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基于 ARM 的 32 位 MCU，高达 256 KB 闪存，具备 CAN、12 个定时器、ADC、DAC 和通信接口，工作电压 2.0-3.6V。

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型号：HC32F420KATB-LQFP64 编号：C5907208

封装：LQFP-64(10x10)

HC32F420 系列是一款采用高性能 ARM Cortex®-M4 内核的 32 位微控制器，工作电压范围为 2.0 ~ 5.5V、工作温度范围为 -40 ~ 105℃，具备丰富的外设配置和多种工作模式以适用不同的应用场景。本产品提供多种封装形式，各封装形式下外设配置不同。

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型号：CH32V103C8T6 编号：C2764428

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：WCH(南京沁恒)

是基于标准RISC-V指令集架构的32位通用MCU微处理器。该系列包括V3A、V3B和V3C，其中V3A支持RV32IMAC标准指令集扩展，V3B/C支持RV32IMCB标准指令集扩展和定制指令集扩展XW。两者都支持单周期乘法和硬件除法，此外还具备硬件压栈（HPE）、无表中断（VTF）、简化的1线和2线调试接口、“WFE”指令等特殊功能。

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型号：PIC16F1825-I/SL 编号：C19649

封装：SOIC-14

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：高性能RISC CPU：仅需学习49条指令。除分支指令外均为单周期指令。工作速度：DC-32 MHz振荡器/时钟输入。DC-125 ns指令周期

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型号：R5F100GEAFB#10 编号：C3230268

封装：LFQFP-48(7x7)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：HC32F452JEUB-QFN48TR 编号：C5263757

封装：QFN-48(5x5)

商城规格书仅供参考，具体参考小华官网最新资料手册

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型号：CY8C4014LQI-422T 编号：C382040

封装：QFN-24-EP(4x4)

PSoC 4 是一种可扩展和可重新配置的平台架构，适用于具有 ARM CorteX-M0 CPU 的可编程嵌入式系统控制器系列。它结合了可编程和可重新配置的模拟和数字模块以及灵活的自动布线。PSoC 4000 产品系列是 PSoC 4 平台架构中最小的成员。它将带有标准通信和定时外设的微控制器、具有最佳性能的电容式触摸感应系统（CapSense）和通用模拟功能结合在一起。PSoC 4000 产品将与 PSoC 4 平台的其他成员完全向上兼容，以满足新的应用和设计需求。

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型号：HC32L073PATA-LQFP100 编号：C784675

封装：LQFP-100(14x14)

HC32L072 / HC32L073 系列是一款旨在延长便携式测量系统的电池使用寿命的超低功耗、宽电压工作范围的 MCU。集成12 位 1Msps 高精度SARADC，2 个12 位 DAC以及集成了比较器、运放、内置高性能PWM 定时器、LCD 显示、多路 UART、SPI、I2C、I2S、USB、CAN 等丰富的通讯外设，内建 AES、TRNG 等信息安全模块，具有高整合度、高抗干扰、高可靠性和超低功耗的特点。本产品内核采用 Cortex-M0+ 内核，配合成熟的 Keil & IAR 调试开发软件，支持C 语言及汇编语言，汇编指令。

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型号：PIC16F688-I/SL 编号：C9787

封装：SOIC-14

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：仅需学习35条指令：除分支指令外均为单周期指令。工作速度：DC – 20 MHz振荡器/时钟输入；DC – 200 ns指令周期。中断能力。 8级深度硬件堆栈。直接、间接和相对寻址模式。精密内部振荡器：工厂校准至±1%；软件可选8 MHz至31 kHz频率范围；软件可调；双速启动模式；关键应用的晶体故障检测；运行期间时钟模式切换以节省功耗

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型号：IAP15W4K61S4-30I-LQFP44 编号：C54357

封装：LQFP-44(10x10)

品牌：STC

特性：大容量4096字节片内RAM数据存储器。高速：1个时钟/机器周期，增强型8051内核，速度比传统8051快7～12倍，比STC早期的1T系列单片机速度快20%。宽电压：2.5V～5.5V。低功耗设计：低速模式，空闲模式，掉电模式（可由外部中断或内部掉电唤醒定时器唤醒）。不需外部复位的单片机，ISP编程时16级复位门槛电压可选，内置高可靠复位电路。不需外部晶振的单片机，ISP编程时内部时钟从5MHz~30MHz可设，内部高精度R/C时钟(±0.3%)，±1%温飘(-40℃~+85℃)，常温下温飘±0.6%(-20℃~+65℃)。支持掉电唤醒的资源有：INT0/INT1(上升沿/下降沿中断均可)，INT2/INT3/INT4(下降沿中断)；CCP0/CCP1/RxD/RxD2/RxD3/RxD4/T0/T1/T2/T3/T4管脚；内部掉电唤醒专用定时器。 16/32/40/48/56/58K/61K/63.5K字节片内Flash程序存储器，擦写次数10万次以上

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型号：STM32F042F4P6 编号：C81002

封装：TSSOP-20

STM32F042x4/x6 微控制器集成了高性能 ARM Cortex-M0 32 位 RISC 核心，工作频率高达 48 MHz，具有高速嵌入式存储器（高达 32 KB 的 Flash 存储器和 6 KB 的 SRAM），以及广泛的增强型外设和 I/O。所有设备均提供标准通信接口（一个 I2C、两个 SPI/一个 I2S、一个 HDMI CEC 和两个 USART），一个 USB 全速设备（无晶体），一个 CAN，一个 12 位 ADC，四个 16 位定时器，一个 32 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。

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型号：HC32F448KCTI-LQFP64 编号：C5907213

封装：LQFP-64(10x10)

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型号：STC15L2K60S2-28I-LQFP44 编号：C41562

封装：LQFP-44(10x10)

品牌：STC

特性：大容量4096字节片内RAM数据存储器。高速：1个时钟/1机器周期，增强型8051片核，速度比传统8051快7～12倍，比STC早期的IT系列单片机速度快20%。宽电压：2.5V-6.5V。低功耗设计：低速模式，空闲模式，掉电模式(可由外部中断或内部掉电唤醒电路唤醒)。不需外部复位的单片机，ISP编程时16级复位门推出压可选，内置高可靠复位定时器。不需外部晶振的单片机，ISP编程时内部时钟从5MHz-30MHz可设(相当于普通8051，60～360MHz)。内部高精度R/C时钟(±0.3%)，±1%温漂(+40°C-+ 85°C)，常温下温飘-0.6%(+20°C-+ 65°C)。支持掉电唤醒的资源有：INT0/INT1(上升沿/下降沿中断均可)、INT2/INT3/INT4(下降沿中断)；CCP0/CCP1/RxD/RxD2/RxD3/RxD4/T0/T1/T2/T3/T4管路；内部掉电唤醒专用定时器

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型号：CH559L 编号：C150548

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：WCH(南京沁恒)

是一款增强型E8051单片机，与MCS51指令集兼容，79%的指令为单字节单周期指令，平均指令速度比标准MCS51快8至15倍。支持高达56MHz的系统时钟，内置64KB Flash-ROM、256B片上iRAM、6KB片上xRAM，部分xRAM支持DMA模式。内置ADC转换器、4个定时器/PWM、2个UART、2个SPI和双端口Root-HUB，支持USB-Host和USB-Device模式。

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型号：HC32L073KATA-LQFP64 编号：C784674

封装：LQFP-64(10x10)

HC32L072 / HC32L073 系列是一款旨在延长便携式测量系统的电池使用寿命的超低功耗、宽电压工作范围的 MCU。集成12 位 1Msps 高精度SARADC，2 个12 位 DAC以及集成了比较器、运放、内置高性能PWM 定时器、LCD 显示、多路 UART、SPI、I2C、I2S、USB、CAN 等丰富的通讯外设，内建 AES、TRNG 等信息安全模块，具有高整合度、高抗干扰、高可靠性和超低功耗的特点。本产品内核采用 Cortex-M0+ 内核，配合成熟的 Keil & IAR 调试开发软件，支持C 语言及汇编语言，汇编指令。

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型号：MKE02Z32VLC4 编号：C511763

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：NXP(恩智浦)

特性：工作特性: 电压范围：2.7至5.5V。闪存写入电压范围：2.7至5.5V。温度范围（环境）：-40至105°C。性能: 高达40 MHz的Arm Cortex-M0+内核和高达20 MHz的总线时钟。单周期32位x 32位乘法器。单周期I/O访问端口

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型号：STM32F072VBT6 编号：C713240

封装：LQFP-100(14x14)

特性：核心：32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。存储器：64至128 KB的闪存；16 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：数字和I/O电源：VDD = 2.0 V至3.6 V；模拟电源：VDDA = VDD至3.6 V；选定的I/Os：VDDIO2 = 1.65 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；用于RTC的32 kHz振荡器，带校准功能；内部8 MHz RC，有x6 PLL选项；内部40 kHz RC振荡器；基于外部同步自动微调的内部48 MHz振荡器。多达87个快速I/O：均可映射到外部中断向量；多达68个具有5V容限能力的I/O，19个具有独立电源VDDIO2

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型号：STM32L052C8T6 编号：C111213

封装：LQFP-48(7x7)

特性：1.65 V至3.6 V电源。 -40至125 ℃温度范围。 0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。 0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留。 88 μA/MHz运行模式

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型号：CY8C4125LQI-483 编号：C470830

封装：QFN-40

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型号：APM32E103VCT6 编号：C3024253

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：Geehy(极海半导体)

32位MCU，封装：LQFP100，3个12位ADC，2个12位DAC，完全兼容 STM32F103VCT6， APM32F103VCT6。

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型号：ATMEGA164P-20AUR 编号：C1339362

封装：TQFP-44(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

ATmega164P/V/324P/V/644P/V 是一款基于增强型 RISC 架构的低功耗、CMOS 8 位微控制器。该设备有 40/44 针脚，闪存容量从 16 KB 到 64 KB 不等，SRAM 容量为 1 KB 到 4 KB，EEPROM 容量为 512 字节到 2 KB。通过在一个时钟周期内执行指令，这些设备实现了接近每兆赫兹一百万条指令（MIPS）的 CPU 吞吐量，使系统设计者能够在功耗和处理速度之间进行优化。高性能、低功耗增强型 RISC 架构微控制器。131 条强大的指令——大多数单时钟周期执行。2X8 通用工作寄存器。完全静态操作。在 20 MHz 下最高可达 20 MIPS 吞吐量。片上两周期乘法器。高耐久非易失性存储段，包括 16K/32K/64K 字节的系统内自编程闪存程序存储器、512B/1K/2K 字节 EEPROM 和 1K/2K/4K 字节内部 SRAM。写入/擦除周期:10,000 次闪存 / 100,000 次 EEPROM，数据保留时间:85℃ 下 20 年 / 25℃ 下 100 年。可选引导代码区带有独立锁位。通过片上引导程序进行系统内编程。真正的读写操作。软件安全的编程锁定。JTAG（符合 IEEE 标准 1149.1）接口，边界扫描功能根据 JTAG 标准，广泛的片上调试支持，通过 JTAG 接口对闪存、EEPROM、熔丝和锁位进行编程。外围设备特性包括两个带有独立预分频器和比较模式的 8 位定时/计数器，一个带有独立预分频器、比较模式和捕获模式的 16 位定时/计数器，带单独振荡器的实时时钟。六个 PWM 通道，8 路、10 位 ADC，差分模式下可选增益为 1 倍、10 倍或 200 倍，字节定向两线串行接口，两个可编程串行 USART，主/从 SPI 串行接口，带单独片上振荡器的可编程看门狗定时器，片上模拟比较器中断和引脚变化唤醒。特殊微控制器特性包括电源上电复位和可编程欠压检测、内部校准 RC 振荡器、外部和内部中断源以及六种睡眠模式:空闲、ADC 噪声减少等。

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型号：CY8C21434-24LTXIT 编号：C511131

封装：QFN-32-EP(5x5)

特性：强大的哈佛架构处理器。 M8C处理器速度高达24 MHz。高速下低功耗。工作电压：2.4 V至5.25 V。使用片上开关模式泵（SMP）时工作电压低至1.0 V。工业温度范围：-40℃至+85℃

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型号：STM8AF5289TAY 编号：C124732

封装：LQFP-64(10x10)

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型号：GD32F105RBT6 编号：C81551

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

它是一款基于 ARM Cortex™-M3 RISC 内核的 32 位通用微控制器，具有增强的连接性能，在处理能力、降低功耗和外设配置方面具有出色的性价比。Cortex™-M3 是下一代处理器内核，与嵌套向量中断控制器（NVIC）、SysTick 定时器和高级调试支持紧密耦合。该设备集成了运行频率为 108 MHz 的 ARM® Cortex™-M3 32 位处理器内核，闪存访问零等待状态，以实现最高效率。它提供高达 1 MB 的片上闪存和高达 96 KB 的 SRAM 内存

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型号：MC9S08QD4CSCR 编号：C1340359

封装：SOIC-8

品牌：NXP(恩智浦)

特性：16 MHz HCS08 CPU（中央处理器单元），具备HC08指令集和新增的BGND指令。背景调试系统，具备断点功能，可在在线调试时设置单个断点（片上调试模块中还可额外设置两个断点）。支持多达32个中断/复位源。闪存可在全工作电压和温度范围内进行读取/编程/擦除操作。不同型号有不同的闪存和RAM大小：MC9S08QD4/S9S08QD4：4096字节闪存，256字节RAM。MC9S08QD2/S9S08QD2：2048字节闪存，128字节RAM

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型号：CY8C21434-24LTXI 编号：C2959148

封装：QFN-32(5x5)