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W25Q64JV(64M位)串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据
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  • 串行闪存存储器为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。
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  • W25X40CL(4M位)串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25X系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合代码下载应用以及语音、文本和数据存储
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  • 串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备,适用于将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据。该器件在1.65V至1.95V的单电源下工作,工作电流低至4mA,掉电电流为1μA。所有器件均采用节省空间的封装。阵列由32,768个可编程页面组成,每个页面256字节。一次最多可编程256字节。页面可以16个为一组进行擦除(4KB扇区擦除)
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  • 串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备,适用于将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据。该器件在1.65V至1.95V的单电源下工作,工作电流低至4mA,掉电电流为1μA。所有器件均采用节省空间的封装。阵列由32,768个可编程页面组成,每个页面256字节。一次最多可编程256字节。页面可以16个为一组进行擦除(4KB扇区擦除)
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  • W9825G6KH是一款高速同步动态随机存取存储器(SDRAM),组织为4M字 × 4个bank × 16位。它支持最高200 MHz的时钟频率,具有多种速度等级,包括-5, -5l, -6, -6l, -6J, -6L, -75, 75J 和 75L。-5/-5l等级部件符合200MHz/CL3规范(-5l工业等级保证支持-40°C至85°C)。-6/-6l/-6J/-6L等级部件符合166MHz/CL3规范(-6l工业等级支持-40°C至105°C)。-75/75J/75L等级部件符合133MHz/CL3规范(75J工业加等级保证支持-40°C至105°C)。-6L和75L等级部件支持自刷新电流IDD6最大1.5 mA。
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  • W9825G6KB 是一种高带宽同步动态随机存取存储器 (SDRAM),组织为 4M x 4 bank x 16 位。支持高达 166 MHz 的时钟频率,适用于高性能应用的主要内存。
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  • 1Gb LPDDR3 SDRAM,支持双数据速率架构和16位数据宽度,具有低功耗模式和高速读写能力。
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  • W9412G6KH 是一款互补金属氧化物半导体(CMOS)双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM),其组织形式为 2M 字×4 个存储体×16 位。W9412G6KH 可提供高达每秒 400M 字的数据带宽。为完全符合个人计算机行业标准,W9412G6KH 被分为以下速度等级:-5、-5I 和 -6I
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  • W29N04GV 是一款 4Gbit 3.3V NAND FLASH 存储器,支持标准 NAND 命令集,适用于代码阴影到 RAM、固态应用和数据存储。具有低功耗、高性能和紧凑封装的特点。
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  • W25Q32JW(32M位)串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI(XIP)直接执行代码以及存储语音、文本和数据
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    W25Q80EW(8M位)串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据
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