3QTR 编号：C28623251

封装：WLCSP-80(3.3x3.5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含ST先进的专利技术。Arm Cortex-M33 CPU，带有TrustZone、FPU，频率高达250 MHz，MPU，375 DMIPS（Dhrystone 2.1）。8 Kbyte指令缓存，用于从闪存和外部存储器进行零等待状态执行。4 Kbyte数据缓存，用于外部存储器。1.5 DMIPS/MHz（Drystone 2.1）。1023 CoreMark（4.092 CoreMark/MHz）。高达2 Mbytes的嵌入式闪存，带ECC，两个存储体可在写入时读取。每个存储体高达48 Kbyte，具有高循环能力（100 K周期），用于数据闪存

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型号：STM32L462VET6 编号：C1337716

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，具备FlexPowerControl。电源电压范围：1.71V至3.6V。温度范围：-40℃至85/125℃。 VBAT模式下为145nA，为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式22nA（5个唤醒引脚）。待机模式106nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式375nA。停止2模式2.05μA，带RTC时2.40μA

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型号：STM32L486VGT6 编号：C1337222

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围：1.71V至3.6V。温度范围：-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式下为30nA（5个唤醒引脚）。待机模式下为120nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式为420nA。停止2模式下为1.1μA，带RTC时为1.4μA

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型号：STM32U385VGT6 编号：C44847722

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

该设备属于基于高性能 Arm Cortex®-M33 32 位 RISC 内核的超低功耗微控制器系列（STM32U3 系列），工作频率高达 96 MHz。Cortex®-M33 内核具有单精度 FPU（浮点单元），支持所有 Arm 单精度数据处理指令和所有数据类型。Cortex®-M33 内核还实现了一整套 DSP（数字信号处理）指令和 MPU（内存保护单元）。

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型号：STM32H573IIK3Q 编号：C29175976

封装：UFBGA-176

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体（ST）最先进的专利技术。Arm Cortex-M33 CPU，带有TrustZone、FPU，频率高达250 MHz，具备MPU，375 DMIPS（Dhrystone 2.1）。8 Kbyte指令缓存，允许从闪存和外部存储器零等待状态执行；4 Kbyte外部存储器数据缓存。1.5 DMIPS/MHz（Drystone 2.1）；1023 CoreMark（4.092 CoreMark/MHz）。高达2 Mbytes带ECC的嵌入式闪存，2个存储体可读写；每个存储体高达48 Kbyte的DATA闪存，具备高循环能力（100 K周期）；1 Kbyte OTP（一次性可编程）；640 Kbytes SRAM（64 Kbyte SRAM2带ECC和320 Kbyte SRAM3带灵活ECC）；4 Kbytes备份SRAM，在最低功耗模式下可用；灵活的外部存储器控制器，高达16位数据总线，支持SRAM、PSRAM、FRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、NOR/NAND存储器；一个Octo-SPI存储器接口，支持即时解密，支持串行PSRAM/NAND/NOR、Hyper RAM/闪存帧格式；两个SD/SDIO/MMC接口。内部振荡器：64 MHz HSI、48 MHz HSI48、4 MHz CSI、32 kHz LSI；外部振荡器：4-50 MHz HSE、32.768 kHz LSE。高达139个快速I/O，具备中断能力（大多数5 V耐压）；高达10个I/O，独立电源低至1.08 V。睡眠、停止和待机模式；VBAT为RTC、32x 32位备份寄存器供电

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