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型号：STM32G473CBT6 编号：C730111

封装：LQFP-48(7x7)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带有FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：用于三角函数加速的CORDIC，过滤数学加速器FMAC。

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型号：STM32L412KBU3 编号：C1341421

封装：UFQFPN-32(5x5)

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl：1.71V至3.6V电源，-40℃至85/125℃温度范围。 300nA的VBAT模式：为RTC和32×32位备份寄存器供电。 16nA关机模式（4个唤醒引脚）。 32nA待机模式（4个唤醒引脚）。 245nA带RTC的待机模式。 0.7µA停止2模式，0.95µA带RTC。 79µA/MHz运行模式（LDO模式）。 28µA/MHz运行模式（@3.3V SMPS模式）

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型号：STM32F103RBT6TR 编号：C2970888

封装：LQFP-64(10x10)

特性：Arm 32位Cortex-M3 CPU内核。最高72 MHz频率，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz (DPrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。64或128 KB的闪存。20 KB的SRAM。2.0至3.6V的应用电源和I/O

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型号：STM32F100R8T6B 编号：C29928

封装：LQFP-64(10x10)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU，最高频率 24 MHz，1.25 DMIPS/MHz（Dhystone 2.1）性能。单周期乘法和硬件除法。 16 至 128 Kbytes 的闪存。 4 至 8 Kbytes 的 SRAM。 2.0 至 3.6V 应用电源和 I/O。 POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD）

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型号：STM32F401CBU6 编号：C118825

封装：UFQFPN-48(7x7)

特性：动态效率线，带批量采集模式（BAM）。1.7V至3.6V电源。40℃至85/105/125℃温度范围。核心：带FPU的ARM 32位Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator™），允许从闪存零等待状态执行，频率高达84 MHz，内存保护单元，105 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），以及DSP指令。高达256 KB的闪存。512字节的一次性可编程（OTP）内存。高达64 KB的静态随机存取存储器（SRAM）。时钟、复位和电源管理：1.7V至3.6V应用电源和I/O，POR、PDR、PVD和BOR，4至26 MHz晶体振荡器，内部16 MHz工厂校准RC，带校准的32 kHz RTC振荡器，带校准的内部32 kHz RC

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型号：STM32G473VET6 编号：C730122

封装：LQFP-100(14x14)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带有FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：用于三角函数加速的CORDIC，过滤数学加速器FMAC。

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型号：STM32F302CBT6TR 编号：C2054997

封装：LQFP-48(7x7)

特性：核心：基于 Arm Cortex-M4 的 32 位 CPU 带 FPU（最高 72 MHz），单周期乘法和硬件除法，DSP 指令和 MPU（内存保护单元）。工作条件：VDD、VDDA 电压范围：2.0 V 至 3.6 V。内存：128 至 256 KB 的闪存；高达 40 KB 的 SRAM，前 16 KB 实现硬件奇偶校验。 CRC 计算单元。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止和待机；为 RTC 和备份寄存器提供 VBAT 电源。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器；用于 RTC 的 32 kHz 振荡器，带校准；内部 8 MHz RC，有 x 16 PLL 选项；内部 40 kHz 振荡器。多达 87 个快速 I/O：所有可映射到外部中断向量；多个 5 V 容忍。互连矩阵

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型号：STM32L471RGT6 编号：C124719

封装：LQFP-64(10x10)

特性：超低功耗，采用 FlexPowerControl：电源电压范围为 1.71V 至 3.6V。温度范围为 -40℃ 至 85/105/125℃。VBAT 模式下为 300nA，为 RTC 和 32x32 位备份寄存器供电。关机模式为 30nA（5 个唤醒引脚）。待机模式为 120nA（5 个唤醒引脚）。带 RTC 的待机模式为 420nA。停止 2 模式为 1.1μA，带 RTC 的停止 2 模式为 1.4μA。运行模式为 100μA/MHz

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型号：STM32L451VET6 编号：C1341459

封装：LQFP-100(14x14)

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl: -电源电压1.71V至3.6V。 -温度范围 -40℃至85/125℃。 -VBAT模式下145 nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式22 nA（5个唤醒引脚）。 -待机模式106 nA（5个唤醒引脚）。 -带RTC的待机模式375 nA。 -停止2模式2.05 µA，带RTC时2.40 µA。 -运行模式84 µA/MHz

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型号：GD32F205VET6 编号：C87923

封装：LQFP-100(14x14)

该设备属于GD32 MCU系列的高性能产品线。它是一款基于ARM® Cortex®-M3 RISC内核的新型32位通用微控制器，在处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳的性价比。Cortex®-M3是下一代处理器内核，与嵌套向量中断控制器（NVIC）、SysTick定时器和高级调试支持紧密耦合。该设备集成了工作频率为120 MHz的ARM® Cortex®-M3 32位处理器内核，闪存访问零等待状态以获得最高效率。它提供高达3072 KB的片上闪存和256 KB的SRAM。大量增强的I/O和外设连接到两条APB总线

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型号：STM32H563RGT6 编号：C22470894

封装：LQFP-64(10x10)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU，带有TrustZone、FPU，频率高达250 MHz，具备MPU，375 DMIPS（Dhrystone 2.1）。 8 Kbyte指令缓存，允许从闪存和外部存储器进行零等待状态执行。 4 Kbyte用于外部存储器的数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz（Drystone 2.1）。 1023 CoreMark（4.092 CoreMark/MHz）。高达2 Mbyte带ECC的嵌入式闪存，两个存储体可读写。每个存储体高达48 Kbyte，数据闪存具有高循环能力（100 K周期）

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型号：FS32K116LFT0MLFT 编号：C1137392

封装：LQFP-48(7x7)

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型号：GD32F427ZET6 编号：C3040003

封装：LQFP-144(20x20)

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型号：PIC18F46K80-I/PT 编号：C26700

封装：TQFP-44(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：电源管理模式：运行模式：CPU开启，外设开启。空闲模式：CPU关闭，外设开启。睡眠模式：CPU关闭，外设关闭。双速振荡器启动。故障安全时钟监视器（FSCM）。节能外设模块禁用（PMD）。超低功耗唤醒。快速唤醒，典型值为1 μs

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型号：GD32F427ZGT6 编号：C3029772

封装：LQFP-144(20x20)

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型号：FS32K142HAT0MLLR 编号：C1850140

封装：LQFP-100(14x14)

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型号：FS32K144HFT0VLLR 编号：C1339481

封装：LQFP-100(14x14)

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型号：F280039CSPZ 编号：C5218667

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：TI(德州仪器)

TMS320F280039C 具有 CLA、CLB、AES 和 CAN-FD 的 C2000™ MCU 120MHz 384KB 闪存、FPU 和 TMU

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型号：STM32H563RIT6 编号：C20619634

封装：LQFP-64(10x10)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU，带有TrustZone、FPU，频率高达250 MHz，具备MPU，375 DMIPS（Dhrystone 2.1）。 8 Kbyte指令缓存，允许从闪存和外部存储器进行零等待状态执行。 4 Kbyte用于外部存储器的数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz（Drystone 2.1）。 1023 CoreMark（4.092 CoreMark/MHz）。高达2 Mbyte带ECC的嵌入式闪存，两个存储体可读写。每个存储体高达48 Kbyte，数据闪存具有高循环能力（100 K周期）

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型号：STM32F334K8T6 编号：C106758

封装：LQFP-32(7x7)

特性：核心：带有浮点单元（FPU）的32位ARM Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，支持DSP指令。存储器：高达64 KB的闪存；高达12 KB带硬件奇偶校验的SRAM；4 KB带硬件奇偶校验的SRAM（CCM），用于指令和数据总线。 CRC计算单元。复位和电源管理：VDD、VDDA电压范围：2.0至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；为RTC和备份寄存器提供VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；用于RTC的32 kHz振荡器，可校准；内部8 MHz RC（通过PLL选项最高可达64 MHz）；内部40 kHz振荡器。多达51个快速I/O端口，均可映射到外部中断向量，部分可承受5 V电压。互连矩阵。 7通道DMA控制器

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￥29.76
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￥27.42
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￥25.05
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型号：MIMXRT1021CAG4BR 编号：C5194827

封装：SOT-486-2

采用NXP先进的Arm Cortex-M7内核，运行速度高达500 MHz，提供高CPU性能和实时响应。拥有256 KB片上RAM，可灵活配置为TCM或通用片上RAM。集成了先进的电源管理模块，带有DCDC和LDO，降低了外部电源的复杂性，简化了电源排序。提供各种内存接口，包括SDRAM、RAW NAND FLASH、NOR FLASH、SD/eMMC、Quad SPI，以及多种连接接口，包括UART、SPI、I²C、USB和CAN，用于连接包括WLAN、蓝牙和GPS在内的外设。具有丰富的音频功能，包括SPDIF和I²S音频接口。集成了各种模拟IP，包括ADC、模拟比较器、温度传感器等。

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￥26.17
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￥23.3541 ￥23.59

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型号：GD32F105VGT6 编号：C2940192

封装：LQFP-100(14x14)

是32位通用微控制器，基于ARM® Cortex™-M3 RISC内核，具有增强的连接性能，在处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳比率。Cortex™-M3是下一代处理器内核，与嵌套向量中断控制器（NVIC）、SysTick定时器和高级调试支持紧密耦合。该设备集成了以108 MHz频率运行的ARM® Cortex™-M3 32位处理器内核，闪存访问零等待状态以获得最高效率。它提供高达1 MB的片上闪存和高达96 KB的SRAM

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￥34.46
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￥28

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型号：C8051F320-GQR 编号：C24737

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

特性：±1 LSB INL，无丢失码。可编程吞吐量高达200 ksps。多达17个外部输入，可编程为单端或差分输入。内置温度传感器 (±3℃)。符合USB规范2.0。全速 (12 Mbps) 或低速 (1.5 Mbps) 运行

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型号：GD32F450VGT6 编号：C174269

封装：LQFP-100(14x14)

是基于 ARM® Cortex®- M4 RISC 内核的 32 位通用微控制器，在增强处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳性价比。Cortex®- M4 内核配备浮点单元（FPU），可加速单精度浮点数学运算，支持所有 ARM® 单精度指令和数据类型。实现了一套完整的 DSP 指令，以满足对控制和信号处理能力高效、易用融合有需求的数字信号控制市场。还提供了内存保护单元（MPU）和强大的跟踪技术，以增强应用程序安全性和高级调试支持

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型号：STM32F373CBT6 编号：C1337334

封装：LQFP-48(7x7)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，带浮点单元（FPU）和内存保护单元（MPU）的DSP指令。1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：64至256 Kbytes的闪存，32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0至3.6 V，上电/掉电复位（POR/PDR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式（睡眠、停止、待机），RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器，用于RTC的32kHz振荡器（带校准），内部8 MHz RC（带x16 PLL选项），内部40kHz振荡器

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型号：STM32F412RGT6 编号：C94351

封装：LQFP-64(10x10)

特性：动态效率线，带BAM（批量采集模式）内核：ARM 32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM），允许从闪存零等待状态执行，频率高达100 MHz，内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：高达1 Mbyte闪存；256 Kbyte SRAM；灵活的外部静态存储器控制器，数据总线高达16位，支持SRAM、PSRAM、NOR闪存；双模式Quad-SPI接口；LCD并行接口，支持8080/6800模式。

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型号：ATSAM3X8EA-AU 编号：C79305

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SAM3X/A 系列是基于高性能 32 位 ARM CorteX-M3 RISC 处理器的 Flash 微控制器家族的一员。它以最高 84 MHz 的速度运行，具有高达 512 Kbytes 的 Flash 和高达 100 Kbytes 的 SRAM。外设集包括带有嵌入式收发器的高速 USB 主机和设备端口、一个以太网 MAC、2 个 CAN、一个用于 SDIO/SD/MMC 的高速 MCI、带有 NAND Flash 控制器的外部总线接口、5 个 UART、2 个 TWI、4 个 SPI，以及 1 个 PWM 定时器、9 个通用 32 位定时器、一个 RTC、一个 12 位 ADC 和一个 12 位 DAC。SAM3X/A 系列通过 QTouch 库支持电容触摸，提供了实现按钮、滚轮和滑块的简便方法。SAM3X/A 架构特别设计用于支持高速数据传输。它包括多层总线矩阵以及多个 SRAM 银行、PDC 和 DMA 通道，使其能够并行运行任务并最大化数据吞吐量。它的工作电压范围为 1.62V 至 3.6V，并提供 100 引脚和 144 引脚的 QFP 和 LFBGA 封装。SAM3X/A 设备特别适用于网络应用：工业和家庭/楼宇自动化、网关。

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型号：GD32F470IGH6 编号：C5110335

封装：BGA-176

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单价：
￥38.82 / 个

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型号：STM32G473RET6 编号：C730120

封装：LQFP-64(10x10)