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型号：STM32F103VBT6+TD 编号：C53327628

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

32位MCU，封装：LQFP100，3个12位ADC，2个12位DAC，

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￥16.74
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型号：STM32F301C8T6 编号：C133231

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：内核：ARM 32 位 Cortex-M4 CPU，配有 FPU（最大 72 MHz），单周期乘法指令和硬件除法单元，DSP 指令。存储器：32 到 64 KB Flash，数据总线上有 16 K 字节的 SRAM。 CRC 计算单元。复位和电源管理：VDD、VDA 电压范围：2.0 至 3.6 V；开机 / 关机复位（POR/PDR）；可编程电压检测器 (PVD)；低功耗：睡眠、停止、待机；VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。时钟管理：4 至 32 MHz 晶振；带校准功能的 32 kHz RTC 振荡器；具有 x16 PLL 选项的内部 8 MHz RC；内部 40 kHz 振荡器。多达 51 个快速 I/O 端口，所有都可映射至外部中断向量，多个都能耐 5 V 电压。互连矩阵。 7 通道 DMA 控制器，支持定时器、ADC、SPI、I²C、USART、DAC

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￥17.92
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型号：STM32F072CBU6 编号：C92504

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

STM32F072X8/XB 微控制器集成了高性能的 ARM CorteX-M0 32位 RISC 内核，工作频率可达48MHz，高速嵌入式存储器（高达128KB的闪存和16KB的SRAM），以及一系列增强型外设和I/O。所有设备提供了标准通信接口（两个I2C、两个SPI/I2S、一个HDMI CEC和四个USART）、一个USB全速设备（无需晶体）、一个CAN、一个12位ADC、一个带有两个通道的12位DAC、七个16位定时器、一个32位定时器和一个高级控制PWM定时器。STM32F072X8/XB微控制器的工作温度范围为-40至+85℃或-40至+105℃，供电电压范围为2.0V至3.6V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。STM32F072X8/XB微控制器包括七种不同封装形式的产品，从48引脚到100引脚不等，并可根据需求提供裸片形式。根据所选设备的不同，包含不同的外设组合。这些特性使得STM32F072X8/XB微控制器适用于广泛的应用领域，如应用控制与用户界面、手持设备、A/V接收机和数字电视、PC外围设备、游戏和GPS平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、可视对讲门铃和暖通空调系统。

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型号：STM32F071RBT6 编号：C86256

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。存储器：64至128 KB的闪存。16 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：数字和I/O电源：VDD = 2.0V至3.6V。模拟电源：VDDA = VDD至3.6V

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型号：STM32L073V8T6 编号：C186742

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台，1.65V 至 3.6V 电源，-40 至 125℃温度范围。 0.29μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。 0.43μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.86μA 停止模式 + RTC + 20KB RAM 保留。运行模式下低至 93μA/MHz。 5μs 唤醒时间（从闪存）。 10ksps 时 41μA 12 位 ADC 转换。内核：带 MPU 的 Arm 32 位 Cortex-M0+，从 32kHz 最高可达 32MHz，0.95 DMIPS/MHz

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￥22.24
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型号：STM32F102R6T6A 编号：C1339217

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：Arm 32位Cortex-M3 CPU。最高频率48 MHz，在0 WS内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhystone 2.1）。单周期乘法和硬件除法。16或32 Kbytes的闪存。4或6 Kbytes的SRAM。2.0至3.6V应用电源和I/O

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型号：STM32F072C8U6 编号：C784818

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32F205VCT6 编号：C95445

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU（最高120 MHz），带自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现闪存零等待状态执行性能，具备MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：高达1 Mbyte闪存；512字节OTP存储器；高达128 + 4 Kbytes SRAM；灵活的静态存储器控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器；LCD并行接口，8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：1.8至3.6 V应用电源 + I/O；POR、PDR、PVD和BOR；4至26 MHz晶体振荡器；内部16 MHz工厂校准RC；32 kHz RTC振荡器，带校准；内部32 kHz RC，带校准。低功耗模式：睡眠、停止和待机模式；VBAT为RTC、20×32位备份寄存器和可选4 KB备份SRAM供电。3个12位、0.5 μs ADC，多达24个通道，三重交错模式下高达6 MSPS。2个12位D/A转换器

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￥22.99
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型号：STM32WB15CCU6 编号：C3606695

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 2.4 GHz射频收发器，支持蓝牙5.3规范，接收灵敏度：-95.5 dBm（蓝牙低功耗1 Mbps），可编程输出功率高达+5.5 dBm，步长为1 dB。集成巴伦以减少物料清单。支持2 Mbps。专用的Arm 32位Cortex M0+ CPU用于实时无线电层。精确的接收信号强度指示（RSSI）以实现功率控制。适用于需要符合射频法规ETSI EN 300 328、EN 300 440、FCC CFR47 Part 15和ARIB STD-T66的系统。支持外部功率放大器（PA）

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￥29.52
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型号：STM32F100CBT7BTR 编号：C2053325

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU。最高24 MHz频率，1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）性能。单周期乘法和硬件除法。 16至128 KB的闪存。 4至8 KB的SRAM。 2.0至3.6 V应用电源和I/O

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型号：STM32L433RCT6 编号：C160656

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。采用FlexPowerControl实现超低功耗。 -电源电压范围：1.71V至3.6V。 -温度范围：-40℃至85/105/125℃。 -VBAT模式下电流为200nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。 -待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。 -带RTC的待机模式电流为280nA

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￥29.02
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型号：STM32F101VBT6 编号：C8316

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU，最高频率 36 MHz，在 0 等待状态内存访问时性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），单周期乘法和硬件除法。 64 至 128 Kbytes 的闪存。 10 至 16 Kbytes 的 SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），4 至 16 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC，用于 CPU 时钟的 PLL，32 kHz 带校准的 RTC 振荡器。低功耗：睡眠、停止和待机模式，V_BAT 为 RTC 和备份寄存器供电。调试模式：串行线调试（SWD）和 JTAG 接口

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￥29.37 ￥97.9
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型号：STM32WL55CCU6 编号：C5270474

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

Sub-GHz 无线微控制器。双核 Arm Cortex-M4/M0+ @48 MHz，具有 256 KB 闪存、64 KB SRAM。 LoRa、(G)FSK、(G)MSK、BPSK 调制。 AES 256 位。多协议片上系统。

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型号：STM32U575OIY6QTR 编号：C5271033

封装：WLCSP-90

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗，采用带 Trust Zone 的 FPU Arm Cortex-M33、具有 1Mbytes 闪存的 160 MHz MCU

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型号：STM32H750IBT6 编号：C730201

封装：LQFP-176(24x24)

品牌：ST(意法半导体)

特性：32位Arm Cortex-M7内核，带双精度FPU和L1缓存：16 Kbytes数据缓存和16 Kbytes指令缓存；频率高达480 MHz，具备MPU、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。 128 Kbytes闪存。 1 Mbyte RAM：192 Kbytes TCM RAM（含64 Kbytes ITCM RAM + 128 Kbytes DTCM RAM用于时间关键程序），864 Kbytes用户SRAM，4 Kbytes备份域SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133 MHz。灵活的外部内存控制器，高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、NOR闪存同步模式时钟高达133 MHz，SDRAM/LPSDR SDRAM 8/16位，NAND闪存。 CRC计算单元。 ROP、PC-ROP、主动防篡改、安全固件升级支持、安全访问模式。多达168个I/O端口，具备中断能力

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￥72.25
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型号：STM32G473VEH6TR 编号：C3210606

封装：TFBGA-100

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。内核：具有FPU的32位Arm Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，具有213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：用于三角函数加速的CORDIC；滤波器数学加速器FMAC。存储器：512 KB的闪存，支持ECC，双存储体可读写，具备专有代码读取保护（PCROP）和可安全存储区域，1 KB OTP；96 KB的SRAM，前32 KB实现硬件奇偶校验；32 KB的SRAM位于指令和数据总线上，具备硬件奇偶校验（CCM SRAM）；支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器的静态存储器外部存储器接口FSMC；Quad-SPI存储器接口。

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￥75.28
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￥64.9
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型号：STM32U575RIT6 编号：C5270993

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗，采用带 Trust Zone 的 FPU Arm Cortex-M33、具有 1Mbytes 闪存的 160 MHz MCU

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￥84.46
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型号：STM32F437VGT6 编号：C2971062

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

32位Arm Cortex-M4 MCU+FPU，225DMIPS，高达2MB闪存/256 + 4KB RAM，加密功能，USB OTG HS/FS，以太网，17个定时器，3个ADC，20个通信接口，摄像头和LCD-TFT

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单价：
￥84.68 / 个

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型号：STM32F469IIT6 编号：C117839

封装：LQFP-176(24x24)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位ARM Cortex M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM），允许从闪存零等待状态执行，频率高达180 MHz，具备MPU，225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。内存：高达2 MB闪存，分为两个存储体，支持边读边写；高达384 + 4 KB SRAM，包括64 KB CCM（核心耦合内存）数据RAM；灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线，支持SRAM、FSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Flash NOR/NAND内存；双闪存模式Quad-SPI接口。

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型号：STM32H735RGV6 编号：C5271173

封装：VFQFPN-68(8x8)

品牌：ST(意法半导体)

带 DP-FPU 的高性能 DSP、带 1 MB 闪存的 Arm Cortex-M7 MCU、564 KB RAM、550 MHz CPU、L1 缓存、外部存储器接口、SMPS、包括加密加速器的外设子集

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型号：STM32H747IIT6 编号：C730199

封装：LQFP-176(24x24)

品牌：ST(意法半导体)

特性：双核：32位Arm Cortex-M7内核，具有双精度FPU和16KB数据与16KB指令缓存，频率高达480MHz，具备MPU、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令；32位Arm Cortex-M4内核，具有FPU、自适应实时加速器（ART Accelerator），频率高达240MHz，具备MPU、300 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。

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型号：STM32U595RJT6Q 编号：C27526235

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V，温度范围为-40°C至 + 85/125°C。低功耗背景自主模式（LPBAM）：带DMA的自主外设，功能可低至Stop 2模式。 VBAT模式：为RTC、32×32位备份寄存器和2KB备份SRAM供电。 150nA关机模式（24个唤醒引脚）。 195nA待机模式（24个唤醒引脚）。 480nA带RTC的待机模式

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型号：STM32F051K8T6 编号：C465973

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

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￥7.35

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型号：STM32C031K6U6 编号：C5456204

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：32位Cortex-M0+ CPU核心，频率高达48 MHz。工作温度范围：-40°C至85°C/105°C/125°C。高达32 Kbytes的闪存，具备保护功能。 12 Kbytes的SRAM，带硬件奇偶校验。 CRC计算单元。复位和电源管理: -电压范围：2.0 V至3.6 V

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型号：STM32L052R8T6 编号：C139720

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：1.65 V至3.6 V电源。 -40至125 ℃温度范围。 0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。 0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留。 88 μA/MHz运行模式

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￥11.9828 ￥20.66
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￥9.432 ￥19.65
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型号：STM32F101V8T6 编号：C8351

封装：QFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU，最高频率 36 MHz，在 0 等待状态内存访问时性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），单周期乘法和硬件除法。 64 至 128 Kbytes 的闪存。 10 至 16 Kbytes 的 SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），4 至 16 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC，用于 CPU 时钟的 PLL，32 kHz 带校准的 RTC 振荡器。低功耗：睡眠、停止和待机模式，V_BAT 为 RTC 和备份寄存器供电。调试模式：串行线调试（SWD）和 JTAG 接口

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￥13.02 ￥23.25
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￥7.3548 ￥20.43
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￥7.3044 ￥20.29

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型号：STM32F411CCY6TR 编号：C1852742

封装：WLCSP-49

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32L011D4P6TR 编号：C1852728

封装：TSSOP-14

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源。 -40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.23μA 待机模式（2 个唤醒引脚）。 0.29μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.54μA 停止模式 + RTC + 2KB RAM 保留

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￥14.64
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￥12.44
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￥11.06
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￥9.65

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型号：STM32F072RBT6TR 编号：C2052868

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。存储器：64至128 KB的闪存；16 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：数字和I/O电源：VDD = 2.0 V至3.6 V；模拟电源：VDDA = VDD至3.6 V；选定的I/Os：VDDIO2 = 1.65 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；用于RTC的32 kHz振荡器，带校准功能；内部8 MHz RC，有x6 PLL选项；内部40 kHz RC振荡器；基于外部同步自动微调的内部48 MHz振荡器。多达87个快速I/O：均可映射到外部中断向量；多达68个具有5V容限能力的I/O，19个具有独立电源VDDIO2

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￥12.39
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型号：STM32F051K6T7 编号：C1338923

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。16至64 KB的闪存。8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。数字和I/O电源：VDD = 2.0V至3.6V。模拟电源：VDA从VDD至3.6V

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