华虹宏力存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：AT24C02C-SSHM-T 编号：C22453058

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

AT24C02C-SSHM-T是一款2K位串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。提供多种封装选项，包括8引脚PDIP/SOP/TSSOP/UDFN和WLCSP4。

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￥0.2588 ￥0.3235
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型号：W25Q64JVZEIQ 编号：C571262

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

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￥22.07
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型号：GD25Q256DYIGR 编号：C2758337

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q256D（256M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#/RESET#）。双I/O数据传输速度为208Mbit/s，四I/O和四输出数据传输速度为416Mbit/s。

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￥33.39
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型号：MT25QL128ABA8ESF-0SIT 编号：C427722

封装：SOP-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议的最大频率为133 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。 STR和DTR均支持的协议：扩展I/O协议

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型号：MT25QU256ABA8E12-1SIT 编号：C2061023

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议的最大频率为166 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持的协议：扩展、双和四I/O的STR和DTR

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型号：MKDV4GIL-AST 编号：C26159626

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

MKDV4GIL-AS的升级款，4Gb SD NAND 工规级 SLC；工业级新物料选型首选，软硬件完全兼容MKDV4GIL-AS，并且功耗更低、速度更快、擦写寿命更长； P/E Cycles 10万次，速度等级：C10；IOPS R/W 1633/90；支持实时健康状态监测；兼容SPI模式，SD一线式和四线式；内嵌ECC校验、坏块管理、垃圾回收、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，SDNAND等；

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型号：MT48LC16M16A2P-6A:G 编号：C5128621

封装：TSOP-54-400mil

品牌：micron(镁光)

256Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机访问存储器，包含268,435,456位。它内部配置为四bankDRAM，具有同步接口（所有信号在时钟信号CLK的正沿注册）。每个x4的67,108,864位bank组织为8192行x2048列x4位。每个x8的67,108,864位bank组织为8192行x1024列x8位。每个x16的67,108,864位bank组织为8192行x512列x16位。

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型号：IS61WV51216BLL-10TLI 编号：C397874

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61WV51216ALL/BLL和IS64WV51216BLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它们采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：MT25QU256ABA1EW7-0SIT 编号：C2063145

封装：WPDFN-8(5x6)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议的最大频率为166 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持的协议：扩展、双和四I/O的STR和DTR

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型号：MT25QU512ABB1EW9-0SIT 编号：C2060949

封装：WPDFN-8(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率：STR所有协议下最大166 MHz；DTR所有协议下最大90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s

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型号：MT25QL01GBBB8ESF-0SIT 编号：C2061920

封装：SO-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：堆叠设备（两个512Mb裸片）。 SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。 STR中所有协议的时钟频率最大为133 MHz。 DTR中所有协议的时钟频率最大为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s

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型号：H9HCNNNBKUMLXR-NEE 编号：C21912322

封装：FBGA-200(10x15)

品牌：HYNIX(海力士)

LPDDR4 - SDRAM是一种高速同步DRAM器件，内部配置有1个或2个通道。单通道由8个存储体组成，每通道密度为1 Gb至16 Gb。双通道由8个存储体组成，每通道密度为2 Gb至32 Gb

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型号：ZD24C08A-SSGMB 编号：C918266

封装：SOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C08A是一款兼容I2C协议的8K位串行EEPROM，具有16字节的页面大小，支持单电源供电，最高时钟频率为1MHz，写入时间为3ms。

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型号：ZD24C02B-XGMT 编号：C5375516

封装：TSSOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C02B 提供 2048 位的串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，组织为 256 个 8 位字。

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型号：BL24C08F-PARC 编号：C2681317

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C08F是一款8K位串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。存储容量为8K位（1024字节），页大小为16字节，写周期寿命为1百万次，数据保留时间为100年。

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型号：AT24C64-HXY 编号：C18198380

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AT24C64是一款64K位I2C兼容串行EEPROM，包含8K x 8位的存储阵列，每页32字节。支持单电源电压和高速模式，最低工作电压可达1.7V，1MHz时钟频率从2.5V到5.5V，400kHz时钟频率从1.7V到2.5V。具有低功耗CMOS技术，读电流0.2mA（400kHz，典型值），写电流0.6mA（400kHz，典型值）。输入端具有施密特触发和噪声抑制功能。支持顺序和随机读取，32字节页面写入模式，部分页面写入允许。整个存储阵列可写保护，附加可锁定写保护页面，附加128位序列号。自定时写周期（最大5ms），高可靠性，耐久性：1百万次写周期，数据保持时间：100年。

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￥0.56082 ￥0.8628
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￥0.31694 ￥0.4876
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型号：AT24C64M/TR 编号：C434512

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

提供32/768/65,536位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为4096/8192个8位字。该设备针对许多工业和商业应用进行了优化，其中低功耗和低电压操作至关重要。有节省空间的8引脚DIP、8引脚SOP和8引脚MSOP封装，可通过两线串行接口访问。

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￥0.8264
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型号：BL24C512A-SFRC 编号：C169114

封装：TSSOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C512A是一款512Kbits的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，适用于多种工业和商业应用。提供页写操作，可在3ms内完成写操作，具有100年的数据保留时间和400万次写周期寿命。

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￥1.6266
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￥0.9137

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型号：M24C64-FMC6TG 编号：C283446

封装：DFN-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

64 Kbit串行I2C总线EEPROM

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￥1.7839
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型号：AT24C512CDR064 编号：C51026309

封装：SOP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C512是一款512-Kbit I2C兼容串行EEPROM，具有1MHz传输速率，工作温度范围为-40°C到+105°C。该设备集成了硬件写保护功能，用于保护整个内存阵列。

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￥1.826102 ￥2.0518
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型号：M24256-BRMN6TP 编号：C79984

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

256 Kbit串行I2C总线EEPROM

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￥2.2177
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型号：24AA04T-I/OT 编号：C2062002

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX04是一款4 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，由两个256×8位的存储块组成。其低压设计允许在低至1 V的电压下工作

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￥2.3231
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￥1.3831

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型号：M93C46-WDW6TP 编号：C2061219

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

1 Kbit（8位或16位宽）MICROWIRE串行访问EEPROM

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￥1.9
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型号：CAT24C32YI-GT3 编号：C94264

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C32 是一款 32-kb I2C 串行 EEPROM 器件，内部组织为 4096 个词，每个词 8 位。它具有 32 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。

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￥2.1
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￥1.57
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型号：CAT24C256YI-GT3 编号：C146734

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C256是一款256kb的串行CMOS EEPROM，内部组织为32,768个8位字。支持标准（100kHz）、快速（400kHz）和快速加（1MHz）I2C协议。具有硬件写保护、低功耗CMOS技术、工业和扩展温度范围。

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型号：PY25Q32HB-SSH-IR 编号：C22439001

封装：SOP-8

品牌：PUYA(普冉)

串行接口闪存设备，适用于大量基于消费的应用，其中程序代码从闪存映射到嵌入式或外部 RAM 中执行。其灵活的擦除架构，具有扇区擦除粒度，也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备。擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求。通过优化擦除块的大小，可以更有效地利用内存空间

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￥1.99
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￥1.87

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型号：AT24C64D-XHM-T 编号：C111440

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C64D 提供 65,536 位串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，每个字包含 8,192 个 8 位字。该器件的级联功能允许最多八个器件共享一条双线总线。该器件针对许多需要低功耗和低电压运行的工业和商业应用进行了优化。

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￥3.79
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￥3.02
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￥2.64
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￥2.26
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￥2.03
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型号：GX2431P 编号：C472477

封装：MSOP-8

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431是一款1024位1-Wire EEPROM芯片，由四个存储器页组成，每页256位。数据先被写入一个8字节暂存器中，经校验无误后复制到EEPROM存储器。其特点在于，四个存储器页相互独立，可以单独设置写保护或EPROM仿真模式。通过一根1-Wire总线进行通信，通信采用标准的1-Wire协议。

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