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SC92F84HX是一颗增强型的高速1T 8051内核工业级集成触控按键功能的Flash微控制器,指令系统完全兼容传统8051产品系列。 SC92F84HX内建一个20通道的可低功耗高灵敏电容触控电路,触控电路可选择在STOP Mode下运行。还集成有16 Kbytes Flash ROM、1 Kbytes SRAM、128 bytes EEPROM、最多26个GPI/O、8个IO可外部中断、5个16位定时器、21路12位高精度ADC、内部±1%高精度高频12/6/2MHz振荡器和±4%精度低频32K振荡器、可外接32.768kHz晶体振荡器、一个UART,一个UART/SPI/TWI三选一通信口SSI。
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  • 20PIN,8K FLASH ROM(带256B EEPROM),512B SRAM,17个GP I/O(11个大电流驱动),12路Touch Key,2个16位Timer,6路12位ADC,2路8位PWM,软件LCD,硬件UART,隔空触控,触摸库.
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      ¥1.8
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  • SC92F84AX是一颗增强型的高速1T 8051内核工业级集成触控按键功能的Flash微控制器,指令系统完全兼容传统8051产品系列。 SC92F84AX内建一个23通道的可低功耗双模电容触控电路,触控电路可选择在STOP Mode下运行。还集成有16Kbytes Flash ROM、1 Kbytes SRAM 、128 bytes EEPROM、最多26个GPI/O、13个IO可外部中断、3个16位定时器、11路12位高精度ADC、6路独立10位PWM、内部1%高精度高频12/6/2MHz振荡器和4%精度低频128K振荡器、可外接晶体振荡器、一个UART,一个UART/SPI/IIC三选一通信口SSI。
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  • 20PIN,1T 8051内核Flash MCU,512B SRAM,8KB Flash,128B独立EEPROM,12位ADC,3路8+2位PWM,3个定时器,UART,软件LCD,STOP Mode电流<1uA?
    数据手册
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  • SC92F754X系列是增强型的超高速1T 8051内核工业级Flash微控制器,指令系统完全兼容传统8051产品系列。集成有32 Kbytes Flash ROM、2 Kbytes SRAM、128 bytes EEPROM、最多46个GPI/O、16个IO可外部中断、3个16位定时器、17路12位高精度ADC、1个模拟比较器、8路12位PWM、IO驱动分级控制(LED segment口)、1个16x16位硬件乘除法器、内部±1%高精度高频16/8/4/1.33MHz振荡器和±4%精度低频128K振荡器、可外接晶体振荡器、UART等通讯接口等资源。内部集成有4级可选电压LVR、2.4V基准ADC参考电压、低耗电WDT等高可靠电路。
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  • 1T 8051内核Flash MCU,16K FLASH ROM,独立128B EEPROM,1KB SRAM
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  • 1T 8051内核Flash MCU,256B SRAM,4KB Flash,128B独立EEPROM
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  • 28PIN,8K FLASH ROM(带256B EEPROM),256B SRAM,26个GP I/O(10个大电流驱动),2个16位Timer,12路10位ADC,3路8位PWM,软件UART,32K RTC,BUZZER,SIF.
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  • 特性:Arm 32位Cortex-M3 CPU内核。最高72 MHz频率,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz (DPrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。64或128 KB的闪存。20 KB的SRAM。2.0至3.6V的应用电源和I/O
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      ¥5.02
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  • 特性:核心:16 MHz先进STM8内核,采用哈佛架构和三级流水线,指令集扩展。 存储器:程序存储器:8 Kbyte闪存,在55°C下经过100个周期后数据可保留20年。RAM:1 Kbyte。数据存储器:128字节真数据EEPROM,耐久性高达100k次写/擦除循环。 时钟、复位和电源管理:2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制,4种主时钟源:低功耗晶体谐振器振荡器
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  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。 工作温度:-40°C至85°C。 存储器:高达64 Kbytes的带保护的闪存;8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理:电压范围2.0 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);低功耗模式:睡眠、停止、待机;RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;带校准的32 kHz晶体振荡器;带PLL选项的内部16 MHz RC;内部32 kHz RC振荡器(±5%)
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  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。 16至256 KB的闪存。 4至32 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理。 数字和I/O电源:VDD = 2.4V至3.6V
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  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。 工作温度:-40°C至85°C。 存储器:高达64 Kbytes的带保护的闪存;8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理:电压范围2.0 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);低功耗模式:睡眠、停止、待机;RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;带校准的32 kHz晶体振荡器;带PLL选项的内部16 MHz RC;内部32 kHz RC振荡器(±5%)
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    • 1000+

      ¥3.21
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32 位 Cortex-M0 CPU,频率高达 48 MHz。 内存:16 至 64 KB 的闪存,4 至 8 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:电压范围 2.4V 至 3.6V,上电/掉电复位(POR/PDR),低功耗模式(睡眠、停止、待机)。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器,32 kHz 带校准的 RTC 振荡器,内部 8 MHz RC 可选 x6 PLL,内部 40 kHz RC 振荡器。 多达 55 个快速 I/O,均可映射到外部中断向量
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    • 1000+

      ¥3.28
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M3 CPU,最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),单周期乘法和硬件除法。 存储器:256至512 Kbytes的闪存,高达64 Kbytes的SRAM,带有4个片选的灵活静态存储器控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器,LCD并行接口,8080/6800模式。
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      ¥8.27
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator),允许从闪存零等待状态执行,频率高达168 MHz,具备内存保护单元,210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:高达1 Mbyte闪存,高达192 + 4 Kbytes SRAM,包括64 Kbyte CCM(核心耦合内存)数据RAM,灵活的静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。 LCD并行接口,支持8080/6800模式。
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    • 1080+

      ¥14.37
  • 有货
  • 特性:16 MHz先进STM8内核,采用哈佛架构和3级流水线,扩展指令集。 程序存储器:8 Kbyte闪存,在55℃下经过100个周期后数据保留20年。 RAM:1 Kbyte。 数据存储器:128字节真数据EEPROM,耐久性高达100k次写入/擦除周期。 2.95 V至5.5 V工作电压。 灵活的时钟控制,4种主时钟源:低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC
    数据手册
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    • 1000+

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  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。 工作温度:-40°C至85°C。 存储器:高达64 Kbytes的带保护的闪存;8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理:电压范围2.0 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);低功耗模式:睡眠、停止、待机;RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;带校准的32 kHz晶体振荡器;带PLL选项的内部16 MHz RC;内部32 kHz RC振荡器(±5%)
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