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    W25Q16JV(16M位)串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据
    • 50+

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  • W9825G6KH是一款高速同步动态随机存取存储器(SDRAM),组织为4M字 × 4个bank × 16位。它支持最高200 MHz的时钟频率,具有多种速度等级,包括-5, -5l, -6, -6l, -6J, -6L, -75, 75J 和 75L。-5/-5l等级部件符合200MHz/CL3规范(-5l工业等级保证支持-40°C至85°C)。-6/-6l/-6J/-6L等级部件符合166MHz/CL3规范(-6l工业等级支持-40°C至105°C)。-75/75J/75L等级部件符合133MHz/CL3规范(75J工业加等级保证支持-40°C至105°C)。-6L和75L等级部件支持自刷新电流IDD6最大1.5 mA。
    数据手册
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      ¥11.05
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  • W29N04GV 是一款 4Gbit 3.3V NAND FLASH 存储器,支持标准 NAND 命令集,适用于代码阴影到 RAM、固态应用和数据存储。具有低功耗、高性能和紧凑封装的特点。
    数据手册
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  • W25Q64JV(64M位)串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据
    • 1+

      ¥28.84
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  • 串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列产品提供了超越普通串行闪存设备的灵活性和性能,适用于将代码映射到RAM、直接从双/四SPI执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据。器件在1.7V至1.95V电源下工作,掉电时电流消耗低至0.1μA。阵列由16384个可编程页面组成,每页256字节,一次最多可编程256字节
    数据手册
    • 50+

      ¥11.594278
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      ¥25.42
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  • 特性:接口:HyperBus。 电源:1.7V~2.0V 或 2.7V~3.6V。 最大时钟速率:200MHz。 双倍数据速率(DDR)高达 400MT/s
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      ¥21.07
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  • W9825G6KH是一款高速同步动态随机存取存储器(SDRAM),组织为4M字 × 4个bank × 16位。它支持最高200 MHz的时钟频率,具有多种速度等级,包括-5, -5l, -6, -6l, -6J, -6L, -75, 75J 和 75L。-5/-5l等级部件符合200MHz/CL3规范(-5l工业等级保证支持-40°C至85°C)。-6/-6l/-6J/-6L等级部件符合166MHz/CL3规范(-6l工业等级支持-40°C至105°C)。-75/75J/75L等级部件符合133MHz/CL3规范(75J工业加等级保证支持-40°C至105°C)。-6L和75L等级部件支持自刷新电流IDD6最大1.5 mA。
    数据手册
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