华虹宏力存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：H5AN4G6NBJR-VKC 编号：C2849414

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

H5AN4G6NBJR-XXC 是一款4Gb DDR4 SDRAM，适用于主内存，支持高带宽操作。该器件具有1.2V供电电压，支持多种时钟频率，包括1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 2933, 3200 MHz。

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型号：24LC64T-E/SN 编号：C615720

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64/24FC64（24xx64*）是一款64 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为单个8K×8位存储块。低电压设计允许其在低至1 V的电压下工作

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型号：BL24CM2A-PARC 编号：C2932512

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24CM2A提供2097152位（262144字节）的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。包含一个额外的256字节识别页，支持1百万次写入寿命，数据保留时间为100年。

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￥6.14
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￥4.93
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型号：GD25LQ32EEIGR 编号：C2939873

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25LQ32E（32M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为266Mbit/s，四路I/O数据传输速度为532Mbit/s。

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型号：AT24CM01-SSHD-T 编号：C36553

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM01提供1,048,576位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件的可级联特性允许最多四个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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型号：IS62C256AL-45ULI-TR 编号：C14323

封装：SOIC-28-8.4mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256-Kbit(32K x 8bit)，并行接口，工作电压：5V

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型号：AT24C1024BN-SH-T 编号：C36533654

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C1024是一款1M位（131,072 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持低电压和标准电压操作，具有硬件数据保护功能，适用于工业和商业应用。

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型号：AT24CM02-SSHD-T-TUDI 编号：C36533662

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24CM02是一款2,097,152位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为262,144个8位字。该设备支持I2C兼容的2线串行接口，具有低电压和标准电压操作（1.7V至5.5V）。它具有硬件数据保护功能，支持256字节页写模式，字写和部分页写。数据保留时间为100年，写周期寿命为100万次。

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型号：MX25L25645GMI-08G 编号：C526821

封装：SOP-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。 268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

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￥20.59
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型号：GD25Q256EYIGR 编号：C2927043

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

串行闪存支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#/RESET#)。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。

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￥21.85
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￥19.67
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型号：W25Q256JVEIQ 编号：C2682312

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

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￥22.31
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型号：EPCS4SI8N 编号：C569019

封装：SOIC-8

品牌：Intel/Altera

若要使用基于SRAM的器件配置系统，每次给器件上电时，都必须加载配置数据。EPCS器件是一种闪存器件，可存储用于在FPGA上电后进行配置的数据。您可以在所有支持AS x1配置方案的FPGA上使用EPCS器件

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型号：FM25V05-GTR 编号：C66025

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V05是一款512-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，具有高耐久性（100万亿次读写）、151年的数据保留时间、高速SPI接口（最高40MHz），低功耗特性（300μA@1MHz，90μA待机电流，5μA睡眠模式电流）。支持SPI模式0和3，工作电压2.0V至3.6V，工作温度范围-40℃至+85℃，8引脚SOIC封装。

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￥31.14
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型号：GD25B512MEYIGR 编号：C2974186

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25B512ME（512M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持四路SPI和双数据速率（DTR）模式：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3和RESET#。四路I/O和四路输出数据的传输速率为532Mbit/s，DTR四路I/O数据的传输速率为720Mbit/s。

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型号：MX25L51245GMI-08G 编号：C19191699

封装：SOP-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。512Mb：536,870,912 x 1位结构或268,435,456 x 2位（双I/O模式）结构或134,217,728 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

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￥31.98
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型号：IS61LV25616AL-10TLI 编号：C17354

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：3.3V

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型号：W25N01GWZEIG 编号：C2940194

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：W634GU6QB-11 编号：C2943204

封装：VFBGA-96

品牌：Winbond(华邦)

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型号：MKDV16GCL-STPA 编号：C47118465

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV16GCL-STP的升级款。尺寸6.6x8mm。P/E Cycles 5000次，支持SD3.0，支持1.8v/3.3v IO电压；C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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￥79.1825 ￥83.35
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￥75.392 ￥79.36
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￥68.8085 ￥72.43
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￥63.0705 ￥66.39

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型号：IS61WV102416DBLL-10BLI 编号：C1348743

封装：BGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV102416DALL/BLL是高速16M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为1024K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造。这一高可靠性工艺结合创新的电路设计技术，造就了高性能、低功耗的器件

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￥82.67
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￥68.27
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￥56.03

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型号：MKDV32GCL-STPA 编号：C47118466

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV32GCL-STH/MKDV32GCL-STPA升级款;尺寸6.6x8mm。P/E Cycles 5000次，支持SD3.0，支持1.8v/3.3v IO电压；C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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型号：MKDN032GIL-AA 编号：C2935348

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

MK Nano SD NAND 是一款设计为 LGA 封装形式的嵌入式存储解决方案。其操作类似于 SD 卡，适用于工业级应用。该器件包括 NAND 闪存和高性能控制器，支持高达 208MHz 的时钟频率，符合 SD3.0 接口标准。

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￥114.551 ￥120.58
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￥109.7155 ￥115.49
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型号：TP24C02S5 编号：C18197836

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

TP24C02S是一款2 Kbit、与I²C兼容的串行EEPROM（电可擦除可编程存储器）器件。它包含一个256×8位的存储阵列，每页组织为8字节。TP24C02S为不同应用提供以下器件

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￥0.3354
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￥0.2634
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￥0.2274
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￥0.2004
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￥0.1788
9000+
￥0.168

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型号：24C04S(XBLW) 编号：C41408451

封装：SOT-23-5

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C04是一款4096位的串行电气可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为512个8位字。采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V至5.5V，工业温度范围为-40°C至85°C。具备100年的数据保留能力和100万次写周期寿命。

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￥0.39178 ￥0.4124
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￥0.3097 ￥0.326
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￥0.26866 ￥0.2828
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￥0.23788 ￥0.2504
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￥0.213275 ￥0.2245
9000+
￥0.200925 ￥0.2115

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型号：SL24C64D 编号：C5155396

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL24C64是电可擦除PROM，采用8192x8-bit的组织结构以及两线串行接口。工作电压范围1.8V~5.5V，具有页写能力和硬件数据写保护。存储容量为64K位，擦写寿命为100万次，数据保持时间为100年。

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5+
￥0.5891
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￥0.4609
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￥0.3967
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￥0.3487
2500+
￥0.2998
4000+
￥0.2806

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型号：ZD24C64A-SSGMT 编号：C2896793

封装：SOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C64A是一款低电压I2C兼容串行EEPROM，内部组织为8,192 x 8 (64Kb)，支持100kHz至1MHz的时钟频率，具有超低功耗和高可靠性。

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5+
￥0.6137
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￥0.4793
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￥0.4121
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￥0.3617
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6000+
￥0.3012

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型号：24C128BN(XBLW) 编号：C19708136

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C128系列是131,072位串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），组织为16,384个8位字。这些设备采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。提供标准8引脚DIP、8引脚SOP、8引脚MSOP、8引脚TSSOP和8引脚DFN封装。标准2线双向串行接口用于所有读写功能。扩展的VCC范围（1.8V至5.5V）使应用范围广泛。