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封装：LQFP-48(7x7)

特性：核心：ARM Cortex-M4 32 位带 FPU 的 CPU（最高 72 MHz），单周期乘法和硬件除法，90 DMIPS（来自 CCM），DSP 指令。高达 64 KB 的闪存。 12 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。常规增强器：4 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM，位于指令和数据总线上。 CRC 计算单元。复位和电源管理。低功耗模式：睡眠、停止、待机。 VDD、VDA 电压范围：2.0 至 3.6 V

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型号：STM32F107RCT6 编号：C13643

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

STM32F105xx 和 STM32F107xx 互联系列集成了高性能的 ARM Cortex -M3 32 位 RISC 内核，工作频率为 72 MHz，高速嵌入式存储器（Flash 存储器高达 256 Kbytes 和 SRAM 64 Kbytes），以及一系列增强的 I/O 和连接到两个 APB 总线的外设。所有设备都提供两个 12 位 ADC、四个通用 16 位定时器加一个 PWM 定时器，以及标准和高级通信接口：最多两个 I2C、三个 SPI、两个 I2S、五个 USART、一个 USB OTG FS 和两个 CAN。以太网仅在 STM32F107xx 上可用。STM32F105xx 和 STM32F107xx 互联系列的工作温度范围为 -40 至 +105°C，电源电压范围为 2.0 至 3.6 V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。STM32F105xx 和 STM32F107xx 互联系列提供了三种不同封装类型的产品：从 64 引脚到 100 引脚。根据所选设备的不同，包含不同的外设组合，下面的描述概述了该系列提供的完整外设范围。这些特性使得 STM32F105xx 和 STM32F107xx 互联系列微控制器适用于广泛的应用，如电机驱动和应用控制、医疗和手持设备、工业应用、PLC、逆变器、打印机和扫描仪、报警系统、视频对讲、HVAC 和家庭音频设备。

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型号：STM32L471VGT6 编号：C2836688

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式30nA（5个唤醒引脚）。待机模式120nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式420nA。停止2模式下1.1μA，带RTC时1.4μA

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型号：AT91SAM7S64C-AU 编号：C14595

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一系列基于32位ARM RISC处理器的低引脚数闪存微控制器。具有高速闪存和SRAM，大量外设，包括USB 2.0设备（SAM7S32和SAM7S16除外），以及一套完整的系统功能，可最大限度减少外部组件数量。是寻求更高性能和更大内存的8位微控制器用户的理想升级选择。嵌入式闪存可通过JTAG-ICE接口在系统内编程，或在安装前通过生产编程器上的并行接口编程。内置锁定位和安全位可防止固件意外覆盖并保护其机密性。系统控制器包括一个复位控制器，能够管理微控制器和整个系统的上电顺序。内置欠压检测器和看门狗可监控设备的正确运行。

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型号：STM32F205RBT6 编号：C8364

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU（最高120 MHz），带有自适应实时加速器（ART Accelerator允许从闪存中实现零等待状态执行性能），MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。高达1 Mbyte的闪存。 512字节的一次性可编程（OTP）内存。高达128 + 4 Kbytes的SRAM。灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口，8080/6800模式

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型号：PIC16F876A-I/SO 编号：C112177

封装：SOIC-28-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：仅需学习35条单字指令。除程序分支为双周期指令外，其余均为单周期指令。工作速度：直流-20MHz时钟输入，直流-200ns指令周期。高达8K×14字的闪存程序存储器，高达368×8字节的数据存储器（RAM），高达256×8字节的EEPROM数据存储器。引脚与其他28引脚或40/44引脚的PIC16CXXX和PIC16FXXX微控制器兼容。 Timer0：带8位预分频器的8位定时器/计数器

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型号：STM32F412VGT6 编号：C727951

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，带BAM（批量采集模式）。内核：带FPU的Arm 32位Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator™），允许从闪存零等待状态执行，频率高达100 MHz，内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。高达1 Mbyte的闪存。256 Kbyte的SRAM。灵活的外部静态内存控制器，高达16位数据总线：SRAM、PSRAM、NOR闪存。双模式Quad-SPI接口。LCD并行接口，8080/6800模式。时钟、复位和电源管理

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型号：STM32G0B1KBT6 编号：C5270165

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU，高达128KB Flash，144KB RAM，6x USART，定时器，ADC，DAC，通讯。 I/F，1.7-3.6V

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型号：STM32F730R8T6 编号：C478453

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带有浮点单元（FPU）、自适应实时加速器（ART Accelerator™）和L1缓存的32位Arm® Cortex®-M7 CPU，8KB数据缓存和8KB指令缓存，允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，频率高达216MHz，具备内存保护单元（MPU），462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。 64KB闪存，具备保护机制（读写保护、专有代码读出保护（PCROP））。 528字节一次性可编程（OTP）内存。 SRAM：256KB（包括64KB用于关键实时数据的数据紧耦合内存（TCM）RAM）+ 16KB用于关键实时程序的指令TCM RAM + 4KB备份SRAM（在最低功耗模式下可用）。灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、NOR/NAND内存。双模式四路串行外设接口（Quad-SPI）。 1.7V至3.6V应用电源和I/O。上电复位（POR）、掉电复位（PDR）、可编程电压检测器（PVD）和欠压复位（BOR）

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型号：STM32F373CBT6 编号：C1337334

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，带浮点单元（FPU）和内存保护单元（MPU）的DSP指令。1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：64至256 Kbytes的闪存，32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0至3.6 V，上电/掉电复位（POR/PDR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式（睡眠、停止、待机），RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器，用于RTC的32kHz振荡器（带校准），内部8 MHz RC（带x16 PLL选项），内部40kHz振荡器

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型号：R5F21258SNFP#V2 编号：C1337167

封装：LQFP-52(10x10)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

应用：Standard：计算机；办公设备；通信设备；测试和测量设备；视听设备；家用电子电器；机床；个人电子设备；工业机器人。High Quality：运输设备（汽车、火车、轮船等）；交通控制系统；防灾系统；防盗系统；安全设备；非专门用于生命支持的医疗设备

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型号：STM32F412ZGT6 编号：C967645

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线与批量采集模式（BAM）。内核：32位Arm Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM）允许从闪存无等待状态执行，频率高达100MHz，具备内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：高达1MB的闪存；256KB的SRAM；灵活的外部静态存储器控制器，数据总线高达16位，支持SRAM、PSRAM、NOR闪存；双模式Quad-SPI接口。

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型号：GD32F450VET6 编号：C88258

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

是基于 ARM® Cortex®- M4 RISC 内核的 32 位通用微控制器，在增强处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳性价比。Cortex®- M4 内核配备浮点单元（FPU），可加速单精度浮点数学运算，支持所有 ARM® 单精度指令和数据类型。实现了一套完整的 DSP 指令，以满足对控制和信号处理能力高效、易用融合有需求的数字信号控制市场。还提供了内存保护单元（MPU）和强大的跟踪技术，以增强应用程序安全性和高级调试支持

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型号：AT32F437ZMT7 编号：C3020656

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ARTERY(雅特力)

特性：带有FPU的32位Cortex-M4 CPU。最高288 MHz工作频率，带存储器保护单元（MPLU），内建单周期乘法和硬件除法。内建浮点运算单元（FPU）。具有DSP指令集。256 K字节至4032 K字节的内部闪存储器。sLib：将指定之主存储区设为执行代码安全库区，此区代码仅能调用无法读取。默认384 K字节的SRAM，最大可设定为512 K字节。具有16位数据总线的外部存储器控制器（XMC）：支持CF卡、SRAM、PSRAM、NOR、NAND和SDRAM存储器

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型号：STM32L151CCT6 编号：C2149675

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。1.65 V 至 3.6 V 电源。40℃ 至 105℃ 温度范围。0.29 μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。1.15 μA 待机模式 + RTC。0.44 μA 停止模式（16 个唤醒线路）。1.4 μA 停止模式 + RTC。8.6 μA 低功耗运行模式

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型号：STM32G474CET6 编号：C730125

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速；FMAC：滤波数学加速器。

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型号：STM32MP157AAC3 编号：C511448

封装：TFBGA-361(12x12)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含先进的专利技术。 32位双核Arm Cortex-A7，每个核心L1有32K字节指令缓存和32K字节数据缓存，256K字节统一二级缓存，具备Arm NEON和Arm TrustZone。 32位Arm Cortex-M4带FPU/MPU，最高209 MHz（最高703 CoreMark）。外部DDR内存最高1 Gbyte，支持LPDDR2/LPDDR3-1066 16/32位、DDR3/DDR3L-1066 16/32位。 708 K字节内部SRAM，包括256 K字节AXI SYSRAM、384 K字节AHB SRAM、64 K字节备份域AHB SRAM和4 K字节备份域SRAM。双模式Quad-SPI内存接口。灵活的外部内存控制器，最高16位数据总线，可连接外部IC和SLC NAND内存，最高8位ECC。具备TrustZone外设，Cortex-M4资源隔离

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型号：STM32L452CET6 编号：C5269876

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，具备FlexPowerControl。供电电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为-40℃至85/125℃。 VBAT模式下为145nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式下为22nA（5个唤醒引脚）。待机模式下为106nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式下为375nA。停止2模式下为2.05μA，带RTC时为2.40μA

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型号：STM32F415VGT6 编号：C118210

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存0等待状态执行，频率高达168 MHz，有内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。内存：高达1 Mbyte闪存；高达(192 + 4) Kbytes SRAM，含64 Kbyte CCM（核心耦合内存）数据RAM；灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。

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型号：STM32F745VGT6 编号：C95496

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带有浮点单元（FPU）、自适应实时加速器（ART AcceleratorTM）和L1缓存（4KB数据缓存和4KB指令缓存）的ARM 32位Cortex-M7 CPU，允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，频率高达216 MHz，具备内存保护单元（MPU），462 DMIPS / 2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。

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型号：LPC1768FBD100,551 编号：C9875

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：NXP(恩智浦)

基于ARM Cortex-M3的微控制器，适用于嵌入式应用，具有高度集成和低功耗的特点。Arm Cortex-M3是下一代内核，提供系统增强功能，如增强的调试功能和更高级别的支持模块集成。LPC1768/67/66/65/64/63的CPU频率最高可达100 MHz，LPC1769的CPU频率最高可达120 MHz。

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型号：TMS320F28069PNT 编号：C544304

封装：LQFP-80(12x12)

品牌：TI(德州仪器)

TMS320F28069 具有 90MHz 频率、FPU、VCU、256KB 闪存、CLA 的 C2000™ MCU

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型号：STM32F750N8H6 编号：C1340079

封装：TFBGA-216

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32F427IGT6 编号：C117817

封装：LQFP-176(24x24)

品牌：ST(意法半导体)

特性：内核：带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器（ART加速器）、主频高达180MHz，MPU，能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz（Dhrystone2.1）的性能，具有DSP指令集。高达2MB Flash，组织为两个区，可读写同步。高达256 + 4KB的SRAM，包括64-KB的CCM（内核耦合存储器）数据RAM。具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口，兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率，具有专用的Chrom-ART Accelerator，用于增强的图形内容创建（DMA2D）。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR

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型号：AM3352BZCZ80 编号：C1522308

封装：NFBGA-324

品牌：TI(德州仪器)

AM3352 Sitara 处理器: Arm Cortex-A8、1Gb 以太网、支持显示效果、CAN

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型号：STM32G473VET3 编号：C2970883

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。内核：具有FPU的32位Arm Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，具有213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：用于三角函数加速的CORDIC；滤波器数学加速器FMAC。存储器：512 KB的闪存，支持ECC，双存储体可读写，具备专有代码读取保护（PCROP）和可安全存储区域，1 KB OTP；96 KB的SRAM，前32 KB实现硬件奇偶校验；32 KB的SRAM位于指令和数据总线上，具备硬件奇偶校验（CCM SRAM）；支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器的静态存储器外部存储器接口FSMC；Quad-SPI存储器接口。

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型号：MIMXRT1064CVL5B 编号：C2879860

封装：MAPBGA-196

品牌：NXP(恩智浦)

采用先进的Arm Cortex-M7内核实现，运行速度高达528 MHz，可提供高CPU性能和出色的实时响应。该处理器拥有4 MB片上闪存和1 MB片上RAM，512 KB SRAM可灵活配置为TCM或通用片上RAM，另外512 KB SRAM为通用片上RAM。它集成了带有DCDC和LDO的先进电源管理模块，降低了外部电源的复杂性并简化了电源排序。还提供各种内存接口，包括SDRAM、RAW NAND FLASH、NOR FLASH、SD/eMMC、Quad SPI，以及用于连接外设的广泛其他接口，如WLAN、蓝牙、GPS、显示器和摄像头传感器等

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型号：STM32H743VIH6TR 编号：C1857444

封装：TFBGA-100

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 32位Arm Cortex-M7内核，带双精度浮点单元和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存；频率高达480MHz，具备MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。高达2MB的闪存，支持边读边写。高达1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序），高达864KB的用户SRAM，以及备份域中的4KB SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器，高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达100MHz。 CRC计算单元。 ROP、PC-ROP、主动防篡改

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型号：STM32F413ZHT6 编号：C1337238

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，具备增强批量采集模式 (eBAM)。1.7 V 至 3.6 V 电源。40 °C 至 85/105/125 °C 温度范围。内核：带有浮点单元 (FPU) 的 Arm 32 位 Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器 (ART Accelerator™) 允许从闪存零等待状态执行，频率高达 100 MHz，具备内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)，支持 DSP 指令。高达 1.5 Mbytes 的闪存。320 Kbytes 的 SRAM。灵活的外部静态内存控制器，具有高达 16 位数据总线：SRAM、PSRAM、NOR 闪存。双模式 Quad-SPI 接口

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型号：LPC54607J256BD208E 编号：C1344999

封装：LQFP-208(28x28)

品牌：NXP(恩智浦)

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