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优化用于对成本敏感、需要低功耗、USB连接性、带浮点单元处理效率的应用。具备Kinetis系列的全面支持和可扩展性。提供高达1 MB的闪存和高达128 KB的SRAM,小封装高内存密度,运行功耗低至279μA/MHz,静态功耗低至5.1μA(全状态保留,5μs唤醒),最低静态模式低至268 nA,具备USB LS/FS OTG 2.0和嵌入式3.3V 120 mA LDO稳压器。
数据手册
  • 1+

    ¥86.23
  • 10+

    ¥82.29
  • 60+

    ¥75.45
  • 120+

    ¥68.7951 ¥69.49
  • 有货
  • 基于16/32位ARM7TDMI-S CPU,具有实时仿真和嵌入式跟踪支持,结合了32kB、64kB、128kB、256kB和512kB的嵌入式高速闪存。128位宽的内存接口和独特的加速器架构,可在最大时钟速率下实现32位代码执行。对于关键代码大小应用,替代的16位Thumb模式可将代码减少30%以上,且性能损失最小。由于尺寸小、功耗低,适用于小型化是关键要求的应用,如访问控制和销售点
    数据手册
    • 2+

      ¥57.34
    • 20+

      ¥51.55
    • 60+

      ¥46.58
    • 160+

      ¥41.9859 ¥42.41
  • 有货
  • 特性:高性能64 MHz e200z0h CPU 32位Power Architecture技术。高达60 DMIPs操作,可变长度编码(VLE)。高达512 KB带ECC的代码闪存。64 KB带ECC的数据闪存。高达48 KB带ECC的SRAM。8项内存保护单元(MPU)
    数据手册
    • 1+

      ¥57.4266 ¥74.58
    • 10+

      ¥54.7932 ¥71.16
    • 30+

      ¥50.2271 ¥65.23
    • 100+

      ¥46.2462 ¥60.06
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M3 CPU,带MPU,最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持单周期乘法和硬件除法。 内存:768 KB至1 MB的闪存,96 KB的SRAM,带有4个片选的灵活静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存,LCD并行接口,8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理:2.0至3.6 V应用电源和I/O,POR、PDR和可编程电压检测器(PVD),4至16 MHz晶体振荡器,内部8 MHz工厂校准RC,内部40 kHz带校准的RC,32 kHz带校准的RTC振荡器。 低功耗:睡眠、停止和待机模式,VBAT为RTC和备份寄存器供电。 3个12位、1 μs A/D转换器(最多21个通道),转换范围:0至3.6 V,三重采样和保持能力,温度传感器。 2个12位D/A转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥63.37
    • 10+

      ¥55.2
    • 30+

      ¥50.22
  • 有货
  • 超低功耗,采用带 Trust Zone 的 FPU Arm Cortex-M33、具有 1Mbytes 闪存的 160 MHz MCU
    • 1+

      ¥64.7224 ¥95.18
    • 10+

      ¥61.7508 ¥90.81
    • 30+

      ¥56.61 ¥83.25
    • 100+

      ¥52.122 ¥76.65
  • 有货
  • TMS320F2806 具有 100 MHz 频率、64 KB 闪存、12 通道 PWM 的 C2000™ MCU
    数据手册
    • 1+

      ¥65.57
    • 10+

      ¥56.05
    • 30+

      ¥50.25
    • 90+

      ¥45.39
  • 有货
  • 特性:核心:32位ARM Cortex M7 CPU,带FPU、自适应实时加速器和8KB数据缓存与8KB指令缓存,允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行,频率高达216MHz,具备MPU、462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。 高达512KB的闪存,具备保护机制(读写保护、专有代码读出保护)。 528字节的OTP内存。 SRAM:256KB(包括64KB用于关键实时数据的数据TCM RAM)+ 16KB用于关键实时程序的指令TCM RAM + 4KB备份SRAM。 灵活的外部存储器控制器,具备高达32位数据总线:支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND存储器。 双模式Quad-SPI。 时钟、复位和电源管理。 1.7V至3.6V应用电源和I/O
    数据手册
    • 1+

      ¥66.03
    • 10+

      ¥56.79
    • 30+

      ¥51.15
    • 100+

      ¥46.43
  • 有货
  • SAM7X512/256/128 是一款基于32位ARM RISC处理器的高度集成的闪存微控制器。它具有512/256/128 K字节的高速闪存和128/64/32 K字节的SRAM,以及包括802.3以太网MAC和CAN控制器在内的一系列外设。一套完整的系统功能减少了外部组件的数量。嵌入式闪存可以通过JTAG-ICE接口在系统中编程,或者在安装前通过生产编程器上的并行接口进行编程。内置的锁定位和安全位可以防止固件被意外覆盖,并保护其机密性。SAM7X512/256/128系统控制器包括一个复位控制器,能够管理微控制器和整个系统的上电顺序。设备的正确运行可以通过内置的掉电检测器和运行于集成RC振荡器上的看门狗来监控。通过将ARM7TDMI处理器与片上闪存和SRAM以及包括USART、SPI、CAN控制器、以太网MAC、定时计数器、RTT和模数转换器在内的多种外设功能结合在一个单芯片上,SAM7X512/256/128是一款强大的设备,为许多需要通过以太网、有线CAN和ZigBee无线网络进行通信的嵌入式控制应用提供了灵活且经济高效的解决方案。
    数据手册
    • 1+

      ¥67.41
    • 10+

      ¥58.58
    • 30+

      ¥53.19
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。32位Arm Cortex-M7内核,具有双精度FPU和L1缓存:16KB数据缓存和16KB指令缓存;频率高达480MHz,具备MPU,1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。高达2MB的闪存,支持读写操作。高达1MB的RAM:192KB的TCM RAM(包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序),高达864KB的用户SRAM,以及4KB备份域中的SRAM。双模式Quad-SPI内存接口,运行速度高达133MHz。灵活的外部内存控制器,具有高达32位数据总线:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存,同步模式下时钟频率高达100MHz。CRC计算单元。ROP、PC-ROP、主动篡改保护
    数据手册
    • 1+

      ¥71.52
    • 10+

      ¥61.14
    • 30+

      ¥54.81
  • 有货
  • MSP430F2617 具有 92KB 闪存、8KB SRAM、12 位 ADC、双通道 12 位 DAC、I2C/SPI/UART、硬件加速器和 DMA 的 16MHz MCU
    数据手册
    • 1+

      ¥71.66
    • 10+

      ¥68.2
    • 30+

      ¥62.21
    • 100+

      ¥56.98
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 采用FlexPowerControl实现超低功耗。 电源电压范围为1.71V至3.6V。 工作温度范围为-40℃至+85/125℃。 低功耗背景自主模式(LPBAM):带DMA的自主外设,功能可低至Stop 2模式。 VBAT模式:为RTC、32×32位备份寄存器和2K字节备份SRAM供电。 90nA关机模式(23个唤醒引脚)。 200nA待机模式(23个唤醒引脚)
    • 1+

      ¥72.35
    • 10+

      ¥61.58
    • 30+

      ¥55.01
    • 100+

      ¥49.51
  • 有货
  • 特性:核心:32位ARM Cortex M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART AcceleratorTM),允许从闪存零等待状态执行,频率高达180 MHz,具备MPU,225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。 内存:高达2 MB闪存,分为两个存储体,支持边读边写;高达384 + 4 KB SRAM,包括64 KB CCM(核心耦合内存)数据RAM;灵活的外部内存控制器,具有高达32位数据总线,支持SRAM、FSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Flash NOR/NAND内存;双闪存模式Quad-SPI接口。
    数据手册
    • 1+

      ¥73.27
    • 10+

      ¥62.29
    • 30+

      ¥55.6
  • 有货
  • TMS320F28374S 具有 400MIPS、1 个 CPU、1 个 CLA、FPU、TMU、512KB 闪存、EMIF、12 位 ADC 的 C2000™ MCU
    数据手册
    • 1+

      ¥87.23
    • 10+

      ¥82.9
    • 30+

      ¥75.39
  • 有货
  • 特性:未明确从文档中提取到符合特性定义的内容,仅在目录中出现“Features”字样,但无对应具体内容,故无符合要求的特性信息输出。
    数据手册
    • 5+

      ¥92.36
    • 50+

      ¥90.31
    • 150+

      ¥89.06
    • 500+

      ¥87.12 ¥88
  • 有货
  • 基于16位/32位ARM7TDMI-S CPU,具有实时仿真功能,结合了512kB嵌入式高速闪存。128位宽内存接口和独特的加速器架构,可在最大时钟速率下实现32位代码执行。在中断服务程序和DSP算法的关键性能方面,比Thumb模式提高了30%的性能。对于关键代码大小应用,替代的16位Thumb模式可将代码减少30%以上,且性能损失最小
    数据手册
    • 3+

      ¥93.07
    • 30+

      ¥88.44
    • 120+

      ¥80.43
    • 300+

      ¥72.7056 ¥73.44
  • 有货
  • 基于16位/32位ARM7TDMI-S CPU,具有实时仿真功能,结合了高达512 kB的嵌入式高速闪存。128位宽的内存接口和独特的加速器架构,可在最大时钟速率下实现32位代码执行。对于中断服务程序和DSP算法的关键性能,比Thumb模式提高了30%的性能。对于关键代码大小的应用,替代的16位Thumb模式可将代码减少30%以上,且性能损失最小。适用于多用途串行通信应用,可用于通信网关和协议转换器。还适用于工业控制和医疗系统。
    数据手册
    • 1+

      ¥97.67
    • 10+

      ¥96.22
    • 30+

      ¥93.71
    • 90+

      ¥90.6147 ¥91.53
  • 有货
  • 特性:32位Cortex-M4 CPU带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator™)允许从闪存零等待状态执行,频率高达180 MHz,有MPU,225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。 高达2 MB的闪存,分为两个存储体,支持边读边写。 高达384 + 4 KB的SRAM,包括64 KB的CCM(核心耦合内存)数据RAM。 灵活的外部内存控制器,高达32位数据总线:支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、NOR/NAND闪存。 双闪存模式Quad-SPI接口。 Chrom-ART Accelerator™(DMA2D)图形硬件加速器,可在最小CPU负载下实现增强的图形用户界面。 LCD并行接口,支持8080/6800模式。 LCD TFT控制器支持高达XGA分辨率
    • 1+

      ¥99.3
    • 10+

      ¥97.77
    • 40+

      ¥95.12
    • 80+

      ¥92.8
  • 有货
  • e200z4 微控制器32位双核 200MHz 2.5MB(2.5M x 8) 闪存
    数据手册
    • 1+

      ¥114.54
    • 10+

      ¥90.17
    • 60+

      ¥81.17
    • 120+

      ¥72.8838 ¥73.62
  • 有货
  • SMART SAM4E 系列闪存微控制器基于高性能 32 位 ARM Cortex -M4 RISC 处理器,并包括一个浮点单元 (FPU)。它以最高 120 MHz 的速度运行,具有高达 1024 Kbytes 的闪存、2 Kbytes 的缓存内存和高达 128 Kbytes 的 SRAM。SAM4E 提供了一整套先进的连接外设,包括支持 IEEE 1588 的 10/100 Mbps 以太网 MAC 和双 CAN。凭借单精度 FPU、高级模拟功能以及完整的定时和控制功能,SAM4E 是工业自动化、家庭和楼宇控制、机器对机器通信、汽车后市场以及能源管理应用的理想解决方案。外设集包括带有嵌入式收发器的全速 USB 设备端口、支持 IEEE 1588 的 10/100 Mbps 以太网 MAC、用于 SDIO/SD/MMC 的高速 MCI、外部总线接口(具有静态存储器控制器,提供与 SRAM、PSRAM、NOR Flash、LCD 模块和 NAND Flash 的连接)、用于摄像头接口的并行 I/O 捕获模式、AES256 硬件加速、2 个 USART、2 个 UART、2 个 TWI、3 个 SPI,以及 4 通道 PWM、3 个三通道通用 32 位定时器(支持步进电机和正交解码逻辑)、低功耗 RTC、低功耗 RTT、256 位通用备份寄存器、2 个模拟前端接口(16 位 ADC、DAC、MUX 和 PGA)、一个 12 位 DAC(2 通道)和一个模拟比较器。SAM4E 器件具有三种软件可选的低功耗模式:睡眠模式、等待模式和备份模式。在睡眠模式下,处理器停止工作,而其他所有功能可以继续运行。在等待模式下,所有时钟和功能都停止,但可以配置某些外设根据预定义条件唤醒系统。实时事件管理允许外设在活动模式和睡眠模式下接收、响应和发送事件,无需处理器干预。
    数据手册
    • 1+

      ¥114.98
    • 10+

      ¥109.35
    • 30+

      ¥99.6
  • 有货
  • TMS320F28335-Q1 具有 150MIPS、FPU、512KB 闪存、EMIF、12 位 ADC 的汽车类 C2000™ MCU
    数据手册
    • 1+

      ¥120.74
    • 10+

      ¥114.7
    • 40+

      ¥104.23
    • 80+

      ¥95.1
  • 有货
  • TMS320F28388D 具有连接管理器、2 个 C28x+CLA CPU、1.5MB 闪存、FPU64、CLB、ENET、EtherCAT 的 C2000™ MCU
    数据手册
    • 1+

      ¥134.26
    • 40+

      ¥127.07
  • 有货
  • 是C2000™实时微控制器系列中的一款可扩展、超低延迟器件,旨在提高电力电子设备的效率,包括但不限于:高功率密度、高开关频率,并支持使用GaN和SiC技术。这些应用包括工业电机驱动电机控制、牵引逆变器电机控制、HVAC电机控制、移动机器人电机控制、光伏逆变器、中央逆变器、微型逆变器、串式逆变器、数字电源、HEV/EV动力总成、电动汽车充电基础设施、储能系统、工业与协作机器人、工业机械和机床、工业移动机器人。实时控制子系统基于TI的32位C28xDSP内核,可针对从片上闪存或SRAM运行的浮点或定点代码在每个内核中提供200MIPS的信号处理性能。这相当于基于Cortex®-M7的器件上的400MHz处理能力(C28xDSP内核提供的性能比Cortex®-M7内核高两倍)。三角函数加速器(TMU)和循环冗余校验(VCRC)扩展指令集进一步增强了C28x CPU的性能,从而加快了对实时控制系统很关键的常用算法的速度。利用扩展指令集实现IEEE双精度64位浮点数学。最后,控制律加速器(CLA)使每个内核具有额外200MIPS的独立处理能力。这相当于基于Cortex®-M7的器件上的280MHz处理能力(CLACPU提供比Cortex®-M7内核高40%的性能)
    数据手册
    • 1+

      ¥134.77
    • 10+

      ¥128.17
    • 30+

      ¥116.74
  • 有货
  • 特性:无
    数据手册
    • 1+

      ¥203.49
    • 30+

      ¥194.9211 ¥196.89
  • 有货
    • 1+

      ¥273.6
    • 30+

      ¥256.608 ¥259.2
  • 有货
  • i.MX 6 series 32-bit MPU, Dual ARM Cortex-A9 core, 850MHz, FCBGA 624Arm Cortex-A9Core: Number of cores (SPEC)2SRAM (kB)256支持外部存储器DDR3 SDRAM, DDR3L SDRAM, ECC, LPDDR2 DRAM, NAND FLASH, NOR FLASH, ONFI2.2Serial Communication1 x PCIe 2.0, 3 x I?C, 5 x SPI, 5 x UARTI2S-CAN-Serial Audio Interface (SAI)-EthernetGPIOUSB ControllersTimer (bits)-PWM4ADC [Number, bits]Supply Voltage [Min to Max] (V)Ambient Operating Temperature (Min to Max) (℃)
    数据手册
    • 1+

      ¥363.65
    • 30+

      ¥342.7875 ¥346.25
  • 有货
  • i.MX 6 series 32-bit MPU, Quad ARM Cortex-A9 core, 1.2GHz, FCBGA 624Arm Cortex-A9Core: Number of cores (SPEC)4SRAM (kB)256支持外部存储器DDR3 SDRAM, DDR3L SDRAM, ECC, LPDDR2 DRAM, NAND FLASH, NOR FLASH, ONFI2.2Serial Communication1 x PCIe 2.0, 3 x I?C, 5 x SPI, 5 x UARTI2S-CAN-Serial Audio Interface (SAI)-EthernetGPIOUSB ControllersTimer (bits)-PWM4ADC [Number, bits]Supply Voltage [Min to Max] (V)Ambient Operating Temperature (Min to Max) (℃)
    数据手册
    • 1+

      ¥464.29
    • 3+

      ¥455.99
    • 30+

      ¥427.68 ¥432
  • 有货
  • 特性:只需学习35条指令。 所有指令均为单周期(除了分支跳转)。 指令周期:4T,250ns @ 4T,16MHz,VDD≥2.7V。 8层硬件堆栈存储架构。 程序ROM:1k x 14bits。 数据RAM:64 x 8bits
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6529
    • 50+

      ¥0.5089
    • 200+

      ¥0.4369
    • 500+

      ¥0.3829
    • 2000+

      ¥0.3397
    • 5000+

      ¥0.3181
  • 有货
  • ARM Cortex-M0+ 48MHz Flash:64KB SRAM:4KB 定时器:6 12位ADC:1(14 外 2 内) GPIO:16+1 I2C:1 SPI:1 UART :2 工作电压:1.62V-5.5V 工作温度-40℃-85℃
    • 5+

      ¥1.4601
    • 50+

      ¥1.2711
    • 150+

      ¥1.1901
    • 500+

      ¥1.089
    • 2500+

      ¥1.044
    • 5000+

      ¥1.017
  • 有货
  • HK32F0301MxxxxC MCU使用ARM Cortex-M0内核,最高工作频率为48 MHz,内置16 KByte Flash和4 KByte SRAM。通过配置Flash控制器的寄存器,可实现中断向量在16 KByte空间内的重映射。 HK32F0301MxxxxC除电源、地以外的所有引脚都可以作为GPIO、外设IO或外部中断输入;在引脚数量受限应用场景中,该MCU提供了尽可能多的引脚信号数量。
    • 5+

      ¥1.4781
    • 50+

      ¥1.2891
    • 140+

      ¥1.2081
    • 490+

      ¥1.107
  • 有货
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