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封装：LQFP-144(20x20)

特性：32-bit Arm Cortex-M7核心，带双精度FPU和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存，允许从256位嵌入式闪存中单次访问填充一个缓存行；频率高达400MHz，具备MPU、856 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。高达2MB的闪存，支持读时写。 1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序），864KB的用户SRAM，以及4KB备份域中的SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达133MHz。 CRC计算单元。 ROP、PC-ROP、主动篡改保护。多达168个具有中断能力的I/O端口

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型号：S9S08DZ60F2MLFR 编号：C462510

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：NXP(恩智浦)

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型号：HPM5361IEG1 编号：C49451871

封装：QFN-48(6x6)

品牌：HPMICRO(先楫半导体)

特性：支持 RV32-IMAFDCBP 指令集。 3.57 Coremark/MHz, 1.98 DMIPS/MHz。 DSP 单元，支持 SIMD 和 DSP 指令。 L1 指令缓存和数据缓存各 16KB。指令本地存储器 ILM 和数据本地存储器 DLM 各 128KB。共 288KB 片上 SRAM，包括通用内存和 CPU 的本地存储器

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型号：STM32F373C8T6 编号：C404020

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，带浮点单元（FPU）和内存保护单元（MPU）的DSP指令。1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：64至256 Kbytes的闪存，32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0至3.6 V，上电/掉电复位（POR/PDR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式（睡眠、停止、待机），RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器，用于RTC的32kHz振荡器（带校准），内部8 MHz RC（带x16 PLL选项），内部40kHz振荡器

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型号：G32R501DPYT7 编号：C50331161

封装：LQFP-80(10x10)

品牌：Geehy(极海半导体)

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型号：PIC18F66K22-I/PT 编号：C54979

封装：TQFP-64(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：电源管理模式：运行：CPU开启，外设开启。空闲：CPU关闭，外设开启。睡眠：CPU关闭，外设关闭。双速振荡器启动。故障安全时钟监视器。节能外设模块禁用（PMD）

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型号：STM32F767IGT6 编号：C84571

封装：LQFP-176(24x24)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带有DPFFPU、ART加速器和L1缓存的ARM 32位Cortex M7 CPU：16KB I/D缓存，允许从嵌入式闪存和外部存储器进行零等待状态执行，最高可达216MHz，具备MPU、462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。高达2MB的闪存，分为两个存储体，支持读写同时进行。SRAM：512KB（包括128KB用于关键实时数据的数据TCM RAM）+ 16KB指令TCM RAM（用于关键实时程序）+ 4KB备份SRAM。灵活的外部存储器控制器，具有高达32位的数据总线：支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND存储器。双模式Quad-SPI。Chrom-ART加速器（DMA2D），图形硬件加速器，可增强图形用户界面。硬件JPEG编解码器。LCD-TFT控制器，支持高达XGA分辨率

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型号：STM32L151RDT6 编号：C1121902

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台: 1.65V 至 3.6V 电源。-40℃ 至 105℃ 温度范围。305nA 待机模式（3 个唤醒引脚）。1.15μA 待机模式 + RTC。0.475μA 停止模式（16 个唤醒线）。1.35μA 停止模式 + RTC。11μA 低功耗运行模式。230μA/MHz 运行模式

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型号：STM32G431K8T6 编号：C730098

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Arm Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波数学加速器。 128 KB闪存，支持ECC，有专有代码读取保护（PCROP）和可保护存储区域，1 KB OTP。 22 KB SRAM，前16 KB有硬件奇偶校验；程序增强器：指令和数据总线上有10 KB SRAM，带硬件奇偶校验（CCM SRAM）。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR/BOR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式（睡眠、停止、待机和关机），VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器，32 kHz振荡器带校准，内部16 MHz RC（可选PLL，±1%），内部32 kHz RC振荡器（±5%）。多达86个快速I/O，均可映射到外部中断向量，部分I/O有5 V容限能力

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型号：STM32F730R8T6 编号：C478453

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带有浮点单元（FPU）、自适应实时加速器（ART Accelerator™）和L1缓存的32位Arm® Cortex®-M7 CPU，8KB数据缓存和8KB指令缓存，允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，频率高达216MHz，具备内存保护单元（MPU），462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。 64KB闪存，具备保护机制（读写保护、专有代码读出保护（PCROP））。 528字节一次性可编程（OTP）内存。 SRAM：256KB（包括64KB用于关键实时数据的数据紧耦合内存（TCM）RAM）+ 16KB用于关键实时程序的指令TCM RAM + 4KB备份SRAM（在最低功耗模式下可用）。灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、NOR/NAND内存。双模式四路串行外设接口（Quad-SPI）。 1.7V至3.6V应用电源和I/O。上电复位（POR）、掉电复位（PDR）、可编程电压检测器（PVD）和欠压复位（BOR）

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型号：HC32A4A0PITI-LQFP100 编号：C5907223

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：XHSC(小华)

商城规格书仅供参考，具体参考小华官网最新资料手册

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型号：STM32F103RET7 编号：C1337363

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Arm Cortex-M3 CPU。最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。单周期乘法和硬件除法。256至512 Kbytes的闪存。高达64 Kbytes的SRAM。具有4个片选的灵活静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存

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型号：ATMEGA640-16AUR 编号：C2053609

封装：TQFP-100(14x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是低功耗CMOS 8位微控制器，基于AVR增强型RISC架构。通过在单时钟周期内执行强大的指令，可实现接近每MHz 1 MIPS的吞吐量，使系统设计人员能够优化功耗与处理速度。

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型号：STM32L452CET6 编号：C5269876

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，具备FlexPowerControl。供电电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为-40℃至85/125℃。 VBAT模式下为145nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式下为22nA（5个唤醒引脚）。待机模式下为106nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式下为375nA。停止2模式下为2.05μA，带RTC时为2.40μA

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型号：TM4C1290NCPDTI3R 编号：C470967

封装：TQFP-128(14x14)

品牌：TI(德州仪器)

TM4C1290NCPDT 具有 120MHZ 频率、1MB 闪存、256KB RAM、USB、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

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型号：ATXMEGA128A3U-MH 编号：C614669

封装：QFN-64-EP(9x9)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AVR XMEGA AU 系列是基于增强型 RISC 架构的低功耗、高性能且外设丰富的 CMOS 8/16 位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令， AVR XMEGA AU 设备实现了每兆赫接近一百万条指令（MIPS）的吞吐量，使系统设计人员能够优化功耗与处理速度之间的平衡。AVR CPU 结合了丰富的指令集和 32 个通用工作寄存器。所有 32 个寄存器都直接连接到算术逻辑单元 (ALU)，允许在一个指令中访问两个独立的寄存器，并在一个时钟周期内执行。这种架构不仅提高了代码效率，而且比传统的单累加器或 CISC 基础的微控制器实现了多倍的吞吐量。 AVR XMEGA AU 设备提供了以下功能：具有读写同时进行能力的在系统可编程闪存；内部 EEPROM 和 SRAM；四通道 DMA 控制器；八通道事件系统和可编程多级中断控制器；多达 78 条通用 I/O 线；16 位或 32 位实时时钟 (RTC)；多达八个灵活的 16 位定时器/计数器，具有捕获、比较和 PWM 模式；多达八个 USART；多达四个 I2C 和 SMBUS 兼容的两线串行接口 (TWI)；一个全速 USB 2.0 接口；多达四个串行外设接口 (SPI)；CRC 模块；AES 和 DES 加密引擎；多达两个 16 通道 12 位 ADC，带有可编程增益；多达两个 2 通道 12 位 DAC；多达四个带窗口模式的模拟比较器；带独立内部振荡器的可编程看门狗定时器；精确的内部振荡器，带 PLL 和预分频器；以及可编程掉电检测。程序和调试接口 (PDI) 是一种快速的两针接口，用于编程和调试。部分设备还配备了符合 IEEE std. 1149.1 标准的 JTAG 接口，该接口也可用于片上调试和编程。 AVR XMEGA 设备具有五种软件可选的节能模式。空闲模式停止 CPU 的运行，但允许 SRAM、DMA 控制器、事件系统、中断控制器和所有外设继续运行。掉电模式保存 SRAM 和寄存器内容，但停止振荡器，禁用所有其他功能，直到下一个 TWI、USB 恢复、引脚变化中断或复位。在节电模式下，异步实时时钟继续运行，允许应用程序在设备其余部分处于睡眠状态时保持定时基准。在待机模式下，外部晶体振荡器继续运行，而设备的其余部分则处于睡眠状态。这使得从外部晶体启动非常快，同时结合了低功耗。在扩展待机模式下，主振荡器和异步定时器都继续运行。为了进一步降低功耗，在活动模式和空闲睡眠模式下可以选择性地停止每个单独外设的外围时钟。这些设备采用高密度非易失性存储技术制造。程序闪存可以通过 PDI 或 JTAG 接口在系统中重新编程。运行在设备中的引导加载程序可以使用任何接口将应用程序下载到闪存中。在更新应用闪存部分时，引导闪存部分中的引导加载程序软件将继续运行，从而提供真正的读写同时操作。通过将 8/16 位 RISC CPU 与在系统自编程闪存相结合， AVR XMEGA 成为一个强大的微控制器系列，为许多嵌入式应用提供了高度灵活且经济高效的解决方案。 AVR XMEGA AU 设备配备了一整套程序和系统开发工具，包括 C 编译器、宏汇编器、程序调试器/模拟器、编程器和评估套件。

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型号：STM32H573VIT6 编号：C7545121

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体（ST）最先进的专利技术。Arm Cortex-M33 CPU，带有TrustZone、FPU，频率高达250 MHz，具备MPU，375 DMIPS（Dhrystone 2.1）。8 Kbyte指令缓存，允许从闪存和外部存储器零等待状态执行；4 Kbyte外部存储器数据缓存。1.5 DMIPS/MHz（Drystone 2.1）；1023 CoreMark（4.092 CoreMark/MHz）。高达2 Mbytes带ECC的嵌入式闪存，2个存储体可读写；每个存储体高达48 Kbyte的DATA闪存，具备高循环能力（100 K周期）；1 Kbyte OTP（一次性可编程）；640 Kbytes SRAM（64 Kbyte SRAM2带ECC和320 Kbyte SRAM3带灵活ECC）；4 Kbytes备份SRAM，在最低功耗模式下可用；灵活的外部存储器控制器，高达16位数据总线，支持SRAM、PSRAM、FRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、NOR/NAND存储器；一个Octo-SPI存储器接口，支持即时解密，支持串行PSRAM/NAND/NOR、Hyper RAM/闪存帧格式；两个SD/SDIO/MMC接口。内部振荡器：64 MHz HSI、48 MHz HSI48、4 MHz CSI、32 kHz LSI；外部振荡器：4-50 MHz HSE、32.768 kHz LSE。高达139个快速I/O，具备中断能力（大多数5 V耐压）；高达10个I/O，独立电源低至1.08 V。睡眠、停止和待机模式；VBAT为RTC、32x 32位备份寄存器供电

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￥64.88
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型号：STM32L476ZGT6 编号：C784816

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl，电源电压1.71V至3.6V，温度范围-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式30nA（5个唤醒引脚）。待机模式120nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式420nA。停止2模式1.1μA，带RTC时1.4μA。运行模式100μA/MHz（LDO模式）。运行模式39μA/MHz（@3.3V SMPS模式）

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型号：STM32H743BIT6 编号：C89418

封装：LQFP-208(28x28)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。32位Arm Cortex-M7内核，具有双精度FPU和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存；频率高达480MHz，具备MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。高达2MB的闪存，支持读写操作。高达1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序），高达864KB的用户SRAM，以及4KB备份域中的SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行速度高达133MHz。灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达100MHz。CRC计算单元。ROP、PC-ROP、主动篡改保护

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型号：FS32K148UJT0VLLT 编号：C3209400

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：NXP(恩智浦)

特性：电压范围：2.7 V至5.5 V。环境温度范围：HSRUN模式下为 -40℃至105℃，RUN模式下为 -40℃至150℃。 Arm Cortex-M4F/M0+ 32位CPU核心。支持高达112 MHz频率（HSRUN模式），每MHz 1.25 Dhrystone MIPS。基于Armv7架构和Thumb-2 ISA的Arm核心。集成数字信号处理器（DSP）。可配置嵌套向量中断控制器（NVIC）。单精度浮点单元（FPU）

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￥70.81
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型号：SPC560B50L5C6E0X 编号：C2055653

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：高性能64 MHz e200z0h CPU 32位Power Architecture技术。高达60 DMIPs操作，可变长度编码（VLE）。高达512 KB带ECC的代码闪存。64 KB带ECC的数据闪存。高达48 KB带ECC的SRAM。8项内存保护单元（MPU）

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￥65.23
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型号：F280049CPZS 编号：C194390

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：TI(德州仪器)

TMS320F280049C 具有 100MHz 频率、FPU、TMU、256KB 闪存、CLA、InstaSPIN-FOC、CLB、PGA、SDFM 的 C2000™ MCU

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￥78.62
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￥57.95

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型号：STM32F207IGT6 编号：C503073

封装：LQFP-176(24x24)

品牌：ST(意法半导体)

特性：Arm 32位Cortex-M3 CPU（最高120 MHz），带有自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现闪存零等待状态执行性能，具备MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。高达1 Mbyte的闪存。 512字节的OTP内存。高达128 + 4 Kbytes的SRAM。灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口，8080/6800模式

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￥87.6895 ￥105.65
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￥76.0879 ￥104.23
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￥62.7669 ￥99.63

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型号：AM3354BZCZA100 编号：C779407

封装：NFBGA-324

品牌：TI(德州仪器)

AM3354 Sitara 处理器: Arm Cortex-A8、3D 图形、CAN

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型号：AT91SAM9G45C-CU 编号：C111548

封装：TFBGA-324

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

基于 ARM926EJ-S 的 SAM9G45 具有用户界面功能和高数据速率连接的常见组合，包括 LCD 控制器、电阻式触摸屏、摄像头接口、音频、10/100 Ethernet 和高速 USB 及 SDIO。处理器运行在 400 MHz，且有多个 100+ Mbps 数据速率外设，SAM9G45 具备向网络或本地存储介质传输数据的性能和带宽，以提供足够的用户体验。

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￥90.09
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型号：HPM6E8YIGN1 编号：C49451876

封装：BGA-196(12x12)

品牌：HPMICRO(先楫半导体)

特性：双核32位RISC-V处理器，支持RV32-IMAFDCPB指令集。DSP单元，支持SIMD和DSP指令。L1指令缓存和数据缓存各32KB。指令本地存储器ILM和数据本地存储器DLM各256KB。共2080KB片上SRAM，包括通用内存和CPU的本地存储器。4096位OTP，128KB BOOTROM

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￥95.96
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￥87.71
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型号：LPC3250FET296/01K 编号：C3220193

封装：TFBGA-296

品牌：NXP(恩智浦)

专为低功耗、高性能应用而设计。采用90纳米工艺实现ARM926EJ-S CPU核心，带有矢量浮点协处理器和大量标准外设，包括USB On-The-Go，CPU频率最高可达266 MHz。使用具有哈佛架构、5级流水线和集成内存管理单元（MMU）的ARM926EJ-S CPU核心，MMU提供支持现代操作系统多编程需求的虚拟内存功能，还具备基于硬件的DSP指令扩展和基于硬件的原生Jazelle Java字节码执行功能，有32 kB指令缓存和32 kB数据缓存。为实现低功耗，利用先进技术优化固有功率，并使用软件控制的架构增强功能优化基于应用的电源管理

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