STM32验证板_厂家_价格_品牌_库存

型号：STM32L443RCT6TR 编号：C2055466

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

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￥44.52
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￥43.45
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￥42.74

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型号：STM32F101T4U6A 编号：C1341145

封装：VFQFPN-36(6x6)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32F103R6H6A 编号：C2970132

封装：TFBGA-64

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核，最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时，性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），具备单周期乘法和硬件除法功能。 16 或 32 KB 的闪存，6 或 10 KB 的 SRAM。 2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），4 至 16 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC，用于 CPU 时钟的 PLL，带校准功能的 32 kHz RTC 振荡器。具备睡眠、停止和待机模式，VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2 个 12 位、1 μs A/D 转换器（最多 16 个通道），转换范围 0 至 3.6 V，具备双采样和保持能力，有温度传感器。 7 通道 DMA 控制器，支持定时器、ADC、SPIs、I²Cs 和 USARTs 等外设

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￥45.58
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￥44.54
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￥43.85

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型号：STM32F373V8H6 编号：C1339391

封装：UFBGA-100

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，带浮点单元（FPU）和内存保护单元（MPU）的DSP指令。1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：64至256 Kbytes的闪存，32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0至3.6 V，上电/掉电复位（POR/PDR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式（睡眠、停止、待机），RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器，用于RTC的32kHz振荡器（带校准），内部8 MHz RC（带x16 PLL选项），内部40kHz振荡器

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￥44.01

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型号：STM32L072KBU3 编号：C1235431

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65 V 至 3.6 V 电源，-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29 μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。 0.43 μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.86 μA 停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM 保留。运行模式下低至 93 μA/MHz。 5 μs 唤醒时间（从闪存）。 12 位 ADC 转换在 10 ksps 时为 41 μA

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￥35.9

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型号：STM32L051C6T6 编号：C124723

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：1.65 V至3.6 V电源。 -40至125℃温度范围。 0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。 0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留。 88 μA/MHz运行模式

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￥46.44
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￥40.07
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型号：STM32L151VCH6 编号：C1338629

封装：UFBGA-100

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。1.65 V 至 3.6 V 电源。40℃ 至 105℃ 温度范围。0.29 μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。1.15 μA 待机模式 + RTC。0.44 μA 停止模式（16 个唤醒线路）。1.4 μA 停止模式 + RTC。8.6 μA 低功耗运行模式

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￥46.55
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￥40.03
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型号：STM32F410TBY6TR 编号：C2054511

封装：WLCSP-36

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32L422KBU6 编号：C1340173

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl的超低功耗。1.71V至3.6V电源。-40℃至85/125℃温度范围。BAT模式下300nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。16nA关机模式（4个唤醒引脚）。32nA待机模式（4个唤醒引脚）。带RTC的245nA待机模式。0.7μA停止2模式，带RTC时为0.95μA

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型号：STM32L433VCI3 编号：C2970449

封装：UFBGA-100

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。1.71 V至3.6 V电源供电。40℃至85/105/125℃温度范围。V_BAT模式下200 nA：为RTC和32x32位备份寄存器供电。8 nA关机模式（5个唤醒引脚）。28 nA待机模式（5个唤醒引脚）。带RTC的280 nA待机模式。1.0 μA停止2模式，带RTC时1.28 μA

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￥47.97
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型号：STM32F072C8U7 编号：C1340704

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。存储器：64至128 KB的闪存；16 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：数字和I/O电源：VDD = 2.0 V至3.6 V；模拟电源：VDDA = VDD至3.6 V；选定的I/Os：VDDIO2 = 1.65 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；用于RTC的32 kHz振荡器，带校准功能；内部8 MHz RC，有x6 PLL选项；内部40 kHz RC振荡器；基于外部同步自动微调的内部48 MHz振荡器。多达87个快速I/O：均可映射到外部中断向量；多达68个具有5V容限能力的I/O，19个具有独立电源VDDIO2

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￥48.01
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型号：STM32L072RBI6 编号：C1346028

封装：UFBGA-64

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65 V 至 3.6 V 电源，-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29 μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。 0.43 μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.86 μA 停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM 保留。运行模式下低至 93 μA/MHz。 5 μs 唤醒时间（从闪存）。 12 位 ADC 转换在 10 ksps 时为 41 μA

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￥48.02
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型号：STM32L072KBU7 编号：C2971124

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65 V 至 3.6 V 电源，-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29 μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。 0.43 μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.86 μA 停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM 保留。运行模式下低至 93 μA/MHz。 5 μs 唤醒时间（从闪存）。 12 位 ADC 转换在 10 ksps 时为 41 μA

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型号：STM32L476MGY6TR 编号：C2054153

封装：UFBGA-81

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl，电源电压1.71V至3.6V，温度范围-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式30nA（5个唤醒引脚）。待机模式120nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式420nA。停止2模式1.1μA，带RTC时1.4μA。运行模式100μA/MHz（LDO模式）。运行模式39μA/MHz（@3.3V SMPS模式）

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型号：STM32L451VCT6 编号：C1338608

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl: -电源电压1.71V至3.6V。 -温度范围 -40℃至85/125℃。 -VBAT模式下145 nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式22 nA（5个唤醒引脚）。 -待机模式106 nA（5个唤醒引脚）。 -带RTC的待机模式375 nA。 -停止2模式2.05 µA，带RTC时2.40 µA。 -运行模式84 µA/MHz

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型号：STM32U535VEI6Q 编号：C22406428

封装：UFBGA-100(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。采用FlexPowerControl实现超低功耗。1.71 V至3.6 V电源，-40℃至+85/125℃温度范围。低功耗背景自主模式（LPBAM）：具有DMA的自主外设，功能可低至Stop 2模式。VBAT模式：为RTC、32×32位备份寄存器和2 Kbyte备份SRAM供电。90 nA关机模式（23个唤醒引脚）。200 nA待机模式（23个唤醒引脚）。370 nA带RTC的待机模式

1+
￥49.18
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￥47.39

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型号：STM32F091CBT7TR 编号：C529324

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

基于 ARM 的 32 位 MCU，高达 256 KB 闪存，具备 CAN、12 个定时器、ADC、DAC 和通信接口，工作电压 2.0-3.6V。

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￥49.69
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￥48.56
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型号：STM32F334K6T7 编号：C529325

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带FPU的32位Arm Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法DSP指令。高达64 KB的闪存。高达12 KB带硬件奇偶校验的SRAM。程序加速器：指令和数据总线上4 KB带硬件奇偶校验的SRAM（CCM）。 CRC计算单元。复位和电源管理。低功耗模式：睡眠、停止、待机。 VDD、VDA电压范围：2.0至3.6 V

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1+
￥49.78
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￥42.75
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￥37.2

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型号：STM32F072RBT7 编号：C1337545

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。存储器：64至128 KB的闪存；16 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：数字和I/O电源：VDD = 2.0 V至3.6 V；模拟电源：VDDA = VDD至3.6 V；选定的I/Os：VDDIO2 = 1.65 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；用于RTC的32 kHz振荡器，带校准功能；内部8 MHz RC，有x6 PLL选项；内部40 kHz RC振荡器；基于外部同步自动微调的内部48 MHz振荡器。多达87个快速I/O：均可映射到外部中断向量；多达68个具有5V容限能力的I/O，19个具有独立电源VDDIO2

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1+
￥50.6
10+
￥43.3
30+
￥38.85

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型号：STM32MP135DAG7 编号：C20033862

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

1+
￥50.76
10+
￥49.6
30+
￥48.83

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型号：STM32F410RBI6 编号：C1341605

封装：UFBGA-64

品牌：ST(意法半导体)

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1+
￥50.9
10+
￥49.68
30+
￥48.87

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型号：STM32G0B1KBT3 编号：C5270167

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU，高达128KB Flash，144KB RAM，6x USART，定时器，ADC，DAC，通讯。 I/F，1.7-3.6V

1+
￥50.9
10+
￥49.68
30+
￥48.87

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型号：STM32WBA65PII6 编号：C45066921

封装：UFBGA-121(6x6)

品牌：ST(意法半导体)

1+
￥50.92
10+
￥49.75
30+
￥48.98

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型号：STM32F446ZEH6 编号：C2970111

封装：UFBGA-144

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达180 MHz，具备MPU，225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：512 KB闪存、128 KB SRAM、具有高达16位数据总线的灵活外部存储器控制器，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存、双模式QuadSPI接口。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：1.7 V至3.6 V应用电源和I/O、POR、PDR、PVD和BOR、4至26 MHz晶体振荡器、内部16 MHz工厂校准RC（精度1%）、用于RTC的32 kHz振荡器及校准、内部32 kHz RC及校准。低功耗：支持睡眠、停止和待机模式。 VBAT为RTC供电，20×32位备份寄存器加上可选的4 KB备份SRAM。 3个12位、2.4 MSPS ADC：多达24个通道，三重交错模式下可达7.2 MSPS。 2个12位D/A转换器

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1+
￥51.18
10+
￥49.88
30+
￥49.02

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型号：STM32F071V8T7 编号：C1341776

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。存储器：64至128 KB的闪存；16 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：数字和I/O电源：VDD = 2.0 V至3.6 V；模拟电源：VDDA = VDD至3.6 V；选定的I/Os：VDDIO2 = 1.65 V至3.6 V；上电/掉电复位 (POR/PDR)；可编程电压检测器 (PVD)；低功耗模式：睡眠、停止、待机；V BAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；用于RTC的32 kHz振荡器，带校准功能；内部8 MHz RC，可选x6 PLL；内部40 kHz RC振荡器；基于外部同步自动微调的内部48 MHz振荡器。多达87个快速I/O：均可映射到外部中断向量；多达68个I/O具有5V容限能力，19个具有独立电源VDDIO2

数据手册

1+
￥51.33
10+
￥50.1
30+
￥49.28

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型号：STM32F373VBT6 编号：C2969965

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

数据手册

1+
￥52.05
10+
￥50.8
30+
￥49.96

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型号：STM32L452VCI6 编号：C1345395

封装：UFBGA-100

品牌：ST(意法半导体)

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1+
￥52.28
10+
￥51.03
30+
￥50.19

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型号：STM32U545REI6Q 编号：C22454679

封装：UFBGA-64

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。采用FlexPowerControl实现超低功耗。供电电压为1.71V至3.6V。工作温度范围为 -40°C至 +85/125°C。低功耗背景自主模式（LPBAM）：具有DMA的自主外设，功能可低至Stop 2模式。VBAT模式：为RTC、32×32位备份寄存器和2KB备份SRAM供电。关机模式电流为90nA（23个唤醒引脚）。待机模式电流为200nA（23个唤醒引脚）