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W25Q16JL(16M位)串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据
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  • W25X40CL(4M位)串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25X系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合代码下载应用以及语音、文本和数据存储
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  • 串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列产品提供了超越普通串行闪存设备的灵活性和性能,适用于将代码映射到RAM、直接从双/四SPI执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据。器件在1.7V至1.95V电源下工作,掉电时电流消耗低至0.1μA。阵列由16384个可编程页面组成,每页256字节,一次最多可编程256字节
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  • W25Q128JV(128M位)串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据
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  • W9412G6KH 是一款互补金属氧化物半导体(CMOS)双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM),其组织形式为 2M 字×4 个存储体×16 位。W9412G6KH 可提供高达每秒 400M 字的数据带宽。为完全符合个人计算机行业标准,W9412G6KH 被分为以下速度等级:-5、-5I 和 -6I
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  • 串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备,适用于将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据。该器件在1.65V至1.95V的单电源下工作,工作电流低至4mA,掉电电流为1μA。所有器件均采用节省空间的封装。阵列由32,768个可编程页面组成,每个页面256字节。一次最多可编程256字节。页面可以16个为一组进行擦除(4KB扇区擦除)
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  • W25X40CL(4M位)串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25X系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合代码下载应用以及语音、文本和数据存储
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