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型号：FS32K116LFT0VLFT 编号：C1137390

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：NXP(恩智浦)

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型号：GD32F150G8U6TR 编号：C84216

封装：WQFN-28-EP(4x4)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

该设备属于GD32 MCU系列的价值产品线。它是一款基于高性能ARM Cortex -M3 RISC内核的32位通用微控制器，在处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳比率。Cortex®-M3是下一代处理器内核，与嵌套向量中断控制器（NVIC）、SysTick定时器和高级调试支持紧密耦合。该设备集成了工作频率为72 MHz的ARM® Cortex®-M3 32位处理器内核，具有零等待状态的闪存访问，以获得最高效率

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型号：RP2350A 编号：C42411118

封装：QFN-60-EP(7x7)

品牌：Raspberry Pi(树莓派)

推荐配套ABRACON C42411119使用升级版本：A4

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型号：HC32L136K8TA-LQ64 编号：C493493

封装：LQFP-64(7x7)

品牌：XHSC(小华)

HC32L130/HC32L136 系列是一款旨在延长便携式测量系统的电池使用寿命的超低功耗、宽电压工作范围的 MCU。集成12 位 1Msps 高精度 SARADC 以及集成了比较器、运放、内置高性能PWM 定时器、LCD 显示、多路 UART、SPI、I2C 等丰富的通讯外设，内建AES、TRNG 等信息安全模块，具有高整合度、高抗干扰、高可靠性和超低功耗的特点。本产品内核采用 Cortex-M0+ 内核，配合成熟的Keil & IAR 调试开发软件，支持C 语言及汇编语言，汇编指令。

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型号：PIC12F508-I/SN 编号：C9794

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：高性能RISC CPU：仅需学习33条单字指令。除程序分支为双周期指令外，其余均为单周期指令。12位宽指令。2级深度硬件堆栈。数据和指令支持直接、间接和相对寻址模式。8位宽数据路径

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型号：MSPM0L1306SRGER 编号：C19189323

封装：VQFN-24(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

MSPM0L1306 具有 64KB 闪存、4KB SRAM、12 位 ADC、比较器和 OPA 的 32MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU

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型号：STM32G031C6T6 编号：C432204

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32L051K8U6 编号：C94770

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：1.65 V至3.6 V电源。 -40至125℃温度范围。 0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。 0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留。 88 μA/MHz运行模式

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型号：STC89C516RD+40I-PDIP40 编号：C52225

封装：DIP-40

品牌：STC

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型号：HC32L176KATA-LQ64 编号：C784693

封装：LQFP-64(7x7)

品牌：XHSC(小华)

HC32L170/ HC32L176 系列是一款旨在延长便携式测量系统的电池使用寿命的超低功耗、宽电压工作范围的 MCU。集成12 位 1Msps 高精度 SARADC，1 个12 位DAC 以及集成了比较器、运放、内置高性能PWM 定时器、LCD 显示、多路 UART、SPI、I2C等丰富的通讯外设，内建AES、TRNG 等信息安全模块，具有高整合度、高抗干扰、高可靠性和超低功耗的特点。本产品内核采用 Cortex-M0+ 内核，配合成熟的 Keil & IAR调试开发软件，支持C 语言及汇编语言，汇编指令。

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型号：GD32E103TBU6 编号：C350803

封装：QFN-36

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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型号：HC32F420JATB-LQ48 编号：C5907209

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：XHSC(小华)

HC32F420 系列是一款采用高性能 ARM Cortex®-M4 内核的 32 位微控制器，工作电压范围为 2.0 ~ 5.5V、工作温度范围为 -40 ~ 105℃，具备丰富的外设配置和多种工作模式以适用不同的应用场景。本产品提供多种封装形式，各封装形式下外设配置不同。

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型号：APM32F072RBT6 编号：C915659

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：Geehy(极海半导体)

特性：32位Arm Cortex-M0+内核，最高48MHz工作频率。Flash: 64~128KB，SRAM: 16KB。4~32MHz晶体振荡器，带校准的32KHz RTC振荡器，内部8MHz RC振荡器，内部48MHz自动校正RC振荡器，内部40KHz RC振荡器，PLL支持2~16倍频。上电/掉电复位(POR/PDR)，可编程电压调节器，数字供电电压：VDD = 2.0~3.6V，模拟供电电压：VDD = VDD-3.6V，部分I/O供电电压：VDDIO2 = 1.65~3.6V，支持外部电池VBAT为RTC及备份寄存器供电：VBAT = 1.65~3.6V。睡眠、停机、待机低功耗模式。最多87个I/Os，所有I/O可映射到外部中断向量，最多68个容忍5V输入的I/O，19个I/O由VDDIO2供电

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型号：STM8S105S4T6CTR 编号：C8266

封装：LQFP-44(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：16 MHz先进的STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，具备扩展指令集。中等密度闪存/EEPROM：程序存储器高达32 Kbytes，在55℃下经过10 kcycles后数据保留20年；数据存储器高达1 Kbytes真正的数据EEPROM，耐久性为300 kcycles。 RAM：高达2 Kbytes。 2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC。带时钟监控的时钟安全系统

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型号：STM32G071CBU3 编号：C724076

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C/105°C/125°C。存储器：高达128 Kbytes的闪存，带有保护和可安全区域；36 Kbytes的SRAM（32 Kbytes带硬件奇偶校验）。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；32 kHz晶体振荡器，带校准；内部16 MHz RC，可选PLL（±1%）；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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型号：STM8L151K6T6 编号：C8259

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：工作电源范围：1.8V至3.6V（掉电时低至1.65V）。温度范围：-40°C至85°C、105°C或125°C。 5种低功耗模式：等待、低功耗运行（5.1μA）、低功耗等待（3μA）、带完整RTC的活动暂停（1.3μA）、暂停（350nA）。功耗：195μA/MHz + 440μA。每个I/O超低泄漏：50nA。从暂停状态快速唤醒：4.7μs

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型号：APM32E103RCT6 编号：C3152774

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：Geehy(极海半导体)

32位微处理器ARM COREX M3核 LQPF-64封装 256K内存主完全兼容STM32F103RCT6、APM32F103RCT6

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型号：APM32F103VBT6 编号：C393542

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：Geehy(极海半导体)

2V~3.6V CPU位数：32-Bit CPU内核：ARM Cortex-M3主频（MAX)：73MHz ROM类型：FLASH 128K

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型号：APM32E103RET6 编号：C2975250

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：Geehy(极海半导体)

32位MCU Arm Cortex -M3内核，最高 120MHz 工作频率，Flash：512KB,SRAM：128KB,VDD范围：2.0～3.6V,GPIOs：51,封装：LQFP64，APM32F103RETE升级型号，兼容STM32F103RET6。存储器

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型号：STM32F031F6P6 编号：C465971

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。存储器：16至32 Kbytes的闪存，4 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：数字和I/O电源：2.0至3.6 V；模拟电源：V(DDA) = 从V(DD)至3.6 V；上电/掉电复位(POR/PDR)；可编程电压检测器(PVD)；低功耗模式：睡眠、停止和待机；V(BAT)为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；32 kHz用于RTC的振荡器，带校准；内部8 MHz RC，有x6 PLL选项；内部40 kHz RC振荡器。多达39个快速I/O：所有可映射到外部中断向量；多达26个I/O具有5 V容限能力

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型号：STM8S207RBT6 编号：C8346

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心: -最大CPU频率：高达24 MHz，在CPU频率 ≤ 16 MHz时无等待状态。 -采用哈佛架构和三级流水线的先进STM8内核。 -扩展指令集。 -在24 MHz下最大20 MIPS。存储器: -程序：高达128 KB Flash，在56℃下经过10k周期后数据保留20年。 -数据：高达2 KB真正的数据EEPROM，耐久性300k周期

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型号：STM32L072RBT6 编号：C915968

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65 V 至 3.6 V 电源，-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29 μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。 0.43 μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.86 μA 停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM 保留。运行模式下低至 93 μA/MHz。 5 μs 唤醒时间（从闪存）。 12 位 ADC 转换在 10 ksps 时为 41 μA

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型号：F2800157SPNR 编号：C20068943

封装：LQFP-80(12x12)

品牌：TI(德州仪器)

TMS320F280015x (F280015x) 是可扩展、超低延迟设备的成本优化型 C2000 实时微控制器系列的一员，专为功率电子领域的效率而设计。这些应用包括 HVAC 压缩机模块、前照灯、DC/DC 转换器、逆变器和电机控制、车载 (OBC) 和无线充电器、泵、工业电机驱动、电机控制、数字电源、传感和信号处理。TMS320F280015x 具有锁步运行的双 32 位 C28x CPU，使该设备能够在不增加太多软件开销的情况下实现 ASIL B 功能安全设备评级。实时控制子系统基于 TI 的 32 位 C28x DSP 核心，该核心提供 120 MHz 的信号处理性能，可运行来自片上闪存或 SRAM 的浮点或定点代码。C28x CPU 进一步受益于三角数学单元 (TMU) 和 VCRC（循环冗余校验）扩展指令集，从而加速实时控制系统的关键常用算法。F280015x 支持高达 256KB（128KW）的闪存。此外，还提供高达 36KB（18KW）的片上 SRAM，以补充闪存。高性能模拟模块集成在 F280015x 实时微控制器 (MCU) 上，并与处理和 PWM 单元紧密耦合，以提供最佳的实时信号链性能。十四个 PWM 通道可用于控制各种功率级，从三相逆变器到功率因数校正和其他高级多电平功率拓扑。通过各种行业标准通信端口（如 PMBUS、SPI、SCI、LIN、I2C、CAN 和 CAN FD）支持接口，并提供多种引脚复用选项，以实现最佳的信号放置。

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型号：STM32F103RBH6TR 编号：C2055283

封装：BGA-64

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhystone 2.1）。单周期乘法和硬件除法。 64或128 KB的闪存。 20 KB的SRAM。 2.0至3.6V应用电源和I/O。 POR、PDR和可编程电压检测器（PVD）

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型号：ATMEGA324PA-AU 编号：C47751

封装：TQFP-44(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

ATmega324PA 是一款基于 AVR 增强 RISC 架构的低功耗 CMOS 8 位微控制器。通过在一个时钟周期内执行强大的指令，ATmega324PA 实现接近 1MIPS/MHz 的吞吐量。这使系统设计人员能够优化设备以实现功耗与处理速度之间的平衡。 AVR 核心结合了丰富的指令集和 32 个通用工作寄存器。所有 32 个寄存器都直接连接到算术逻辑单元 (ALU)，允许在一个时钟周期内执行的单个指令访问两个独立的寄存器。由此产生的架构更有效地利用代码，同时实现比传统 CISC 微控制器快十倍的吞吐量。ATmega324PA 提供了以下特性：32K 字节的片内可编程 Flash，具有读写能力，1K 字节 EEPROM，2K 字节 SRAM，32 条通用 I/O 线，32 个通用工作寄存器，实时计数器 (RTC)，三个具有比较模式和 PWM 的灵活定时/计数器，两个串行可编程 USART，一个面向字节的 2 线串行接口 (I2C)，一个 8 通道 10 位 ADC，具有可选的差分输入级和可编程增益，一个具有内部振荡器的可编程看门狗定时器，一个 SPI 串行端口，符合 IEEE std. 1149.1 的 JTAG 测试接口，也用于访问片上调试系统和编程，以及六种软件可选的省电模式。空闲模式停止 CPU，同时允许 SRAM、定时/计数器、SPI 端口和中断系统继续运行。掉电模式保存寄存器内容，但冻结振荡器，禁用所有其他芯片功能，直到下一次中断或硬件复位。在省电模式下，异步定时器继续运行，允许用户在设备其余部分休眠时保持定时器基准。ADC 降噪模式停止 CPU 和所有 I/O 模块，除了异步定时器和 ADC，以最小化 ADC 转换期间的开关噪声。在待机模式下，晶体/谐振器振荡器正在运行，而设备其余部分正在休眠。这允许非常快的启动，同时结合低功耗。在扩展待机模式下，主振荡器和异步定时器都继续运行。

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型号：GD32F107RCT6 编号：C94285

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

湿气敏感性等级MSL3。3级(168小时)

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型号：APM32F103RET6 编号：C526181

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：Geehy(极海半导体)

版本：A2 工作电压：2V ~ 3.6V CPU位数：32-Bit CPU内核：ARM? Cortex?-M3 主频（MAX)：96MHz ROM类型：FLASH APM32 Series 32-bit 512 kB Flash 128 kB RAM FPU LQFP-64

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型号：STM32F373CCT6 编号：C89403

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，带FPU（浮点单元）和MPU（内存保护单元）的DSP指令，1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。内存：64至256 Kbytes的闪存，32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0至3.6 V，上电/掉电复位（POR/PDR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式：睡眠、停止、待机，VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器，32 kHz带校准的RTC振荡器，内部8 MHz RC（带x16 PLL选项），内部40 kHz振荡器。多达84个快速I/O，所有可映射到外部中断向量，多达45个5 V耐压I/O

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型号：STM32L471RET6 编号：C110060

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用 FlexPowerControl：电源电压范围为 1.71V 至 3.6V。温度范围为 -40℃ 至 85/105/125℃。VBAT 模式下为 300nA，为 RTC 和 32x32 位备份寄存器供电。关机模式为 30nA（5 个唤醒引脚）。待机模式为 120nA（5 个唤醒引脚）。带 RTC 的待机模式为 420nA。停止 2 模式为 1.1μA，带 RTC 的停止 2 模式为 1.4μA。运行模式为 100μA/MHz

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型号：C8051F410-GQR 编号：C15808

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

特性：±1 LSB INL；无漏码。可编程吞吐量高达 200 ksps。多达 24 个外部输入。数据相关窗口中断发生器。内置温度传感器 (±3℃)。两个 12 位电流模式 DAC

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