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型号：STM32F437IGT6 编号：C5269979

封装：LQFP-176(24x24)

品牌：ST(意法半导体)

32位Arm Cortex-M4 MCU+FPU，225DMIPS，高达2MB闪存/256 + 4KB RAM，加密功能，USB OTG HS/FS，以太网，17个定时器，3个ADC，20个通信接口，摄像头和LCD-TFT

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￥78.12
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型号：STM32F767BIT6 编号：C129276

封装：LQFP-208(28x28)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M7 CPU 带 DPFPU、ART Accelerator 和 L1 缓存：16KB I/D 缓存，允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，最高 216MHz，MPU，462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），以及 DSP 指令。高达 2MB 的闪存，分为两个存储体，支持读写同时进行。SRAM：512KB（包括 128KB 用于关键实时数据的数据 TCM RAM）+ 16KB 指令 TCM RAM（用于关键实时程序）+ 4KB 备份 SRAM。灵活的外部存储器控制器，高达 32 位数据总线：支持 SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDRSDRAM、NOR/NAND 存储器。双模式 Quad-SPI。图形 Chrom-ART 加速器（DMA2D），图形硬件加速器，支持增强图形用户界面。硬件 JPEG 编解码器。LCD-TFT 控制器，支持高达 XGA 分辨率

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￥83.43
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￥79.66
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型号：STM32C011F4P6 编号：C5452432

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达48 MHz。工作温度：-40℃至85℃ / 105℃ / 125℃。存储器: -高达32 KB的带保护的闪存。6 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理: -电压范围：2.0 V至3.6 V

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型号：STM32G031F6P6 编号：C529333

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C/105°C/125°C。存储器：高达64 KB的闪存，具备保护和可安全区域；8 KB的SRAM，带硬件奇偶校验。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；32 kHz晶体振荡器，带校准；内部16 MHz RC，可选PLL（±1%）；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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型号：STM32F031F6P6 编号：C465971

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。存储器：16至32 Kbytes的闪存，4 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：数字和I/O电源：2.0至3.6 V；模拟电源：V(DDA) = 从V(DD)至3.6 V；上电/掉电复位(POR/PDR)；可编程电压检测器(PVD)；低功耗模式：睡眠、停止和待机；V(BAT)为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；32 kHz用于RTC的振荡器，带校准；内部8 MHz RC，有x6 PLL选项；内部40 kHz RC振荡器。多达39个快速I/O：所有可映射到外部中断向量；多达26个I/O具有5 V容限能力

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型号：STM32G031G6U6 编号：C432210

封装：UFQFPN-28(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40℃至85℃/125℃。内存:高达64 KB的闪存。8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围：1.7 V至3.6 V

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型号：STM32F070RBT6 编号：C99379

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

基于ARM的32位MCU，高达128 KB闪存，USB FS 2.0，11个定时器，ADC，通信接口，2.4-3.6 V

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型号：STM32C071CBT6 编号：C42293214

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。内核：Arm 32位Cortex-M0+ CPU，频率高达48 MHz。工作温度范围：-40℃至85℃/105℃/125℃。高达128 KB的闪存，带有保护和可安全区域。 24 KB的SRAM，带有硬件奇偶校验。 CRC计算单元

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型号：STM32L071KBU6 编号：C911078

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源，-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。 0.43μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.86μA 停止模式 + RTC + 20KB RAM 保留。运行模式低至 93μA/MHz

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型号：STM32F042K6U6TR 编号：C2053439

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

STM32F042x4/x6 微控制器集成了高性能 ARM Cortex-M0 32 位 RISC 核心，工作频率高达 48 MHz，具有高速嵌入式存储器（高达 32 KB 的 Flash 存储器和 6 KB 的 SRAM），以及广泛的增强型外设和 I/O。所有设备均提供标准通信接口（一个 I2C、两个 SPI/一个 I2S、一个 HDMI CEC 和两个 USART），一个 USB 全速设备（无晶体），一个 CAN，一个 12 位 ADC，四个 16 位定时器，一个 32 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。

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型号：STM32F302CCT6 编号：C262946

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：基于 Arm Cortex-M4 的 32 位 CPU 带 FPU（最高 72 MHz），单周期乘法和硬件除法，DSP 指令和 MPU（内存保护单元）。工作条件：VDD、VDDA 电压范围：2.0 V 至 3.6 V。内存：128 至 256 KB 的闪存；高达 40 KB 的 SRAM，前 16 KB 实现硬件奇偶校验。 CRC 计算单元。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止和待机；为 RTC 和备份寄存器提供 VBAT 电源。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器；用于 RTC 的 32 kHz 振荡器，带校准；内部 8 MHz RC，有 x 16 PLL 选项；内部 40 kHz 振荡器。多达 87 个快速 I/O：所有可映射到外部中断向量；多个 5 V 容忍。互连矩阵

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型号：STM32F103VCT6TR 编号：C2052763

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Arm Cortex-M3 CPU。最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。单周期乘法和硬件除法。256至512 Kbytes的闪存。高达64 Kbytes的SRAM。具有4个片选的灵活静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存

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￥19.6

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型号：STM32L073RZT6 编号：C77160

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65V至3.6V电源。 -40至125°C温度范围。 0.29μA待机模式（3个唤醒引脚）。 0.43μA停止模式（16个唤醒线）。 0.86μA停止模式 + RTC + 20KB RAM保留

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型号：STM32G071EBY6TR 编号：C529344

封装：WLCSP-25(2.3x2.5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C/105°C/125°C。存储器：高达128 Kbytes的闪存，带有保护和可安全区域；36 Kbytes的SRAM（32 Kbytes带硬件奇偶校验）。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；32 kHz晶体振荡器，带校准；内部16 MHz RC，可选PLL（±1%）；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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￥22.73
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型号：STM32F412RET6TR 编号：C2053584

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线与批量采集模式（BAM）。内核：32位Arm Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM）允许从闪存无等待状态执行，频率高达100MHz，具备内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：高达1MB的闪存；256KB的SRAM；灵活的外部静态存储器控制器，数据总线高达16位，支持SRAM、PSRAM、NOR闪存；双模式Quad-SPI接口。

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型号：STM32F205RBT6 编号：C8364

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU（最高120 MHz），带有自适应实时加速器（ART Accelerator允许从闪存中实现零等待状态执行性能），MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。高达1 Mbyte的闪存。 512字节的一次性可编程（OTP）内存。高达128 + 4 Kbytes的SRAM。灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口，8080/6800模式

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￥29.6
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型号：STM32H523RET6 编号：C22456086

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU，具备TrustZone、FPU，频率高达250 MHz，MPU，375 DMIPS（Dhrystone 2.1）。 8 Kbyte指令缓存，可实现从闪存和外部存储器的零等待状态执行；4 Kbyte外部存储器数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz（Drystone 2.1）。 1023 CoreMark（4.092 CoreMark/MHz）。高达512 Kbyte的嵌入式闪存，带ECC，两个存储体可在写入时读取，每个存储体高达48 Kbyte，具有高循环能力（100 K周期）用于数据闪存。 2 Kbyte OTP（一次性可编程）。 272 Kbyte SRAM（80 Kbyte SRAM2带ECC）

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￥35.29
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型号：STM32F373RCT6 编号：C84174

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，带浮点单元（FPU）和内存保护单元（MPU）的DSP指令。1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：64至256 Kbytes的闪存，32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0至3.6 V，上电/掉电复位（POR/PDR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式（睡眠、停止、待机），RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器，用于RTC的32kHz振荡器（带校准），内部8 MHz RC（带x16 PLL选项），内部40kHz振荡器

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￥30.06

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型号：STM32F103ZDT6 编号：C8302

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex™-M3 CPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），单周期乘法和硬件除法。 256至512 Kbytes的闪存，高达64 Kbytes的SRAM。灵活的静态内存控制器，带有4个片选，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口，8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz带校准的RC，32 kHz带校准的RTC振荡器。睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电

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型号：STM32F103ZET6TR 编号：C14508

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex™-M3 CPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），单周期乘法和硬件除法。 256至512 Kbytes的闪存，高达64 Kbytes的SRAM。灵活的静态内存控制器，带有4个片选，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口，8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz带校准的RC，32 kHz带校准的RTC振荡器。睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电

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型号：STM32F429ZET6 编号：C84456

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带有 FPU 的 ARM 32 位 Cortex M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存中零等待状态执行，频率高达 180 MHz，具备 MPU 和 DSP 指令。高达 2 MB 的闪存，分为两个存储体，支持读写同时进行。高达 256 + 4 KB 的 SRAM，包括 64 KB 的 CCM（核心耦合内存）数据 RAM。灵活的外部内存控制器，具有高达 32 位的数据总线：支持 SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND 内存。LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。LCD-TFT 控制器，高达 KGA 分辨率，带有专用的 Chrom-ART Accelerator（DMA2D）用于增强图形内容创建。时钟、复位和电源管理:1.7 V 至 3.6 V 应用电源和 I/O。POR、PDR、PVD 和 BOR

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￥43.29
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型号：STM32F103V8T6 编号：C2685653

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU。最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhystone 2.1）。单周期乘法和硬件除法。 64或128 KB的闪存。 20 KB的SRAM。 2.0至3.6V应用电源和I/O

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型号：STM32H743VGT6 编号：C730183

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：32位Arm Cortex-M7内核，带双精度FPU和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存；频率高达480MHz，MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhystone 2.1），以及DSP指令。高达2MB的闪存，支持边读边写。高达1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序），高达864KB的用户SRAM，以及4KB备份域中的SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达100MHz。CRC计算单元。ROP、PC-ROP、主动篡改保护。高达168个具有中断能力的I/O端口

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型号：STM32F303VDT6 编号：C1338282

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM Cortex-M4 32位CPU，带有72 MHz FPU、单周期乘法和硬件除法、90 DMIPS（来自CCM）、DSP指令和MPU（内存保护单元）。 VDD、VDA电压范围：2.0V至3.6V。高达512 Kbytes的闪存，64 Kbytes的SRAM，前32 Kbytes实现硬件奇偶校验。常规增强器：指令和数据总线上16 Kbytes的SRAM，带硬件奇偶校验（CCM）。用于静态存储器的灵活内存控制器（FSMC），带有四个片选。 CRC计算单元。上电/掉电复位（POR/PDR）。可编程电压检测器（PVD）

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型号：STM32G473VET3 编号：C2970883

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。内核：具有FPU的32位Arm Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，具有213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：用于三角函数加速的CORDIC；滤波器数学加速器FMAC。存储器：512 KB的闪存，支持ECC，双存储体可读写，具备专有代码读取保护（PCROP）和可安全存储区域，1 KB OTP；96 KB的SRAM，前32 KB实现硬件奇偶校验；32 KB的SRAM位于指令和数据总线上，具备硬件奇偶校验（CCM SRAM）；支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器的静态存储器外部存储器接口FSMC；Quad-SPI存储器接口。

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型号：STM32F746BGT6 编号：C1337368

封装：LQFP-208(28x28)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带有浮点单元（FPU）、自适应实时加速器（ART AcceleratorTM）和L1缓存（4KB数据缓存和4KB指令缓存）的ARM 32位Cortex-M7 CPU，允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，频率高达216 MHz，具备内存保护单元（MPU），462 DMIPS / 2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。

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