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特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU，最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。存储器：64 至 256 Kbytes 的闪存，64 Kbytes 的通用 SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），3 至 25 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC 带校准，32 kHz 振荡器用于 RTC 带校准。

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型号：STM32H743VIT6 编号：C114409

封装：LQFP-100(14x14)

特性：32位Arm Cortex-M7内核，带双精度FPU和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存；频率高达480MHz，MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhystone 2.1），以及DSP指令。高达2MB的闪存，支持边读边写。高达1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序），高达864KB的用户SRAM，以及4KB备份域中的SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达100MHz。CRC计算单元。ROP、PC-ROP、主动篡改保护。高达168个具有中断能力的I/O端口

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型号：STM32L031G6U6 编号：C96514

封装：UFQFPN-28(4x4)

特性：超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源。 -40℃至 125℃温度范围。 0.23μA 待机模式（2 个唤醒引脚）。 0.35μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.6μA 停止模式 + RTC + 8KB RAM 保留

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型号：GD32F303CBT6 编号：C3013779

封装：LQFP-48(7x7)

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型号：EFM8BB21F16G-C-QFN20R 编号：C80713

封装：QFN-20-EP(3x3)

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

EFM8BB2属于忙碌蜂系列MCU的一部分，是一条多功能的8位微控制器产品线，具有全面的功能集且封装小巧。这些设备通过将先进的模拟功能和增强的高速通信外设集成到小尺寸封装中提供了高价值，使其非常适合空间受限的应用。凭借高效的8051内核、增强的脉宽调制以及精密的模拟功能，EFM8BB2系列也非常适合嵌入式应用。EFM8BB2的应用包括电机控制、消费电子产品、传感器控制器、医疗设备、照明系统以及高速通信中心。主要特性包括一个具有50 MHz最高工作频率的流水线8位C8051内核，最多22个多功能、耐5V输入/输出引脚，一个12位模数转换器(ADC)，两个内置DAC作为参考输入的低电流模拟比较器，集成温度传感器，带有特殊硬件杀/安全状态能力的3通道PWM/PCA，五个16位定时器，两个UART，SPI，SMBus/I2C主/从和I2C从机接口，以及用于灵活引脚映射的优先级交叉开关。

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型号：GD32F303RET6 编号：C116152

封装：LQFP-64(10x10)

120MHZ Cortex-M4内核 16位ADC 5个Uart 1CAN USB

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型号：GD32F303RGT6 编号：C880040

封装：LQFP-64(10x10)

它是基于 ARM Cortex-M4 RISC 内核的新型 32 位通用微控制器，在增强处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳性价比。Cortex-M4 内核实现了全套 DSP 指令，以满足对控制和信号处理能力高效、易用融合有需求的数字信号控制市场。它还提供了内存保护单元 (MPU) 和强大的跟踪技术，以增强应用程序安全性和高级调试支持。该设备集成了以 120 MHz 频率运行的 ARM Cortex-M4 32 位处理器内核，闪存访问零等待状态以获得最高效率。它提供高达 3072 KB 的片上闪存和 96 KB 的 SRAM。大量增强的 I/O 和外设连接到两条 APB 总线

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型号：STM32F103RBT6 编号：C8735

封装：LQFP-64(10x10)

特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART

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型号：S9KEAZ128AMLH 编号：C133172

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：NXP(恩智浦)

特性：工作范围: 电压范围：2.7 至5.5 V。 Flash 编程电压范围：2.7 至5.5 V。温度范围（环境）：-40 至125°C。性能: 最高48 MHz 的ARM Cortex-M0+ 内核。单周期32 位 x 32 位乘法器。单周期I/O 访问端口

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型号：STM32F407ZET6 编号：C36869

封装：LQFP-144(20x20)

特性：核心：32 位 ARM Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM）允许从闪存执行零等待状态，具备内存保护单元，210 DMiPS / 1.25 DMiPS/MHz（Dhrystone 2.1）和 DSP 指令。内存：高达 1 Mbyte 的闪存；高达 192 + 4 Kbytes 的 SRAM，包括 64 Kbyte 的 CCM（核心耦合内存）数据 RAM；灵活的静态内存控制器，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口，8080/6800 模式。

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型号：STM32H743IIT6 编号：C89597

封装：LQFP-176(24x24)

特性：包含先进的专利技术。32 位 Arm Cortex-M7 内核，带双精度 FPU 和 L1 缓存：16 Kbytes 数据缓存和 16 Kbytes 指令缓存；频率高达 480 MHz，MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持 DSP 指令。高达 2 Mbytes 的闪存，支持读写操作。高达 1 Mbyte 的 RAM：192 Kbytes 的 TCM RAM（包括 64 Kbytes 的 ITCM RAM + 128 Kbytes 的 DTCM RAM 用于时间关键程序），高达 864 Kbytes 的用户 SRAM，以及 4 Kbytes 的备份域 SRAM。双模式 Quad-SPI 内存接口，运行频率高达 133 MHz。灵活的外部内存控制器，高达 32 位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND 闪存，同步模式下时钟频率高达 100 MHz。CRC 计算单元。ROP、PC-ROP、主动篡改保护

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型号：MCIMX6Y2CVM08AB 编号：C414042

封装：MAPBGA-289(14x14)

品牌：NXP(恩智浦)

i.MX 32-bit MPU, ARM Cortex-A7 core, 800MHz, 289BGAArm Cortex-A7Core: Number of cores (SPEC)1SRAM (kB)128支持外部存储器DDR3 SDRAM, DDR3L SDRAM, LPDDR2 DRAMSerial Communication4 x I?C, 4 x SPI, 8 x UARTI2S-CAN-Serial Audio Interface (SAI)-EthernetGPIOUSB ControllersTimer (bits)-PWM8ADC [Number, bits]2 x 12Supply Voltage [Min to Max] (V)Ambient Operating Temperature (Min to Max) (℃)

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型号：GD32F103VCT6 编号：C77789

封装：LQFP-100(14x14)

GD32F103VxT6为LQFP100封装

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型号：STM32F105RCT6 编号：C8345

封装：LQFP-64(10x10)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU，最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。存储器：64 至 256 Kbytes 的闪存，64 Kbytes 的通用 SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），3 至 25 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC 带校准，32 kHz 振荡器用于 RTC 带校准。

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型号：FS32K144UAT0VLLT 编号：C513785

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：NXP(恩智浦)

特性：电压范围：2.7 V至5.5 V。环境温度范围：HSRUN模式下为 -40℃至105℃，RUN模式下为 -40℃至150℃。 Arm Cortex-M4F/M0+ 32位CPU核心。支持高达112 MHz频率（HSRUN模式），每MHz 1.25 Dhrystone MIPS。基于Armv7架构和Thumb-2 ISA的Arm核心。集成数字信号处理器（DSP）。可配置嵌套向量中断控制器（NVIC）。单精度浮点单元（FPU）

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型号：STM32H750VBT6 编号：C404010

封装：LQFP-100(14x14)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 32位Arm Cortex-M7内核，带双精度浮点单元和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存；频率高达480MHz，具备内存保护单元、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。 128KB闪存。 1MB RAM：192KB TCM RAM（包括64KB ITCM RAM + 128KB用于时间关键程序的DTCM RAM），864KB用户SRAM和4KB备份域SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器，高达32位数据总线：同步模式下SRAM、PSRAM、NOR闪存时钟频率高达133MHz；支持SDRAM/LPSDR SDRAM；支持8/16位NAND闪存；具备CRC计算单元。支持ROP、PC-ROP、主动篡改保护、安全固件升级，具备安全访问模式。多达168个具有中断能力的I/O端口

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型号：STM32H7B0VBT6 编号：C730227

封装：LQFP-100(14x14)

带 DP-FPU 的高性能 DSP、带 128KB 闪存的 Arm Cortex-M7 MCU、1376 KB SRAM、280 MHz CPU、L1 缓存、图形加速、外部存储器接口、SMPS 和大量外设

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型号：STM32H743ZIT6 编号：C114408

封装：LQFP-144(20x20)

特性：32-bit Arm Cortex-M7核心，带双精度FPU和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存，允许从256位嵌入式闪存中单次访问填充一个缓存行；频率高达400MHz，具备MPU、856 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。高达2MB的闪存，支持读时写。 1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序），864KB的用户SRAM，以及4KB备份域中的SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达133MHz。 CRC计算单元。 ROP、PC-ROP、主动篡改保护。多达168个具有中断能力的I/O端口

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型号：MSP430G2553IPW28R 编号：C13622

封装：TSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

MSP430G2553 具有 16KB 闪存、512B SRAM、比较器、UART/SPI/I2C、计时器的 16MHz MCU

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型号：STM32L010F4P6 编号：C529415

封装：TSSOP-20

特性：超低功耗平台。 1.8V至3.6V电源，-40至85℃温度范围。 0.23μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.29μA停止模式（16个唤醒线）。 0.54μA停止模式 + RTC + 2Kbyte RAM保留。运行模式下低至76μA/MHz

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型号：ATMEGA128A-AU 编号：C6510

封装：TQFP-64(14x14)

高性能、低功耗的8位微控制器，采用先进的RISC架构，具有133条强大的指令，其中大多数指令在一个时钟周期内执行。该微控制器包括32 X 8通用工作寄存器和外设控制寄存器，支持全静态操作，并在16MHz时可达到高达16MIPS的吞吐量。它还具有片上2周期乘法器。ATmega128A提供128K字节的系统内自编程Flash程序存储器、4K字节EEPROM和4K字节内部SRAM。存储段具有高耐久性，Flash的写/擦除周期为10,000次，EEPROM的写/擦除周期为100,000次，在85℃下数据保持时间为20年，在25℃下为100年。提供带有独立锁定位的可选引导代码段，微控制器支持真正的读-写同时操作。最多可以利用64K字节的可选外部存储空间，并包含用于软件安全的编程锁和用于系统内编程的SPI接口。JTAG（符合IEEE std. 1149.1标准）接口提供了边界扫描功能、广泛的片上调试支持以及Flash、EEPROM、熔丝位和锁定位的编程。外设特性包括两个带独立预分频器和比较模式的8位定时器/计数器，两个扩展的带独立预分频器、比较模式和捕获模式的16位定时器/计数器，一个带有独立振荡器的实时时钟，两个8位PWM通道，六个分辨率可编程从2到16位的PWM通道，输出比较调制器，一个8通道10位ADC，具有8个单端通道、7个差分通道和2个增益可编程为1X、10X或200X的差分通道。此外，还包括面向字节的两线串行接口、双可编程串行USART、主/从SPI串行接口、带有片上振荡器的可编程看门狗定时器以及片上模拟比较器。特殊的微控制器特性包括上电复位和可编程掉电检测、内部校准RC振荡器、外部和内部中断源、六种睡眠模式（空闲、ADC降噪、节能、掉电、待机和扩展待机）以及软件可选的时钟频率。当通过熔丝选择时，该设备与ATmega103兼容，并包含全局上拉禁用功能。该微控制器有53个可编程I/O线，提供64引脚TQFP和64焊盘QFN/MLF封装。工作电压范围为2.7V至5.5V。

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型号：STM32F429IGT6 编号：C54328

封装：LQFP-176(24x24)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达 180 MHz，具备 MPU、225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和 DSP 指令。存储器：高达 2 MB 的闪存，分为两个存储体，支持读写同时进行；高达 256 + 4 KB 的 SRAM，包括 64 KB 的 CCM（核心耦合内存）数据 RAM；灵活的外部存储器控制器，具备高达 32 位数据总线，支持 SRAM、PSRAM、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND 存储器。 LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。

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￥37.52
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型号：TMS320F28335PGFA 编号：C13592

封装：LQFP-176(24x24)

品牌：TI(德州仪器)

TMS320F28335 具有 150MIPS、FPU、512KB 闪存、EMIF、12 位 ADC 的 C2000™ MCU

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型号：ATTINY1616-MNR 编号：C507118

封装：QFN-20-EP(3x3)

使用带有硬件乘法器的AVR处理器，运行频率高达20 MHz，在20引脚封装中具有16/32 KB Flash、2 KB SRAM和256字节EEPROM。采用最新技术，具有灵活的低功耗架构，包括事件系统和SleepWalking、精确的模拟特性和独立于内核的外设。集成QTouch外设触摸控制器，支持带驱动屏蔽的电容式触摸接口。

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￥5.77
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￥4.69
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￥4.15
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型号：ATTINY13A-SSUR 编号：C40382

封装：SOIC-8

是低功耗CMOS 8位微控制器，基于AVR增强型RISC架构。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，可实现接近每MHz 1 MIPS的吞吐量，使系统设计人员能够优化功耗与处理速度。AVR内核将丰富的指令集与32个通用工作寄存器相结合。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元（ALU），允许在一个时钟周期内执行的单条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构代码效率更高，同时实现的吞吐量比传统的CISC微控制器快达十倍。提供以下特性：1K字节的系统内可编程闪存、64字节EEPROM、64字节SRAM、6个通用I/O线、32个通用工作寄存器、一个带比较模式的8位定时器/计数器、内部和外部中断、一个4通道10位ADC、一个带内部振荡器的可编程看门狗定时器，以及三种软件可选的省电模式

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￥6.06
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￥4.83
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￥4.22
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型号：STM8S105K4T6C 编号：C8736

封装：LQFP-32(7x7)

特性：16 MHz先进的STM8内核，采用哈佛架构和3级流水线，指令集扩展。中密度闪存/EEPROM：程序存储器高达32 Kbytes；在55℃下经过10 kcycles后数据保留20年，数据存储器高达1 Kbytes真正的数据EEPROM，耐久性为300 kcycles。 RAM：高达2 Kbytes。 2.95V至5.5V工作电压。灵活的时钟控制，4个主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC。带时钟监控的时钟安全系统

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型号：ATMEGA328PB-AU 编号：C132230

封装：TQFP-32(7x7)

ATmega328PB 是一款基于 AVR 增强型 RISC 架构的低功耗 CMOS 8 位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，ATmega328PB 可以实现接近每 MHz 1 MIPS 的吞吐量。这使得系统设计者可以在功耗和处理速度之间进行优化。该核心结合了丰富的指令集和 32 个通用工作寄存器。所有 32 个寄存器都直接连接到算术逻辑单元 (ALU)，允许在单个时钟周期内执行的一条指令访问两个独立的寄存器。由此产生的架构代码效率更高，同时比传统的 CISC 微控制器快十倍。ATmega328PB 提供以下功能：具有读写同时进行功能的 32 KB 在系统可编程 Flash、1 KB EEPROM、2 KB SRAM、27 个通用 I/O 线、32 个通用工作寄存器、五个带比较模式的灵活定时器/计数器、内部和外部中断、两个串行可编程 USART、两个字节级两线串行接口 (I2C)、两个 SPI 串行端口、8 通道 10 位 ADC（TQFP 和 QFN/MLF 封装）、带内部振荡器的可编程看门狗定时器、时钟失效检测机制以及六种软件可选的节能模式。空闲模式停止 CPU 而允许 SRAM、定时器/计数器、USART、两线串行接口、SPI 端口和中断系统继续运行。PTC 支持最多 24 个自电容传感器和 144 个互电容传感器。掉电模式保存寄存器内容但冻结振荡器，禁用所有其他芯片功能直到下一次中断或硬件复位。在省电模式下，异步定时器继续运行，允许用户在设备其余部分处于睡眠状态时保持定时器基准。此外，还支持 PTC 在省电模式下运行/触摸唤醒以及 PTC 模拟和数字部分的动态开关。ADC 降噪模式停止 CPU 和所有 I/O 模块，除了异步定时器、PTC 和 ADC，以减少 ADC 转换期间的开关噪声。在待机模式下，晶体/谐振器振荡器运行而设备其余部分处于睡眠状态。这允许快速启动并结合低功耗。该设备采用高密度非易失性存储技术制造。片上 ISP Flash 允许通过 SPI 串行接口在系统中重新编程程序存储器，或者通过传统的非易失性存储器编程器或运行在 AVR 核心上的片上引导程序进行编程。引导程序可以使用任何接口将应用程序下载到应用程序 Flash 存储器中。当应用程序 Flash 部分更新时，引导 Flash 部分中的软件将继续运行，从而提供真正的读写同时操作。通过将 8 位 RISC CPU 与片上在系统自编程 Flash 结合在一个单片芯片上，ATmega328PB 成为一种功能强大的微控制器，为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。ATmega328PB 由一套完整的程序和系统开发工具支持，包括 C 编译器、宏汇编器、程序调试器/模拟器、在线仿真器和评估套件。

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型号：STM32F030CCT6 编号：C81787

封装：LQFP-48(7x7)