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型号：PIC18F66K22-I/PT 编号：C54979

封装：TQFP-64(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：电源管理模式：运行：CPU开启，外设开启。空闲：CPU关闭，外设开启。睡眠：CPU关闭，外设关闭。双速振荡器启动。故障安全时钟监视器。节能外设模块禁用（PMD）

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型号：LPC4330FET180Y 编号：C2056937

封装：TFBGA-180

品牌：NXP(恩智浦)

LPC4350/30/20/10是针对嵌入式应用的ARM Cortex-M4微控制器，搭载1个ARM Cortex-M0协处理器、高达264kB SRAM、高级可配置外设（如状态可配置定时器(SCT)和串行通用I/O(SGPIO)接口）、2个高速USB控制器、以太网、液晶显示器、1个外部存储控制器和多个数字和模拟外设。LPC4350/30/20/10系列CPU工作频率高达204MHz。

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型号：STM32L433RCT6 编号：C160656

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。采用FlexPowerControl实现超低功耗。 -电源电压范围：1.71V至3.6V。 -温度范围：-40℃至85/105/125℃。 -VBAT模式下电流为200nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。 -待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。 -带RTC的待机模式电流为280nA

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型号：R5F100LJAFB#10 编号：C3230613

封装：LFQFP-64(10x10)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：STM32F303RCT6 编号：C65361

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM Cortex-M4 32 位 CPU 带 FPU（最高 72 MHz），单周期乘法和硬件除法，90 DMIPS（来自 CCM），DSP 指令和 MPU（内存保护单元）。工作条件：VDD、VDDA 电压范围：2.0V 至 3.6V。存储器：128 至 256 Kbytes 的闪存；高达 40 Kbytes 的 SRAM，前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验；8 Kbytes 的 SRAM 在指令和数据总线上，带硬件奇偶校验（CCM）。 CRC 计算单元。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止和待机；RTC 和备份寄存器的 VBAT 电源。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器；用于 RTC 的 32 kHz 振荡器，带校准；内部 8 MHz RC，有 x 16 PLL 选项；内部 40 kHz 振荡器。多达 87 个快速 I/O：所有可映射到外部中断向量；多个 5V 耐压。互连矩阵

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型号：S9S08AW32E5CPUE 编号：C1344656

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：NXP(恩智浦)

特性：40 MHz HCS08 CPU（中央处理器单元）。 20 MHz 内部总线频率。 HC08 指令集，增加 BGND 指令。单线背景调试模式接口。断点功能，允许在在线调试期间设置单个断点（片上调试模块中还有两个断点）。片上实时在线仿真（ICE），带有两个比较器（BDM 中还有一个）、九种触发模式和片上总线捕获缓冲区

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型号：STM32F205RGT6 编号：C30481

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU（最高 120 MHz），带有自适应实时加速器（ART Accelerator，允许从闪存中实现零等待状态执行性能），MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：高达 1 Mbyte 的闪存；512 字节的 OTP 存储器；高达 128 + 4 Kbytes 的 SRAM；支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器；LCD 并行接口，8080/6800 模式。时钟、复位和电源管理：1.8 至 3.6 V 应用电源 + I/O；POR、PDR、PVD 和 BOR；4 至 26 MHz 晶体振荡器；内部 16 MHz 工厂校准 RC；带校准的 32 kHz RTC 振荡器；带校准的内部 32 kHz RC。

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型号：STM32F303VDT6 编号：C1338282

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM Cortex-M4 32位CPU，带有72 MHz FPU、单周期乘法和硬件除法、90 DMIPS（来自CCM）、DSP指令和MPU（内存保护单元）。 VDD、VDA电压范围：2.0V至3.6V。高达512 Kbytes的闪存，64 Kbytes的SRAM，前32 Kbytes实现硬件奇偶校验。常规增强器：指令和数据总线上16 Kbytes的SRAM，带硬件奇偶校验（CCM）。用于静态存储器的灵活内存控制器（FSMC），带有四个片选。 CRC计算单元。上电/掉电复位（POR/PDR）。可编程电压检测器（PVD）

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型号：STM32H723ZET6 编号：C730144

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

带 DP-FPU 的高性能 DSP、带 512 KB 闪存、564 KB RAM、550 MHz CPU、L1 缓存、外部存储器接口、外设子集的 Arm Cortex-M7 MCU

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型号：STM32F407VGT6TR 编号：C919362

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）可实现从闪存零等待状态执行，频率高达 168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持 DSP 指令。存储器：高达 1 M 字节闪存；高达 192 + 4 K 字节 SRAM，包括 64 K 字节 CCM（核心耦合内存）数据 RAM；512 字节 OTP 内存；灵活的静态内存控制器，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。

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单价：
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型号：PIC24FJ256GA705-I/M4 编号：C515545

封装：UQFN-48-EP(6x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：高性能CPU：改进的哈佛架构。高达16 MIPS的运行速度（32 MHz）。8 MHz快速RC内部振荡器，有96 MHz PLL选项和多个时钟分频选项，快速启动。17位x 17位单周期硬件分数/整数乘法器。32位除以16位硬件除法器。16位x 16位工作寄存器阵列。C编译器优化的指令集架构。两个地址生成单元，用于数据存储器的独立读写寻址

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型号：STM32H563VIT6 编号：C6937834

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。带有TrustZone FPU的Arm Cortex-M33 CPU，频率高达250 MHz，具备MPU，375 DMIPS（Dhrystone 2.1）。 8 Kbyte指令缓存，可实现从闪存和外部存储器的零等待状态执行。 4 Kbyte用于外部存储器的数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz（Drystone 2.1）。 1023 CoreMark（4.092 CoreMark/MHz）。高达2 Mbyte的带ECC嵌入式闪存，2个存储体可读写。每个存储体高达48 Kbyte的高循环能力（100 K周期）数据闪存

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型号：STM32F373RBT6 编号：C154712

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，带FPU（浮点单元）和MPU（内存保护单元）的DSP指令，1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。内存：64至256 Kbytes的闪存，32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0至3.6 V，上电/掉电复位（POR/PDR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式：睡眠、停止、待机，VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器，32 kHz带校准的RTC振荡器，内部8 MHz RC（带x16 PLL选项），内部40 kHz振荡器。多达84个快速I/O，所有可映射到外部中断向量，多达45个5 V耐压I/O

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型号：AT32F437VMT7 编号：C3029583

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ARTERY(雅特力)

基于ARM 32位的Cortex -M4微控制器+FPU，带256 K字节至4032 K字节内部闪存、sLib、双QSPI、SDRAM、双OTGFS、以太网、摄像头、18个定时器、3个ADC、30个通信接口

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型号：STM32H523VET6 编号：C27338462

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU，带TrustZone、FPU，频率高达250 MHz，MPU，375 DMIPS（Dhrystone 2.1）。 8 Kbyte指令缓存，允许从闪存和外部存储器零等待状态执行。 4 Kbyte外部存储器数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz（Dyrystone 2.1）。 1023 CoreMark（4.092 CoreMark/MHz）。高达512 Kbyte的嵌入式闪存，带ECC，双存储体可读写。每个存储体高达48 Kbyte，数据闪存具有高循环能力（100 K周期）

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型号：STM32F103VDT6 编号：C41527

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：S9S08DZ128F2MLH 编号：C782277

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：NXP(恩智浦)

特性：40-MHz HCS08 CPU（20-MHz总线）。 HC08指令集，增加BGND指令。支持多达32个中断/复位源。 Flash可在全工作电压和温度下进行读取/编程/擦除。两种极低功耗停止模式。低功耗等待模式。适用于运行、等待和停止模式的极低功耗实时中断。振荡器（XOSC）：环路控制皮尔斯振荡器；晶体或陶瓷谐振器范围为31.25 kHz至38.4 kHz或1 MHz至16 MHz

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型号：STM32L071RZT6 编号：C169182

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台，1.65V至3.6V电源，-40至125℃温度范围。 0.29μA待机模式（3个唤醒引脚）。 0.43μA停止模式（16个唤醒线）。 0.86μA停止模式 + RTC + 20KB RAM保留。运行模式下低至93μA/MHz。 5μs唤醒时间（从闪存）

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￥40.2822 ￥63.94
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￥19.5005 ￥45.35

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型号：AT32F437ZMT7 编号：C3020656

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ARTERY(雅特力)

特性：带有FPU的32位Cortex-M4 CPU。最高288 MHz工作频率，带存储器保护单元（MPLU），内建单周期乘法和硬件除法。内建浮点运算单元（FPU）。具有DSP指令集。256 K字节至4032 K字节的内部闪存储器。sLib：将指定之主存储区设为执行代码安全库区，此区代码仅能调用无法读取。默认384 K字节的SRAM，最大可设定为512 K字节。具有16位数据总线的外部存储器控制器（XMC）：支持CF卡、SRAM、PSRAM、NOR、NAND和SDRAM存储器

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型号：FS32K148HRT0VLQR 编号：C1850196

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：NXP(恩智浦)

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型号：STM32H723ZGT6 编号：C730146

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

带 DP-FPU 的高性能 DSP、带 1 MB 闪存的 Arm Cortex-M7 MCU、564 KB RAM、550 MHz CPU、L1 缓存、外部存储器接口、外设子集

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型号：STM32G473CEU6 编号：C1342773

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU和自适应实时加速器（ART Accelerator），允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：用于三角函数加速的CORDIC和过滤数学加速器FMAC。存储器：512 KB的闪存，支持ECC，双存储体可读写，具备专有代码读取保护（PCROP）和可安全存储区域，1 KB OTP；96 KB SRAM，前32 KB实现硬件奇偶校验；指令和数据总线上32 KB SRAM（CCM SRAM），带硬件奇偶校验；支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器的外部静态存储器接口FSMC；Quad-SPI存储器接口。

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型号：k210 编号：C913414

封装：BGA-144(8x8x0.65)

品牌：Canaan(嘉楠)

Dual-core 64bit RISC-V @ 400MHz SOC

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型号：STM32L152VBT6A 编号：C1337590

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台: 1.65V 至 3.6V 电源。-40°C 至 85°C/105°C 温度范围。0.3μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。0.9μA 待机模式 + RTC。0.57μA 停止模式（16 个唤醒线）。1.2μA 停止模式 + RTC。9μA 低功耗运行模式。214μA/MHz 运行模式

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型号：GD32F450IGH6 编号：C179654

封装：BGA-176

品牌：GigaDevice(兆易创新)

32-bit ARM Cortex-M4 MCU,200MHz,1024KB FLASH,256KB SRAM

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型号：TMS320F28035RSHT 编号：C1337919

封装：VQFN-56-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

TMS320F28035 具有 60MHz 频率、128KB 闪存、CLA 的 C2000™ MCU

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型号：STM32F446RET7 编号：C1343794

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达180 MHz，具备MPU，225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：512 KB闪存、128 KB SRAM、具有高达16位数据总线的灵活外部存储器控制器，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存、双模式QuadSPI接口。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：1.7 V至3.6 V应用电源和I/O、POR、PDR、PVD和BOR、4至26 MHz晶体振荡器、内部16 MHz工厂校准RC（精度1%）、用于RTC的32 kHz振荡器及校准、内部32 kHz RC及校准。低功耗：支持睡眠、停止和待机模式。 VBAT为RTC供电，20×32位备份寄存器加上可选的4 KB备份SRAM。 3个12位、2.4 MSPS ADC：多达24个通道，三重交错模式下可达7.2 MSPS。 2个12位D/A转换器

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型号：ATMEGA32U4-MUR 编号：C45874

封装：VQFN-44-EP(7x7)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款基于AVR增强型RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，可实现接近每MHz 1 MIPS的吞吐量，使系统设计人员能够优化功耗与处理速度。AVR内核将丰富的指令集与32个通用工作寄存器相结合。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元(ALU)，允许在一个时钟周期内执行的一条指令中访问两个独立的寄存器。与传统的CISC微控制器相比，该架构代码效率更高，吞吐量提高了十倍。

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型号：STM32H757XIH6 编号：C1343741

封装：TFBGA-265

品牌：ST(意法半导体)

特性：双核:32位Arm Cortex-M7内核，具有双精度FPU和16KB数据、16KB指令L1缓存；频率高达480MHz，有MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。32位Arm Cortex-M4内核，具有FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）用于内部闪存和外部存储器，频率高达240MHz，有MPU，300 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器:2MB闪存，支持边读边写。1MB RAM：192KB TCM RAM（含64KB ITCM RAM + 128KB DTCM RAM用于时间关键程序），864KB用户SRAM，4KB备份域SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器，高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟高达125MHz。CRC计算单元。安全：ROP、PC-ROP、主动篡改、安全固件升级支持、安全访问模式

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型号：S912ZVCA19F0MLF 编号：C1337563

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：NXP(恩智浦)

混合信号系统有助于构建强大而可靠的解决方案，因为它们具有成本效益，并且提供更高的性能、低功耗和紧凑的设计。S12 MagniV微控制器系列基于成熟的S12技术提供全面的解决方案。通过将高压（HV）模拟功能集成到标准汽车MCU中，S12 MagniV系列有助于提高制造效率并降低材料清单成本，从而简化系统设计。S12 MagniV MCU将16位S12和S12Z MCU内核与HV模拟外设相结合，提供更简单、更小的解决方案

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