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封装：LQFP-100(14x14)

特性：超低功耗平台: 1.65V 至 3.6V 电源。-40℃ 至 105℃ 温度范围。305nA 待机模式（3 个唤醒引脚）。1.15μA 待机模式 + RTC。0.475μA 停止模式（16 个唤醒线）。1.35μA 停止模式 + RTC。11μA 低功耗运行模式。230μA/MHz 运行模式

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型号：STM32G071R8T6 编号：C432214

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32F401VCT6 编号：C967632

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，具备批量采集模式（BAM），电源电压为1.7V至3.6V，温度范围为 -40℃至85/105/125℃。内核：采用带有FPU的32位Arm Cortex-M4 CPU，具备自适应实时加速器（ART Accelerator™），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达84 MHz，配备内存保护单元，性能达105 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：高达256 Kbytes的闪存，512字节的一次性可编程（OTP）存储器，高达64 Kbytes的静态随机存取存储器（SRAM）。

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型号：STM32F401RCT6TR 编号：C1339473

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，具备批量采集模式（BAM），电源电压为1.7V至3.6V，温度范围为 -40℃至85/105/125℃。内核：采用带有FPU的32位Arm Cortex-M4 CPU，具备自适应实时加速器（ART Accelerator™），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达84 MHz，配备内存保护单元，性能达105 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：高达256 Kbytes的闪存，512字节的一次性可编程（OTP）存储器，高达64 Kbytes的静态随机存取存储器（SRAM）。

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型号：STM32F401RBT6 编号：C75278

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，带批量采集模式（BAM）。1.7V至3.6V电源。40℃至85/105/125℃温度范围。核心：带FPU的ARM 32位Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator™），允许从闪存零等待状态执行，频率高达84 MHz，内存保护单元，105 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），以及DSP指令。高达256 KB的闪存。512字节的一次性可编程（OTP）内存。高达64 KB的静态随机存取存储器（SRAM）。时钟、复位和电源管理：1.7V至3.6V应用电源和I/O，POR、PDR、PVD和BOR，4至26 MHz晶体振荡器，内部16 MHz工厂校准RC，带校准的32 kHz RTC振荡器，带校准的内部32 kHz RC

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型号：STM32L073V8T6 编号：C186742

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台，1.65V 至 3.6V 电源，-40 至 125℃温度范围。 0.29μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。 0.43μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.86μA 停止模式 + RTC + 20KB RAM 保留。运行模式下低至 93μA/MHz。 5μs 唤醒时间（从闪存）。 10ksps 时 41μA 12 位 ADC 转换。内核：带 MPU 的 Arm 32 位 Cortex-M0+，从 32kHz 最高可达 32MHz，0.95 DMIPS/MHz

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型号：STM32L433CCU6 编号：C1341450

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。采用FlexPowerControl实现超低功耗。 -电源电压范围：1.71V至3.6V。 -温度范围：-40℃至85/105/125℃。 -VBAT模式下电流为200nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。 -待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。 -带RTC的待机模式电流为280nA

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型号：STM32F303K8T6 编号：C118318

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM Cortex-M4 32 位带 FPU 的 CPU（最高 72 MHz），单周期乘法和硬件除法，90 DMIPS（来自 CCM），DSP 指令。高达 64 KB 的闪存。 12 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。常规增强器：4 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM，位于指令和数据总线上。 CRC 计算单元。复位和电源管理。低功耗模式：睡眠、停止、待机。 VDD、VDA 电压范围：2.0 至 3.6 V

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型号：STM32F413VGT6TR 编号：C2055798

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，具备增强批量采集模式（eBAM），1.7至3.6V电源，-40℃至85/105/125℃温度范围。内核：32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM）允许从闪存零等待状态执行，频率高达100MHz，内存保护单元，125 DMiPS/1.25 DMiPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：高达1.5MB闪存，320KB SRAM，灵活的外部静态存储器控制器，数据总线高达16位，支持SRAM、PSRAM、NOR闪存；双模式Quad-SPI接口。

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型号：STM32G474VET6TR 编号：C1857438

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件:VDD、VDA电压范围：1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波器数学加速器。存储器:512 Kbytes闪存，支持ECC，双存储体可读写，有专有代码读出保护（PCROP）和可安全存储区域，1 Kbyte OTP。96 Kbytes SRAM，前32 Kbytes有硬件奇偶校验。32 Kbytes SRAM在指令和数据总线上，有硬件奇偶校验（CCM SRAM）。外部静态存储器接口FSMC，支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。四路SPI存储器接口

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型号：STM32F100VCT6 编号：C262945

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU，24 MHz 最大频率，1.25 DMIPS /MHz（Dhrystone 2.1）性能，单周期乘法和硬件除法。256 至 512 Kbytes 的闪存。24 至 32 Kbytes 的 SRAM。灵活的静态内存控制器，带有 4 个片选，支持 SRAM、PSRAM 和 NOR 内存。LCD 并行接口，8080/6800 模式。2.0 至 3.6V 应用电源和 I/O

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型号：STM32F107VCT6TR 编号：C967641

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

连接线路，基于 ARM 的 32 位 MCU，具有 64/256 KB 闪存、USB OTG、以太网、10 个定时器、2 个 CAN、2 个 ADC、14 个通信接口。

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型号：STM32H750IBT6 编号：C730201

封装：LQFP-176(24x24)

品牌：ST(意法半导体)

特性：32位Arm Cortex-M7内核，带双精度FPU和L1缓存：16 Kbytes数据缓存和16 Kbytes指令缓存；频率高达480 MHz，具备MPU、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。 128 Kbytes闪存。 1 Mbyte RAM：192 Kbytes TCM RAM（含64 Kbytes ITCM RAM + 128 Kbytes DTCM RAM用于时间关键程序），864 Kbytes用户SRAM，4 Kbytes备份域SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133 MHz。灵活的外部内存控制器，高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、NOR闪存同步模式时钟高达133 MHz，SDRAM/LPSDR SDRAM 8/16位，NAND闪存。 CRC计算单元。 ROP、PC-ROP、主动防篡改、安全固件升级支持、安全访问模式。多达168个I/O端口，具备中断能力

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型号：STM32H730ZBT6 编号：C730159

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

带 DP-FPU 的高性能 DSP、带 128 KB 闪存的 Arm Cortex-M7 MCU、564 KB RAM、550 MHz CPU、L1 缓存、外部存储器接口、包括加密加速器在内的外设子集

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型号：STM32F437IGT6 编号：C5269979

封装：LQFP-176(24x24)

品牌：ST(意法半导体)

32位Arm Cortex-M4 MCU+FPU，225DMIPS，高达2MB闪存/256 + 4KB RAM，加密功能，USB OTG HS/FS，以太网，17个定时器，3个ADC，20个通信接口，摄像头和LCD-TFT

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型号：STM32L152RET6 编号：C1337532

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源供电。40°C至105°C温度范围。290 nA待机模式（3个唤醒引脚）。1.11 μA待机模式 + RTC。560 nA停止模式（16个唤醒线）

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型号：STM32F765ZGT6 编号：C1337348

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。内核：采用32位Arm Cortex-M7 CPU，配备DPFPU、ART加速器和L1缓存，16KB的I/D缓存，可实现从嵌入式闪存和外部存储器的零等待状态执行，最高频率达216 MHz，具备MPU、462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。高达2MB的闪存，分为两个存储体，支持边读边写。 SRAM：512KB（包括128KB用于关键实时数据的数据TCM RAM）+ 16KB指令TCM RAM（用于关键实时程序）+ 4KB备份SRAM。灵活的外部存储器控制器，具备高达32位的数据总线，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND存储器。 Chrom-ART加速器（DMA2D），图形硬件加速器，可增强图形用户界面。硬件JPEG编解码器。 LCD-TFT控制器，支持高达XGA分辨率

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型号：STM32F777NIH6 编号：C528750

封装：TFBGA-216

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：采用32位Cortex-M7 CPU，配备DPFPU、ART Accelerator和L1缓存（16 Kbytes I/D缓存），允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，最高可达216 MHz，具备MPU、462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。内存：高达2 Mbytes闪存，分两个存储体，支持读写同时进行；SRAM为512 Kbytes（含128 Kbytes用于关键实时数据的数据TCM RAM）+ 16 Kbytes指令TCM RAM（用于关键实时程序）+ 4 Kbytes备份SRAM；灵活的外部存储器控制器，支持高达32位数据总线，可连接SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDRSDRAM、NOR/NAND存储器；支持双模式Quad-SPI。

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型号：STM32G031J6M6 编号：C432201

封装：SOIC-8-150mil

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40℃至85℃/125℃。内存:高达64 KB的闪存。8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围：1.7 V至3.6 V

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型号：STM32L031F6P6TR 编号：C2054042

封装：TSSOP-20-169mil

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台，1.65V至3.6V电源，-40至125℃温度范围。 0.23μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.35μA停止模式（16个唤醒线）。 0.6μA停止模式 + RTC + 8KB RAM保留。运行模式下低至76μA/MHz。 5μs唤醒时间（从闪存）

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型号：STM32L052C8T6 编号：C111213

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：1.65 V至3.6 V电源。 -40至125 ℃温度范围。 0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。 0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留。 88 μA/MHz运行模式

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型号：STM32L051K8T6 编号：C915970

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源。40至125℃温度范围。0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留

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型号：STM32F301K8U6 编号：C111684

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：内核：ARM 32 位 Cortex-M4 CPU，配有 FPU（最大 72 MHz），单周期乘法指令和硬件除法单元，DSP 指令。存储器：32 到 64 KB Flash，数据总线上有 16 K 字节的 SRAM。 CRC 计算单元。复位和电源管理：VDD、VDA 电压范围：2.0 至 3.6 V；开机 / 关机复位（POR/PDR）；可编程电压检测器 (PVD)；低功耗：睡眠、停止、待机；VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。时钟管理：4 至 32 MHz 晶振；带校准功能的 32 kHz RTC 振荡器；具有 x16 PLL 选项的内部 8 MHz RC；内部 40 kHz 振荡器。多达 51 个快速 I/O 端口，所有都可映射至外部中断向量，多个都能耐 5 V 电压。互连矩阵。 7 通道 DMA 控制器，支持定时器、ADC、SPI、I²C、USART、DAC

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型号：STM32L433VCT6 编号：C915966

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，具备FlexPowerControl。1.71V至3.6V电源。-40℃至85/105/125℃温度范围。V(BAT)模式下200nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。8nA关机模式（5个唤醒引脚）。28nA待机模式（5个唤醒引脚）。带RTC的280nA待机模式。1.0μA停止2模式，带RTC时1.28μA

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型号：STM32L412K8T6 编号：C529436

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。1.71V至3.6V电源。-40℃至85/125℃温度范围。V_BAT模式下300nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。16nA关机模式（4个唤醒引脚）。32nA待机模式（4个唤醒引脚）。RTC待机模式下245nA。停止2模式下0.7μA，带RTC时0.95μA

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型号：STM32F103ZDT6 编号：C8302

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex™-M3 CPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），单周期乘法和硬件除法。 256至512 Kbytes的闪存，高达64 Kbytes的SRAM。灵活的静态内存控制器，带有4个片选，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口，8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz带校准的RC，32 kHz带校准的RTC振荡器。睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电

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型号：STM32F446VET6 编号：C91929

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心:ARM 32 位 Cortex M4 CPU 带 FPU,自适应实时加速器(ART AcceleratorTM)允许从闪存零等待状态执行,频率高达 180 MHz,具备 MPU、225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和 DSP 指令。存储器:512 kB 闪存、128 KB SRAM,灵活的外部存储器控制器,支持高达 16 位数据总线,可连接 SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、Flash NOR/NAND 存储器,具备双模式 Quad SPI 接口。LCD 并行接口,支持 8080/6800 模式。时钟、复位和电源管理:1.7 V 至 3.6 V 应用电源和 I/O,具备 POR、PDR、PVD 和 BOR,4 至 26 MHz 晶体振荡器,内部 16 MHz 工厂校准 RC(精度 1%),32 kHz 用于 RTC 的振荡器且可校准,内部 32 kHz RC 且可校准。

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型号：STM32H523RET6 编号：C22456086

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU，具备TrustZone、FPU，频率高达250 MHz，MPU，375 DMIPS（Dhrystone 2.1）。 8 Kbyte指令缓存，可实现从闪存和外部存储器的零等待状态执行；4 Kbyte外部存储器数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz（Drystone 2.1）。 1023 CoreMark（4.092 CoreMark/MHz）。高达512 Kbyte的嵌入式闪存，带ECC，两个存储体可在写入时读取，每个存储体高达48 Kbyte，具有高循环能力（100 K周期）用于数据闪存。 2 Kbyte OTP（一次性可编程）。 272 Kbyte SRAM（80 Kbyte SRAM2带ECC）

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型号：STM32F373RCT6 编号：C84174

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，带浮点单元（FPU）和内存保护单元（MPU）的DSP指令。1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：64至256 Kbytes的闪存，32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0至3.6 V，上电/掉电复位（POR/PDR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式（睡眠、停止、待机），RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器，用于RTC的32kHz振荡器（带校准），内部8 MHz RC（带x16 PLL选项），内部40kHz振荡器

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型号：STM32F446RCT7 编号：C1338449

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达180 MHz，具备MPU，225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：512 KB闪存、128 KB SRAM、具有高达16位数据总线的灵活外部存储器控制器，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存、双模式QuadSPI接口。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：1.7 V至3.6 V应用电源和I/O、POR、PDR、PVD和BOR、4至26 MHz晶体振荡器、内部16 MHz工厂校准RC（精度1%）、用于RTC的32 kHz振荡器及校准、内部32 kHz RC及校准。低功耗：支持睡眠、停止和待机模式。 VBAT为RTC供电，20×32位备份寄存器加上可选的4 KB备份SRAM。 3个12位、2.4 MSPS ADC：多达24个通道，三重交错模式下可达7.2 MSPS。 2个12位D/A转换器

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