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  • ATmega8是基于AVR RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令,ATmega8每MHz可实现接近1MIPS的吞吐量,使系统设计人员能够在功耗和处理速度之间进行优化。AVR内核将丰富的指令集与32个通用工作寄存器相结合。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元(ALU),允许在一个时钟周期内执行的单条指令中访问两个独立的寄存器。这种架构代码效率更高,同时实现的吞吐量比传统的CISC微控制器快达十倍。ATmega8具有以下特性:8KB可在系统编程的闪存,具备读-写能力;512字节的EEPROM;1KB的SRAM;23个通用I/O线;32个通用工作寄存器;三个灵活的定时器/计数器,具有比较模式;内部和外部中断;一个串行可编程USART;一个面向字节的两线串行接口;一个6通道ADC(TQFP和QFN/MLF封装中为8通道),精度为10位;一个可编程看门狗定时器,带有内部振荡器;一个SPI串行端口;以及五种软件可选的节能模式
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  • 特性:工作电压范围:2.7至5.5V。 闪存写入电压范围:2.7至5.5V。 环境温度范围:-40至105℃。 高达48 MHz Arm Cortex-M0+内核。 单周期32位x 32位乘法器。 单周期I/O访问端口
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  • 特性:超低功耗,采用FlexPowerControl:电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下为200nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。8nA关机模式(5个唤醒引脚)。28nA待机模式(5个唤醒引脚)。带RTC的280nA待机模式。1.0μA停止2模式,带RTC时为1.28μA。84μA/MHz运行模式(LDO模式)
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  • 特性:动态效率线,具备批量采集模式(BAM)。 电源电压:1.7 V至3.6 V。 温度范围:-40℃至85/105/125℃。 内核:带有浮点单元(FPU)的32位Cortex®-M4 CPU,自适应实时加速器(ART Accelerator™),可实现从闪存零等待状态执行,频率高达100 MHz,具备内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。
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  • 属于GD32 MCU Family的连接产品线,是一款基于ARM® Cortex®- M4 RISC内核的32位通用微控制器,在提高处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳性价比。Cortex®- M4内核具有浮点单元(FPU),可加速单精度浮点数学运算,支持所有ARM®单精度指令和数据类型,实现了一套完整的DSP指令,以满足对控制和信号处理能力进行高效、易用融合的数字信号控制市场需求。还提供内存保护单元(MPU)和强大的跟踪技术,以增强应用程序安全性和高级调试支持。该设备集成了运行频率为168 MHz的ARM® Cortex®- M4 32位处理器内核,闪存访问零等待状态以获得最高效率
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  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M3 CPU,最高频率36 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhystone 2.1),支持单周期乘法和硬件除法。 内存:64至128 Kbytes的闪存,10至16 Kbytes的SRAM。 时钟、复位和电源管理:2.0至3.6V应用电源和I/O,POR、PDR和可编程电压检测器(PVD),4至16 MHz晶体振荡器,内部8 MHz工厂校准RC,内部40 kHz RC,用于CPU时钟的PLL,带校准的32kHz振荡器用于RTC。 低功耗:睡眠、停止和待机模式,V_BAT为RTC和备份寄存器供电。 调试模式:串行线调试(SwD)和JTAG接口。 DMA:7通道DMA控制器,支持的外设包括定时器、ADC、SPI、I²C和USART
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  • 基于ARM 32位的Cortex -M4微控制器+FPU,带256 K字节至4032 K字节 内部闪存、sLib、双QSPI、SDRAM、双OTGFS、以太网、 摄像头、18个定时器、3个ADC、25个通信接口
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  • 特性:AEC-Q10x合格。核心:最大CPU频率:24 MHz。采用哈佛架构和3级流水线的先进STM8A内核。平均每条指令1.6个周期,在16 MHz CPU频率下可实现10 MIPS(行业标准基准测试)。存储器:程序存储器:32至128 Kbyte Flash程序;在55℃下数据保留20年。数据存储器:高达2 Kbyte真数据EEPROM;耐久性300 key/le
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  • 特性:超低功耗,具备FlexPowerControl。 电源电压范围为1.71V至3.6V。 温度范围为 -40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下电流为200nA,为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式电流为8nA(5个唤醒引脚)。 待机模式电流为28nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式电流为280nA。 停止2模式电流为1.0μA,带RTC时为1.28μA
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  • LPC4350/30/20/10是针对嵌入式应用的ARM Cortex-M4微控制器,搭载1个ARM Cortex-M0协处理器、高达264kB SRAM、高级可配置外设(如状态可配置定时器(SCT)和串行通用I/O(SGPIO)接口)、2个高速USB控制器、以太网、液晶显示器、1个外部存储控制器和多个数字和模拟外设。LPC4350/30/20/10系列CPU工作频率高达204MHz。
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  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 采用FlexPowerControl实现超低功耗。 -电源电压范围:1.71V至3.6V。 -温度范围:-40℃至85/105/125℃。 -VBAT模式下电流为200nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式电流为8nA(5个唤醒引脚)。 -待机模式电流为28nA(5个唤醒引脚)。 -带RTC的待机模式电流为280nA
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      ¥21.1
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  • 特性:核心:ARM Cortex-M4 32 位 CPU 带 FPU(最高 72 MHz),单周期乘法和硬件除法,90 DMIPS(来自 CCM),DSP 指令和 MPU(内存保护单元)。 工作条件:VDD、VDDA 电压范围:2.0V 至 3.6V。 存储器:128 至 256 Kbytes 的闪存;高达 40 Kbytes 的 SRAM,前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验;8 Kbytes 的 SRAM 在指令和数据总线上,带硬件奇偶校验(CCM)。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;RTC 和备份寄存器的 VBAT 电源。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器;用于 RTC 的 32 kHz 振荡器,带校准;内部 8 MHz RC,有 x 16 PLL 选项;内部 40 kHz 振荡器。 多达 87 个快速 I/O:所有可映射到外部中断向量;多个 5V 耐压。 互连矩阵
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  • 特性:核心:ARM Cortex-M4 32位CPU,带有72 MHz FPU、单周期乘法和硬件除法、90 DMIPS(来自CCM)、DSP指令和MPU(内存保护单元)。 VDD、VDA电压范围:2.0V至3.6V。 高达512 Kbytes的闪存,64 Kbytes的SRAM,前32 Kbytes实现硬件奇偶校验。常规增强器:指令和数据总线上16 Kbytes的SRAM,带硬件奇偶校验(CCM)。 用于静态存储器的灵活内存控制器(FSMC),带有四个片选。 CRC计算单元。 上电/掉电复位(POR/PDR)。 可编程电压检测器(PVD)
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  • 有货
  • 特性:核心:32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)可实现从闪存零等待状态执行,频率高达 168 MHz,具备内存保护单元,210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持 DSP 指令。 存储器:高达 1 M 字节闪存;高达 192 + 4 K 字节 SRAM,包括 64 K 字节 CCM(核心耦合内存)数据 RAM;512 字节 OTP 内存;灵活的静态内存控制器,支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口,支持 8080/6800 模式。
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    • 单价:

      ¥70.2 / 个
    特性:高性能CPU:改进的哈佛架构。高达16 MIPS的运行速度(32 MHz)。8 MHz快速RC内部振荡器,有96 MHz PLL选项和多个时钟分频选项,快速启动。17位x 17位单周期硬件分数/整数乘法器。32位除以16位硬件除法器。16位x 16位工作寄存器阵列。C编译器优化的指令集架构。两个地址生成单元,用于数据存储器的独立读写寻址
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    • 1+

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      ¥30.32
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      ¥27.09
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 带有TrustZone FPU的Arm Cortex-M33 CPU,频率高达250 MHz,具备MPU,375 DMIPS(Dhrystone 2.1)。 8 Kbyte指令缓存,可实现从闪存和外部存储器的零等待状态执行。 4 Kbyte用于外部存储器的数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz(Drystone 2.1)。 1023 CoreMark(4.092 CoreMark/MHz)。 高达2 Mbyte的带ECC嵌入式闪存,2个存储体可读写。 每个存储体高达48 Kbyte的高循环能力(100 K周期)数据闪存
    • 1+

      ¥35.77
    • 10+

      ¥30.69
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      ¥27.6
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      ¥25
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M4 CPU(最高72 MHz),单周期乘法和硬件除法,带FPU(浮点单元)和MPU(内存保护单元)的DSP指令,1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。内存:64至256 Kbytes的闪存,32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围2.0至3.6 V,上电/掉电复位(POR/PDR),可编程电压检测器(PVD),低功耗模式:睡眠、停止、待机,VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理:4至32 MHz晶体振荡器,32 kHz带校准的RTC振荡器,内部8 MHz RC(带x16 PLL选项),内部40 kHz振荡器。多达84个快速I/O,所有可映射到外部中断向量,多达45个5 V耐压I/O
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    • 1+

      ¥35.8
    • 10+

      ¥30.79
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    • 100+

      ¥25.17
  • 有货
  • 基于ARM 32位的Cortex -M4微控制器+FPU,带256 K字节至4032 K字节 内部闪存、sLib、双QSPI、SDRAM、双OTGFS、以太网、 摄像头、18个定时器、3个ADC、30个通信接口
    数据手册
    • 1+

      ¥36.08
    • 10+

      ¥31.15
    • 30+

      ¥28.15
    • 100+

      ¥25.63
  • 有货
  • 特性:采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71 V至3.6 V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下为300 nA:为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式下为30 nA(5个唤醒引脚)。待机模式下为120 nA(5个唤醒引脚)。带RTC的待机模式下为420 nA。停止2模式下为1.1 μA,带RTC的停止2模式下为1.4 μA
    数据手册
    • 1+

      ¥36.48
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      ¥31.68
    • 30+

      ¥28.76
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      ¥26.31
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU,带TrustZone、FPU,频率高达250 MHz,MPU,375 DMIPS(Dhrystone 2.1)。 8 Kbyte指令缓存,允许从闪存和外部存储器零等待状态执行。 4 Kbyte外部存储器数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz(Dyrystone 2.1)。 1023 CoreMark(4.092 CoreMark/MHz)。 高达512 Kbyte的嵌入式闪存,带ECC,双存储体可读写。 每个存储体高达48 Kbyte,数据闪存具有高循环能力(100 K周期)
    • 1+

      ¥36.67
    • 10+

      ¥31.53
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      ¥28.39
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      ¥25.77
  • 有货
  • 特性:电源管理模式:运行:CPU开启,外设开启。空闲:CPU关闭,外设开启。睡眠:CPU关闭,外设关闭。 双速振荡器启动。 故障安全时钟监视器。 节能外设模块禁用(PMD)
    数据手册
    • 1+

      ¥36.72
    • 10+

      ¥31.74
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      ¥24.07
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      ¥29.64
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      ¥26.99
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  • 低功耗、精密模拟微控制器、双通道Σ-Δ型ADC,Flash/EE存储器,ARM7TDMI内核
    数据手册
    • 1+

      ¥40.79
    • 10+

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    • 30+

      ¥30.19
    • 100+

      ¥27.36
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台: 1.65V 至 3.6V 电源。-40°C 至 85°C/105°C 温度范围。0.3μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。0.9μA 待机模式 + RTC。0.57μA 停止模式(16 个唤醒线)。1.2μA 停止模式 + RTC。9μA 低功耗运行模式。214μA/MHz 运行模式
    数据手册
    • 1+

      ¥41.16
    • 10+

      ¥35.85
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      ¥32.62
    • 100+

      ¥29.9
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M4 CPU(最高72 MHz),单周期乘法和硬件除法,带浮点单元(FPU)和内存保护单元(MPU)的DSP指令。1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。存储器:64至256 Kbytes的闪存,32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围2.0至3.6 V,上电/掉电复位(POR/PDR),可编程电压检测器(PVD),低功耗模式(睡眠、停止、待机),RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理:4至32 MHz晶体振荡器,用于RTC的32kHz振荡器(带校准),内部8 MHz RC(带x16 PLL选项),内部40kHz振荡器
    数据手册
    • 1+

      ¥43.94
    • 10+

      ¥39.28
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      ¥34.72
    • 100+

      ¥31.92
  • 有货
  • 带 DP-FPU 的高性能 DSP、带 1 MB 闪存的 Arm Cortex-M7 MCU、564 KB RAM、550 MHz CPU、L1 缓存、外部存储器接口、外设子集
    数据手册
    • 1+

      ¥44.43
    • 10+

      ¥39.45
    • 30+

      ¥33.21
    • 100+

      ¥30.12
  • 订货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU,带FPU和自适应实时加速器(ART Accelerator),允许从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,213 DMIPS,具备MPU和DSP指令。 工作条件:VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器:用于三角函数加速的CORDIC和过滤数学加速器FMAC。 存储器:512 KB的闪存,支持ECC,双存储体可读写,具备专有代码读取保护(PCROP)和可安全存储区域,1 KB OTP;96 KB SRAM,前32 KB实现硬件奇偶校验;指令和数据总线上32 KB SRAM(CCM SRAM),带硬件奇偶校验;支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器的外部静态存储器接口FSMC;Quad-SPI存储器接口。
    数据手册
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      ¥44.47
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