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特性:32位RXv2 CPU核心: 最大工作频率:54 MHz,在54 MHz运行时可达88.56 DMIPS。 增强型DSP:支持32位乘积累加和16位乘减指令。 内置FPU:32位单精度浮点(符合IEEE754)。 除法器(最快指令执行需两个CPU时钟周期)。 快速中断。 具有5级流水线的CISC哈佛架构。 可变长度指令,超紧凑代码。 片上调试电路
数据手册
  • 1+

    ¥22.04
  • 10+

    ¥20.84
  • 30+

    ¥20.12
  • 100+

    ¥19.4
  • 500+

    ¥19.06
  • 有货
  • 提供高达 256 KB 闪存、高达 32 KB RAM 以及全套模拟/数字功能,将 Kinetis E 系列扩展到更高性能和更广泛的可扩展性。强大的 TSI 为客户的人机界面 (HMI) 系统提供了高级别的稳定性和准确性。1 Msps ADC 和 FlexTimer 有助于为无刷直流 (BLDC) 电机控制系统构建完美解决方案。
    数据手册
    • 1+

      ¥23.84
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      ¥22.63
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    • 500+

      ¥20.86
  • 有货
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      ¥16.17
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      ¥22.68
  • 有货
  • PSoC 4100S Plus 是一种可扩展和可重新配置的平台架构,适用于一系列基于 Arm CorteX-M0+ CPU 的可编程嵌入式系统控制器。它结合了可编程和可重新配置的模拟与数字模块,并具有灵活的自动布线功能。PSoC 4100S Plus 结合了带有标准通信和定时外设的微控制器、具有同类最佳性能的电容触摸感应系统(CapSense)、可编程通用连续时间和开关电容模拟模块以及可编程连接性。PSoC 4100S Plus 产品将与 PSoC 4 平台的其他成员向上兼容,以满足新的应用和设计需求。
    • 1+

      ¥25.67
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      ¥24.46
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      ¥23.72
    • 100+

      ¥23.1
  • 有货
  • 基于Arm® Cortex®-M4F内核的高新能拓展型MCU
    • 1+

      ¥25.79
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      ¥22.17
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      ¥20.01
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      ¥17.83
    • 480+

      ¥16.83
  • 有货
  • 特性:ARM Cortex-M4核心。 具备系统管理器,包含系统复位、系统电源分配、电源模式和唤醒源、电源模式转换、系统内存映射、SRAM内存组织、总线矩阵、HIRC自动调整、系统定时器(SysTick)、嵌套向量中断控制器(NVIC)等功能。 具备时钟控制器,包含时钟生成器、系统时钟和SysTick时钟、外设时钟、掉电模式时钟、时钟输出、USB时钟源等功能。 具备闪存内存控制器(FMC)。 具备通用输入输出(GPIO)。 具备PDMA控制器(PDMA)
    数据手册
    • 1+

      ¥25.93
    • 30+

      ¥23.36
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU,带TrustZone、FPU,频率高达250 MHz,MPU,375 DMIPS(Dhrystone 2.1)。 8 Kbyte指令缓存,允许从闪存和外部存储器零等待状态执行。 4 Kbyte外部存储器数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz(Dyrystone 2.1)。 1023 CoreMark(4.092 CoreMark/MHz)。 高达512 Kbyte的嵌入式闪存,带ECC,双存储体可读写。 每个存储体高达48 Kbyte,数据闪存具有高循环能力(100 K周期)
    • 1+

      ¥26.37
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      ¥22.56
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      ¥20.29
    • 100+

      ¥18
  • 有货
  • 特性:核心:基于 Arm Cortex-M4 的 32 位 CPU 带 FPU(最高 72 MHz),单周期乘法和硬件除法,DSP 指令和 MPU(内存保护单元)。 工作条件:VDD、VDDA 电压范围:2.0 V 至 3.6 V。 内存:128 至 256 KB 的闪存;高达 40 KB 的 SRAM,前 16 KB 实现硬件奇偶校验。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;为 RTC 和备份寄存器提供 VBAT 电源。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器;用于 RTC 的 32 kHz 振荡器,带校准;内部 8 MHz RC,有 x 16 PLL 选项;内部 40 kHz 振荡器。 多达 87 个快速 I/O:所有可映射到外部中断向量;多个 5 V 容忍。 互连矩阵
    数据手册
    • 1+

      ¥26.89
    • 10+

      ¥23.4
    • 30+

      ¥21.33
    • 100+

      ¥19.24
    • 500+

      ¥18.27
    • 1000+

      ¥17.84
  • 有货
  • 特性:高性能 RISC CPU:C 编译器优化架构,可选扩展指令集用于优化可重入代码,256 字节数据 EEPROM,高达 16 K 字节线性程序内存寻址,高达 512 字节线性数据内存寻址,高达 16 MIPS 操作,16 位宽指令,8 位宽数据路径,中断优先级,31 级软件可访问硬件堆栈,8×8 单周期硬件乘法器。
    数据手册
    • 1+

      ¥27.53
    • 10+

      ¥23.45
    • 30+

      ¥21.02
    • 100+

      ¥18.57
    • 500+

      ¥17.44
  • 有货
  • D13X 系列是一款高性能的全高清显示和智能控制SOC,采用国产自主高算力RISC-V 内核,内置16 位PSRAM 控制器并提供丰富的互联外设接口,配备了2D 图像加速引擎和JPEG/PNG 解码引擎,可以满足各类交互设计场景和多媒体互动体验,具有高可靠性、高安全性、高开放度的设计标准,可以面向于泛工业领域应用。
    • 1+

      ¥29.2
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      ¥24.92
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    • 189+

      ¥19.79
  • 有货
  • 这些微控制器具有模拟、独立于内核的外设和通信外设,并结合了超低功耗 (XLP) 技术,适用于广泛的通用和低功耗应用。这些28/40/44引脚的器件配备了带计算功能的10位ADC (ADCC),可自动执行电容分压器 (CVD) 技术,用于高级触摸感应、平均、滤波、过采样和执行自动阈值比较。它们还提供了一组独立于内核的外设,如互补波形发生器 (CWG)、窗口看门狗定时器 (WWDT)、循环冗余校验 (CRC)/内存扫描、过零检测 (ZCD) 和外设引脚选择 (PPS),提高了设计灵活性并降低了系统成本。
    数据手册
    • 1+

      ¥29.36
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      ¥25.8
    • 30+

      ¥23.68
  • 有货
    • 1+

      ¥30.82
    • 10+

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    • 30+

      ¥23.8
    • 250+

      ¥21.43
    • 500+

      ¥20.34
    • 1000+

      ¥19.85
  • 有货
  • MSP430F5529 具有 128KB 闪存、8KB SRAM、12 位 ADC、比较器、DMA、UART/SPI/I2C、USB 和硬件乘法器的 25MHz MCU
    数据手册
    • 1+

      ¥31.69
    • 10+

      ¥26.86
    • 30+

      ¥23.98
    • 100+

      ¥21.08
  • 有货
  • 中科芯CKS32F4XX系列高性能MCU,基于ARM Cortex-M4打造,包含浮点运算单元(FPU),同时还支持DSP指令以及存储保护(MPU)用来加强应用的安全性。该物料只适用于在消费电子、安防、新能源、智能家居、工控及物联设备。
    • 1+

      ¥31.93
    • 10+

      ¥27.45
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      ¥23.78
    • 90+

      ¥21.09
  • 有货
  • 是高度可扩展的成员,提供高性能、具有成本竞争力的电机控制解决方案。基于100 MHz的Arm Cortex-M4内核,结合浮点和DSP功能,提供一个强大的平台,使客户能够构建高度可扩展的解决方案组合。
    数据手册
    • 1+

      ¥33.01
    • 10+

      ¥28.69
    • 30+

      ¥26.12
    • 100+

      ¥23.52
  • 有货
  • 特性:核心:最大fCPU:高达24 MHz,在fCPU ≤ 16 MHz时0等待状态。具有哈佛架构和3级流水线的高级STM8内核。扩展指令集。24 MHz时最大20 MIPS。 存储器:程序:高达128 Kbytes闪存;在55℃下经过10 kcycles后数据保留20年。数据:高达2 Kbytes真数据EEPROM;耐久性300 kcycles
    数据手册
    • 1+

      ¥33.83
    • 10+

      ¥29.19
    • 30+

      ¥26.37
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      ¥24
  • 有货
    • 1+

      ¥34.25
    • 10+

      ¥33.5
    • 30+

      ¥33
    • 100+

      ¥32.5
  • 有货
  • 特性:工作条件:2.7V – 5.5V,-40°C 至 +125°C,直流至 48 MHz;-40°C 至 +85°C,直流至 64 MHz。 内核:Arm Cortex-M0+ CPU 最高运行频率 48 MHz 或 64 MHz,单周期硬件乘法器,微跟踪缓冲区,内存保护单元 (MPU)。 存储器:32/64/128/256 KB 系统内可自编程闪存,1/2/4/8 KB 独立可自编程闪存用于 EEPROM 仿真,4/8/16/32 KB SRAM 主存储器。
    数据手册
    • 1+

      ¥34.74
    • 10+

      ¥29.57
    • 30+

      ¥26.42
    • 100+

      ¥23.77
  • 有货
  • 特性:电源管理模式:运行模式:CPU、闪存、SRAM和外设开启。休眠模式:CPU时钟运行速度比外设慢。空闲模式:CPU关闭,闪存、SRAM和外设开启。睡眠模式:CPU、闪存和外设关闭,SRAM开启。深度睡眠模式:CPU、闪存、SRAM和大多数外设关闭;有多个自主唤醒源。低功耗:运行模式电流低至8 μA(典型值);空闲模式电流低至2.2 μA(典型值);深度睡眠模式电流低至20 nA(典型值);实时时钟/日历电流低至700 nA(32 kHz,1.8V);看门狗定时器电流为500 nA(1.8V典型值)。 高性能CPU:改进的哈佛架构。最高16 MIPS操作(32 MHz)
    • 1+

      ¥34.92
    • 10+

      ¥29.82
    • 30+

      ¥26.8
    • 100+

      ¥23.74
  • 有货
  • 特性:超低功耗,采用FlexPowerControl,电源电压1.71V至3.6V,温度范围-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式30nA(5个唤醒引脚)。 待机模式120nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式420nA。 停止2模式1.1μA,带RTC时1.4μA。 运行模式100μA/MHz(LDO模式)。 运行模式39μA/MHz(@3.3V SMPS模式)
    数据手册
    • 1+

      ¥35.01
    • 10+

      ¥30.04
    • 30+

      ¥27.09
  • 有货
  • 特性:40 MHz HCS08 CPU(中央处理器单元)。 20 MHz 内部总线频率。 HC08 指令集,增加 BGND 指令。 单线背景调试模式接口。 断点功能,允许在在线调试期间设置单个断点(片上调试模块中还有两个断点)。 片上实时在线仿真(ICE),带有两个比较器(BDM 中还有一个)、九种触发模式和片上总线捕获缓冲区
    数据手册
    • 1+

      ¥35.02
    • 10+

      ¥34.16
    • 30+

      ¥33.58
    • 100+

      ¥33
  • 有货
    • 1+

      ¥36.15
    • 10+

      ¥30.69
    • 30+

      ¥27.45
    • 100+

      ¥24.18
  • 有货
  • 是基于 ARM® Cortex®- M4 RISC 内核的 32 位通用微控制器,在增强处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳性价比。Cortex®- M4 内核配备浮点单元(FPU),可加速单精度浮点数学运算,支持所有 ARM® 单精度指令和数据类型。实现了一套完整的 DSP 指令,以满足对控制和信号处理能力高效、易用融合有需求的数字信号控制市场。还提供了内存保护单元(MPU)和强大的跟踪技术,以增强应用程序安全性和高级调试支持
    数据手册
    • 1+

      ¥37.74
    • 10+

      ¥32.12
    • 60+

      ¥28.69
    • 120+

      ¥25.82
  • 有货
  • AT89C55WD 是一款低功耗、高性能的 CMOS 8 位微控制器,带有 20K 字节的 Flash 可编程只读存储器和 256 字节的 RAM。该器件采用 Atmel 的高密度非易失性存储器技术制造,并与工业标准 80C51 和 80C52 指令集和引脚兼容。片上 Flash 允许用户通过常规的非易失性存储器编程器对程序存储器进行编程。通过将多功能 8 位 CPU 与 Flash 集成在单片芯片上,Atmel AT89C55WD 成为一种功能强大的微型计算机,为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。AT89C55WD 提供以下标准特性:20K 字节的 Flash、256 字节的 RAM、32 条 I/O 线、三个 16 位定时器/计数器、六向量两级中断结构、全双工串行端口、片上振荡器和时钟电路。此外,AT89C55WD 采用静态逻辑设计,可在零频率下工作,并支持两种软件可选的节能模式。空闲模式停止 CPU 运行,但允许 RAM、定时器/计数器、串行端口和中断系统继续运行。掉电模式保存 RAM 内容,但冻结振荡器,禁用所有其他芯片功能,直到下一个外部中断或硬件复位。
    数据手册
    • 1+

      ¥38.28
    • 10+

      ¥33.21
    • 30+

      ¥30.11
  • 有货
  • 特性:高性能64 MHz e200z0h CPU 32位Power Architecture技术。高达60 DMIPs操作,可变长度编码(VLE)。高达512 KB带ECC的代码闪存。64 KB带ECC的数据闪存。高达48 KB带ECC的SRAM。8项内存保护单元(MPU)
    数据手册
    • 1+

      ¥38.43
    • 10+

      ¥36.7
    • 30+

      ¥35.64
    • 100+

      ¥34.76
  • 有货
  • TMS320F280015x (F280015x) 是可扩展、超低延迟设备的成本优化型 C2000 实时微控制器系列的一员,专为功率电子领域的效率而设计。这些应用包括 HVAC 压缩机模块、前照灯、DC/DC 转换器、逆变器和电机控制、车载 (OBC) 和无线充电器、泵、工业电机驱动、电机控制、数字电源、传感和信号处理。TMS320F280015x 具有锁步运行的双 32 位 C28x CPU,使该设备能够在不增加太多软件开销的情况下实现 ASIL B 功能安全设备评级。实时控制子系统基于 TI 的 32 位 C28x DSP 核心,该核心提供 120 MHz 的信号处理性能,可运行来自片上闪存或 SRAM 的浮点或定点代码。C28x CPU 进一步受益于三角数学单元 (TMU) 和 VCRC(循环冗余校验)扩展指令集,从而加速实时控制系统的关键常用算法。F280015x 支持高达 256KB(128KW)的闪存。此外,还提供高达 36KB(18KW)的片上 SRAM,以补充闪存。高性能模拟模块集成在 F280015x 实时微控制器 (MCU) 上,并与处理和 PWM 单元紧密耦合,以提供最佳的实时信号链性能。十四个 PWM 通道可用于控制各种功率级,从三相逆变器到功率因数校正和其他高级多电平功率拓扑。通过各种行业标准通信端口(如 PMBUS、SPI、SCI、LIN、I2C、CAN 和 CAN FD)支持接口,并提供多种引脚复用选项,以实现最佳的信号放置。
    数据手册
    • 1+

      ¥39.03
    • 10+

      ¥33.69
    • 30+

      ¥30.52
    • 100+

      ¥27.31
  • 有货
  • 特性:核心:ARM Cortex-M4 32 位 CPU 带 FPU(最高 72 MHz),单周期乘法和硬件除法,90 DMIPS(来自 CCM),DSP 指令和 MPU(内存保护单元)。 工作条件:VDD、VDDA 电压范围:2.0V 至 3.6V。 存储器:128 至 256 Kbytes 的闪存;高达 40 Kbytes 的 SRAM,前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验;8 Kbytes 的 SRAM 在指令和数据总线上,带硬件奇偶校验(CCM)。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;RTC 和备份寄存器的 VBAT 电源。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器;用于 RTC 的 32 kHz 振荡器,带校准;内部 8 MHz RC,有 x 16 PLL 选项;内部 40 kHz 振荡器。 多达 87 个快速 I/O:所有可映射到外部中断向量;多个 5V 耐压。 互连矩阵
    数据手册
    • 1+

      ¥40.91
    • 10+

      ¥35.49
    • 30+

      ¥32.05
  • 有货
  • 特性:动态效率线,具备增强批量采集模式 (eBAM)。1.7 V 至 3.6 V 电源。40 °C 至 85/105/125 °C 温度范围。内核:带有浮点单元 (FPU) 的 Arm 32 位 Cortex-M4 CPU,自适应实时加速器 (ART Accelerator™) 允许从闪存零等待状态执行,频率高达 100 MHz,具备内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1),支持 DSP 指令。高达 1.5 Mbytes 的闪存。320 Kbytes 的 SRAM。灵活的外部静态内存控制器,具有高达 16 位数据总线:SRAM、PSRAM、NOR 闪存。双模式 Quad-SPI 接口
    数据手册
    • 1+

      ¥43.24
    • 10+

      ¥37.52
    • 30+

      ¥32.64
    • 100+

      ¥29.72
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M4 CPU(最高72 MHz),单周期乘法和硬件除法,带浮点单元(FPU)和内存保护单元(MPU)的DSP指令。1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。存储器:64至256 Kbytes的闪存,32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围2.0至3.6 V,上电/掉电复位(POR/PDR),可编程电压检测器(PVD),低功耗模式(睡眠、停止、待机),RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理:4至32 MHz晶体振荡器,用于RTC的32kHz振荡器(带校准),内部8 MHz RC(带x16 PLL选项),内部40kHz振荡器
    数据手册
    • 1+

      ¥44.47
    • 10+

      ¥38.12
    • 30+

      ¥31.91
    • 100+

      ¥28.1
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